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韩临

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学微电子学研究院更多>>
发文基金:云南省省院省校科技合作计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇低功耗
  • 1篇低功耗设计
  • 1篇电压
  • 1篇读出
  • 1篇载流子
  • 1篇直流
  • 1篇直流电
  • 1篇直流电压
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子退化
  • 1篇界面态
  • 1篇晶体管
  • 1篇高压器件
  • 1篇功耗
  • 1篇功耗设计
  • 1篇ROIC
  • 1篇SOI高压器...
  • 1篇IR
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇韩临
  • 1篇刘丹
  • 1篇吉利久
  • 1篇何燕冬
  • 1篇张钢刚
  • 1篇鲁文高
  • 1篇赵宝瑛
  • 1篇陈中建

传媒

  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇红外

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
大规模IR ROIC中列读出级的低功耗设计
2007年
本文提出了一种大规模面阵型红外读出电路列读出级的低功耗设计.当读出频率为4MHz时,通过采用输出总线预置技术和stand-by低功耗策略,与主从两级放大的列读出级相比,功耗从8.16mW降低到了0.8mW,节省了大约90%的功耗.在输出总线预置的结构中,ROIC一共有四条输出总线,轮流驱动输出缓冲器进行读出.当一个输出总线被读出时,其他三条总线上的数据则在准备之中.当列选择信号到来时,输出总线上不再有大信号SR过程,而只有小信号的重新建立过程.因此在同等建立时间的条件下,可以减小CSA的带宽和功耗.
刘丹鲁文高陈中建韩临赵宝瑛吉利久
关键词:ROIC低功耗设计
SOI高压器件热载流子退化研究(英文)
2014年
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。
韩临何燕冬张钢刚
关键词:界面态热载流子退化
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