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赵宝瑛

作品数:19 被引量:23H指数:3
供职机构:北京大学信息科学技术学院微电子学系更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划云南省省院省校科技合作计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术核科学技术更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 8篇电路
  • 4篇低功耗
  • 4篇读出电路
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇功耗
  • 3篇英文
  • 3篇晶体管
  • 3篇红外
  • 3篇发射极
  • 3篇发射极晶体管
  • 3篇ROIC
  • 2篇电路设计
  • 2篇读出
  • 2篇多晶硅发射极
  • 2篇多晶硅发射极...
  • 2篇微悬臂梁
  • 2篇像素
  • 2篇面阵
  • 2篇进位链

机构

  • 19篇北京大学

作者

  • 19篇赵宝瑛
  • 11篇鲁文高
  • 11篇陈中建
  • 10篇吉利久
  • 5篇刘丹
  • 5篇张雅聪
  • 4篇张利春
  • 2篇曹君敏
  • 2篇金海岩
  • 2篇高玉芝
  • 2篇吴珂
  • 2篇宋颖
  • 2篇王源
  • 2篇甘学温
  • 1篇贾嵩
  • 1篇高峻
  • 1篇李宏义
  • 1篇莫邦燹
  • 1篇刘志
  • 1篇韩临

传媒

  • 7篇北京大学学报...
  • 5篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇红外
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2001
  • 2篇1996
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
超高速VLSI中多晶硅发射极晶体管串联电阻的测量
1996年
本文对目前流行的测量晶体管串联电阻的常规方法进行了理论分析和实验验证,结果表明,用常规方法测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的误差很大。这里提出了一套测量晶体管串联电阻的新方法。新方法克服了常规方法的困难,满足了测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的要求。
赵宝瑛何美华罗葵张利春
关键词:多晶硅发射极VLSI晶体管串联电阻
大规模IR ROIC中列读出级的低功耗设计
2007年
本文提出了一种大规模面阵型红外读出电路列读出级的低功耗设计.当读出频率为4MHz时,通过采用输出总线预置技术和stand-by低功耗策略,与主从两级放大的列读出级相比,功耗从8.16mW降低到了0.8mW,节省了大约90%的功耗.在输出总线预置的结构中,ROIC一共有四条输出总线,轮流驱动输出缓冲器进行读出.当一个输出总线被读出时,其他三条总线上的数据则在准备之中.当列选择信号到来时,输出总线上不再有大信号SR过程,而只有小信号的重新建立过程.因此在同等建立时间的条件下,可以减小CSA的带宽和功耗.
刘丹鲁文高陈中建韩临赵宝瑛吉利久
关键词:ROIC低功耗设计
具备时间延迟积分的高性能线阵288×4CMOS读出电路(英文)被引量:2
2004年
描述了一种高性能CMOS线阵 2 88× 4读出电路的设计。该读出电路是一个大规模混合信号电路 ,集成了时间延迟积分以提高信噪比 ,实现了缺陷像素剔除以提高阵列的可靠性。其他特征包括积分时间可调 ,多级增益 ,双向扫描 ,超采样 ,以及内建电测试。该芯片采用 1 2 μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺。测量得到的总功耗约为 2 4mW ,工作电压 5V。
高峻鲁文高刘菁唐矩崔文涛赵宝瑛陈中建吉利久
关键词:时间延迟积分读出电路
新型低功耗320×288 IR ROIC中列读出级的设计被引量:1
2007年
介绍了320×288红外(IR)读出电路(ROIC)中列读出级的低功耗设计。采用新型的主从两级放大的列读出结构和输出总线分割技术相结合。其中主放大器完成电荷到电压的转换,从放大器完成对输出总线的驱动来满足一定的读出速度,总线分割是把320列分组来减少输出总线上的负载电容。通过spice的仿真可以发现,与传统的列读出级相比,这种新型结构的功耗由原来的47mW降到了现在的6·74mW,节省了80%以上的功耗。
刘丹鲁文高陈中建吉利久赵宝瑛
关键词:低功耗
超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路被引量:4
2001年
报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2
张利春高玉芝金海岩倪学文莫邦燹宁宝俊罗葵叶红飞赵宝瑛张广勤
关键词:双层多晶硅发射极晶体管集成电路
Low Power Design Orienting 384×288 Snapshot Infrared Readout Integrated Circuits被引量:1
2008年
This paper presents a low power design for a 384 x 288 infrared (IR) readout integrated circuit (ROIC). For the character of IR detector ( ro ≈ 100kΩ, Iint ≈ 100nA), a novel pixel structure called quad-share buffered direct injection (QSBDI) is proposed and realized. In QSBDI,four neighbor pixels share one buffered amplifier,which creates high injection efficiency, a stable bias, good FPN performance, and low power usage. This ROIC also supports two integration modes (integration then readout and integration while readout), two selectable gains, and four window readout modes. A test 128 × 128 ROIC is designed,fabricated,and tested. The test results show that the ROIC has good linearity. The peak to peak variance of the sub array is about 10mV. The power of pixel stage is only lmW,and the total power dissipation is 37mW at a working frequency of 4MHz.
刘丹鲁文高陈中建吉利久赵宝瑛
关键词:WINDOWING
多晶/单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型
1996年
在考虑了多晶/单晶之间界面氧化层的基础上,本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型,用推导出的标志电荷存储机理的S因子详细分析了发射区渡越时间与多晶/单晶界面参数之间的关系,区分了支配RCA器件和HF器件发射区渡越时间的不同电荷存储机理,得到了有关获得高性能多晶硅发射区双极晶体管的结论.
马平西张利春赵宝瑛王阳元
关键词:发射区渡越时间多晶硅单晶硅
一种具有堆积抑制功能的半导体辐射探测器前端ASIC电路(英文)
2009年
提出了一种用于半导体辐射探测器读出的CMOS前端电路,该ASIC电路包含电荷灵敏放大器、跨导-电容型脉冲成形器、峰值检测/保持电路和甄别器,后两者结合一些逻辑电路实现了抑制脉冲成形器输出波形尾缘堆积的功能。该电路采用0.5μm、双硅三铝CMOS标准工艺设计,其核心模块电荷灵敏放大器和成形器经过了流片测试。仿真和测试结果验证了该电路的功能。
张雅聪陈中建鲁文高吉利久赵宝瑛
关键词:辐射探测器前端电路
一种改进的CCS-CSS加法器电路
本文介绍了一种改进的加法器CCS进位链电路,并与没有进行改进的传统的CCS进位链电路进行比较.对这两种电路结构在同样的条件下用SPICE模拟,实验结果证明:4-bit加法器单元的进位传输延迟时间缩短了34.39﹪,并且第...
吴珂甘学温赵宝瑛
关键词:电路结构进位链
文献传递
对加法器CCS进位链的改进被引量:2
2006年
介绍了一种对加法器CCS进位链的改进电路,并与没有进行改进的传统的CCS进位链电路进行比较。对这两种电路结构在同样的条件下用SPICE模拟。从实验结果中可以看到,4-bit的加法器单元的进位传输延迟时间缩短了34.39%,并且第4位和的传输延迟时间缩短了33.95%。
吴珂甘学温赵宝瑛
关键词:进位链加法器CCSCSS
共2页<12>
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