您的位置： 专家智库 > >

高宏玲

作品数：9 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 5篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇二维电子
  • 4篇二维电子气
  • 4篇IN0
  • 2篇输运
  • 2篇INALAS
  • 2篇GAAS
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇多层结构
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓衬底
  • 1篇输运特性
  • 1篇填充因子
  • 1篇气系统
  • 1篇迁移率
  • 1篇子带
  • 1篇外延层
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格常数
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶体管材料

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇广西大学

作者

  • 9篇高宏玲
  • 7篇曾一平
  • 6篇商丽燕
  • 6篇李东临
  • 6篇周文政
  • 5篇林铁
  • 5篇郭少令
  • 5篇崔利杰
  • 5篇褚君浩
  • 3篇朱战平
  • 3篇王宝强
  • 3篇黄志明
  • 2篇段瑞飞
  • 2篇桂永胜
  • 1篇俞国林
  • 1篇李成基
  • 1篇朱博

传媒

  • 6篇物理学报
  • 1篇Journa...

年份

  • 5篇2008
  • 4篇2007
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
两个子带占据的In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中填充因子的变化规律被引量：1
2008年
研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE21=kωc(其中k为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE21=(2k+1)ωc/2,填充因子出现奇数.
商丽燕林铁周文政郭少令李东临高宏玲崔利杰曾一平褚君浩
关键词：填充因子磁输运
In0．53 Ga0．47As／In0．52Al0．48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性
2008年
研究了不同沟道厚度的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关.
商丽燕林铁周文政黄志明李东临高宏玲崔利杰曾一平郭少令褚君浩
关键词：二维电子气
InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究
2007年
研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运.因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果.由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能Δ0和自旋轨道耦合常数α两个重要的物理参数.该结果与对纵向电阻的Shubnikov-deHaas—SdH振荡分析获得的结果一致.高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.
周文政林铁商丽燕黄志明崔利杰李东临高宏玲曾一平郭少令桂永胜褚君浩
双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究被引量：1
2007年
研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrdinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.
周文政林铁商丽燕黄志明朱博崔利杰高宏玲李东临郭少令桂永胜褚君浩
关键词：二维电子气
In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应
2008年
在低温强磁场条件下,对In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的散射引起的.
商丽燕林铁周文政李东临高宏玲曾一平郭少令俞国林褚君浩
关键词：二维电子气
GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料生长与器件制作
GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT，结合了GaAs衬底和InP基HEMT各自的优点，成为超高频、超高速微电子器件产业化研究领域中研究开发的新热点。本论文利用分子束外延(MBE)的实验方法，结合理论和测试...
高宏玲
砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法
一种砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一砷化镓衬底；步骤2：将砷化镓衬底进行脱氧处理；步骤3：在砷化镓衬底上生长砷化镓缓冲层，以获得平整的表面；步骤4：在低温范围内生长一铟铝砷缓...
高宏玲曾一平段瑞飞王宝强朱战平崔利杰
文献传递
MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层被引量：1
2007年
研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.
高宏玲王宝强朱战平李成基段瑞飞曾一平
关键词：MBE
不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究被引量：1
2007年
用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4K下不同量子阱宽度(10-35nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现,在Si掺杂浓度一定时,阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大,但是随着阱宽的增加,阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带,且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20nm时,处在第二子能级上的电子数与处在第一子能级上的电子数之比达到了最大值0.24.此时有最多的电子位于迁移率高的第二子能级,材料的迁移率也最大.此结果对于优化器件的设计有重要意义.
高宏玲李东临周文政商丽燕王宝强朱战平曾一平
关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0