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靳秀芳

作品数：14 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目江苏省教委自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学

主题

  • 10篇探测器
  • 7篇红外
  • 5篇探测器芯片
  • 4篇碲镉汞
  • 3篇焦平面
  • 3篇光导
  • 3篇红外焦平面
  • 2篇电学
  • 2篇电阻
  • 2篇杜瓦
  • 2篇势垒
  • 2篇隧穿
  • 2篇隧穿电流
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇线列
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀

机构

  • 13篇中国科学院
  • 1篇南京大学
  • 1篇物理科学与技...

作者

  • 14篇靳秀芳
  • 8篇龚海梅
  • 6篇方家熊
  • 6篇李向阳
  • 4篇朱龙源
  • 4篇亢勇
  • 4篇李雪
  • 4篇陈江峰
  • 2篇刘诗嘉
  • 2篇周咏东
  • 2篇王小坤
  • 2篇汤定元
  • 2篇张亚妮
  • 2篇章莲妹
  • 2篇肖继荣
  • 2篇曾智江
  • 2篇王平
  • 2篇徐国森
  • 2篇朱三根
  • 2篇吴家荣

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇2003年全...
  • 1篇Journa...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇第三届中国功...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1992
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器
本发明公开了一种带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器，该器件的特征是：在光敏元的二侧各有一个通过离子刻蚀至衬底的圆洞，圆洞内依次镀有铬金属层和黄金层，其总高度与光敏元的高度齐平。在黄金层上再依次镀上铟金属层和黄金层，该铟...
朱龙源王平刘诗嘉陈江峰靳秀芳龚海梅李向阳
文献传递
Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究
2001年
通过介质膜 Zn S、Cd Te薄膜材料的 Ar+ 束溅射沉积研究 ,结合 Hg Cd Te器件工艺 ,成功制备了以 Zn S、Cd Te双层介质膜为绝缘层的 Hg Cd Te MIS器件 ;通过对器件的 C- V特性实验分析 ,获得了 Cd Te/ Hg Cd Te界面电学特性参数 .实验表明 :溅射沉积介质膜 Cd Te+Zn S对 Hg Cd Te的表面钝化已经可以满足 Hg Cd
周咏东方家熊李言谨龚海梅吴小山靳秀芳汤定元
关键词：HGCDTE红外焦平面MIS器件碲化镉
低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响被引量：6
2005年
利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0.5h的0.57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。
亢勇李雪肖继荣靳秀芳李向阳龚海梅方家熊
关键词：GAN伏安特性退火肖特基势垒
电流冲击对长波光导MCT探测器的影响
2006年
对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测器性能影响不大,探测器组分减小,截止波长变长;冲击时间长到(42mA,100h)一定程度后,探测器性能有不同程度的下降,组分变大,截止波长变短.这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应,从而使器件截止波长发生变化.
刘大福吴礼刚徐国森章连妹靳秀芳龚海梅
关键词：电流冲击MCT光导探测器响应光谱少子寿命
GaN紫外探测器的Ti/Al接触界面的电学特性研究
本文利用伏安特性和传输线模型研究了不同退火条件下GaN紫外探测器的Ti/GaN接触的电学特性,利用热电子发射理论研究了反偏Ti/GaN界面的肖特基势垒,结果表明肖特基势垒高度和比接触电阻随退火温度的升高而下降,600℃退...
李雪亢勇陈江峰靳秀芳朱龙源李向阳龚海梅方家熊
关键词：传输线模型比接触电阻隧穿电流
文献传递
真空热退火对GaN金属—半导体—金属肖特基紫外探测器伏安特性的影响
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属(MSM)交叉指型肖特基紫外探测器.研究了真空热退火对器件伏安特性的影响.结果分析表明Au填充N定位形成了施主型杂质是退火后势垒升高...
亢勇李雪肖继荣靳秀芳李向阳龚海梅方家熊
关键词：伏安特性肖特基势垒紫外探测器
文献传递
热电致冷型多波段红外探测器
本实用新型公开了一种主要用于红外气体分析仪器和红外气体报警的热电致冷型多波段红外探测器，该探测器包含：管座和带红外窗口的管帽构成中间充惰性气体的管壳，管座底有多个信号引出脚和一个抽气口，管帽外有一带汇聚透镜的套筒，管座内...
龚玮邱惠国靳秀芳章莲妹王继元
文献传递
带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器
本发明公开了一种带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器，该器件的特征是：在光敏元的二侧各有一个通过离子刻蚀至衬底的圆洞，圆洞内依次镀有铬金属层和黄金层，其总高度与光敏元的高度齐平。在黄金层上再依次镀上铟金属层和黄金层，该铟...
朱龙源王平刘诗嘉陈江峰靳秀芳龚海梅李向阳
文献传递
长线列红外探测器杜瓦组件的布线结构及其连接方法
本发明公开了一种长线列红外焦平面探测器微型杜瓦组件的布线结构及其连接方法，它适用于对拼接式长线列红外焦平面探测器芯片的杜瓦封装。长线列红外焦平面探测器微型杜瓦组件的布线结构包括长线列红外探测器芯片、杜瓦的冷平台、两种通用...
王小坤朱三根张亚妮曾智江吴家荣靳秀芳
文献传递
CdTe的溅射生长及其对n-HgCdTe光导器件的表面钝化
Ar<'+>束溅射沉积技术进行了CdTe介质膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对器件的性能分析结果表明：这里得到的cdTe／HgCdTe界面质量已经可以达到器件实用化水平。
周咏东方家熊靳秀芳王继元汤定元
关键词：CDTEHGCDTE
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共2页<12>
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