黄波
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自然科学总论一般工业技术更多>>
- 深能级瞬态谱技术被引量：3
- 1985年
- 深能级,是指半导体中远离导带底或价带顶的杂质能级或缺陷能级.深能级的存在对半导体的电学、热学和光学性质有很大影响.有很多半导体器件,其性能直接与深能级的存在有关.如发光二极管的发光颜色和亮度,开关晶体管的开关速度,CCD器件的电荷转移效率等都受到深能级杂质的类别和浓度的影响.因此,检测和研究半导体中的深能级,在理论上和器件生产上都有重要意义.
- 黄波
- 关键词：深能级瞬态谱轻子空间电荷区能级DLTS
- 用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级
- 1989年
- 本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论.
- 彭星国黄波
- 关键词：深能级瞬态谱
- Au—Si界面的室温反应
- 1990年
- 利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有结果表明,与Au—Si(111)和Au～Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度～5ML。从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特征。根据实验结果,讨论了Au—Si界面室反应的可能模型。
- 黄波张敬平邢益荣
- 关键词：室温反应AUSI夹层结构电荷迁移半导体表面
- YBa_2Cu_3O_(6+ε)正交非超导相到正交超导相的转变
- 1992年
- 在缺氧情况下,烧结出的氧化物YBa_2Cu_3O_(6+ε)样品,经X射线衍射分析为正交相,但在液氮温区没有超导电性.把原样品放在氧气氛下进行热处理,可转变为高Tc正交超导导相.我们认为,这是因为在热处理过程中样品吸收了氧,使得Cu(1)-O(1)链上氧的占据率增加所致.
- 廖秉良黎夏生熊予莹黄波杨世琪
- 关键词：超导相氧化物超导体
- 全文增补中
