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霍岩峰

作品数:9 被引量:11H指数:3
供职机构:中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
发文基金:国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:金属学及工艺核科学技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇离子注入
  • 5篇PSII
  • 2篇全方位离子注...
  • 2篇温度
  • 1篇氮离子注入
  • 1篇等离子体
  • 1篇真空系统
  • 1篇温度效应
  • 1篇金属
  • 1篇金属材料
  • 1篇计算机监控
  • 1篇计算机监控系...
  • 1篇计算机控制
  • 1篇监控系统
  • 1篇检测法
  • 1篇改性
  • 1篇PS
  • 1篇CR12MO...
  • 1篇IM
  • 1篇表面改性

机构

  • 7篇中国核工业集...

作者

  • 7篇霍岩峰
  • 7篇陈庆川
  • 6篇童洪辉
  • 5篇穆莉兰
  • 5篇耿漫
  • 4篇冯铁民
  • 2篇王珂
  • 2篇赵青
  • 2篇严兵
  • 2篇赵军
  • 1篇王经权
  • 1篇郑永真
  • 1篇孙爱萍

传媒

  • 2篇"99全国荷...
  • 1篇核技术
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇真空与低温
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1997
9 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
全方位离子注入及增强沉积工业机和应用被引量:3
2002年
报道了等离子体源离子注入 (PSII)或等离子体浸没离子注入 (PIII)及增强沉积工业机的实验结果及应用。该机真空室直径 90 0mm ,高 10 5 0mm ,立式放置 ,抽气系统由分子泵及机械泵构成并且实现了PLC控制 ,本底真空小于 4× 10 - 4Pa。等离子体由热阴极放电或三个高效磁过滤式金属等离子体源产生 ,因此可实现全方位离子注入或增强沉积成膜。该机的负高压脉冲最高幅值为 80kV ,最大脉冲电流为 6 0A ,重复频率为 5 0— 5 0 0Hz ,脉冲上升沿小于 2 μs,并且可根据需要产生脉冲串。其等离子体密度约为 10 8— 10 10 ·cm- 3,膜沉积速率为 0 .1— 0 .5nm/s。
童洪辉陈庆川霍岩峰王珂穆莉兰冯铁民赵军严兵耿漫
关键词:全方位离子注入表面改性金属材料
PSII-IM装置用100kV高压脉冲调制器的研制
通过对PSII装置的工作原理的简单介绍及对PSII-IM装置负载模型的分析、 计算,推导出了该装置等离子体负载与其等离子体参数的关系式,从而得出了该装置的等离子体负载的特性曲线,为该电源的设计及调试提供了重要参考。并对在...
霍岩峰陈庆川童洪辉冯铁民邵益光穆莉兰
PSII的计算机监控系统
实现装置工艺参数的可重复性,并有效掏设备运行过程中由射频源、微波源、金属源和高压脉冲电源产生的种种上电磁干扰对设备性能及人身安全的影响,开发了一套计算机控制系统以负责对设备的远程监控,该系统由一台康拓KT8500工控机及...
陈庆川霍岩峰冯铁民崔西蓉耿漫
关键词:离子注入计算机控制
全方位离子注入及增强沉积工业机及应用
本文报告了为深圳国家“八六三”计划材料表面工程技术研究开发应用中心研制开发的新一代全方位离子注入及增强沉积工业机。该机的真空室由不锈钢制成,外侧分层覆盖有永磁体、冷却水管、软铁、铅皮及装饰不锈钢板,用于冷却、在真空室内形...
童洪辉陈庆川霍岩峰王珂穆莉兰冯铁民赵军严兵耿漫
关键词:全方位离子注入
双元检测法动态测定PSII靶温度被引量:4
2000年
研制了快速、准确、简单地测定 PSII靶温度的系统 ,提出了用双元检测法动态测量PSII靶温度的方法。实验表明 ,双元检测法测量温度准确、可靠 ,且测温系统成本低、稳定性好。
赵青耿漫童洪辉陈庆川霍岩峰孙爱萍穆莉兰郑永真
多功能等离子体源离子注入工业样机的研制
1997年
等离子体源离子注入(PSII)是一种新的离子注入技术。该技术与其它相关技术的结合又扩大了其应用。介绍国内首次研制成功的多功能PSI工业样机的结构、性能、参数以及材料改性的初步结果。
甘明乐童洪辉霍岩峰陈纳新陈庆川冯铁明穆莉兰王经权邢大中耿漫尚振奎
关键词:离子注入等离子体PSII真空系统
温度对氮离子注入的Cr12MoV表面性能影响被引量:4
2000年
利用等离子源离子注入 (PSII)技术对冷作模具钢材料Crl2MoV进行不同温度范围的处理 ,研究了温度在离子注入中对材料表面改性的影响。首先 ,在参数 (如能量、剂量等 )相同条件下 ,改变脉冲频率 ,即相对应地改变样品的表面温度对不同样品进行试验对比 ,分别测试其表面温度为 :2 5 0℃、31 2℃、36 5℃、41 2℃、471℃。然后在 31 2℃的温度条件下 ,分别做了不同剂量的试验。用X射线衍射分析 (XRD)表面结构、晶相变化 ;用俄歇电子能谱 (AES)分析注入氮的浓度分布 ;用维氏显微硬度计测定其显微硬度 ;用针一盘磨损机测试其耐磨性能。结果表明 ,对Cr1 2MoV材料PSII表面温度效应明显提高试样的表面显微硬度及耐磨性能 ,同时根据实验结果得出了该种材料的等离子体源离子注入的最佳工艺参数。
赵青童洪辉陈庆川霍岩峰穆利兰耿曼
关键词:CR12MOVPSII温度效应
共1页<1>
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