张敬平
- 作品数：12 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成
- 1990年
- 用AES,X-射线衍射和RBS等方法分析研究了热反应与离子束混合La,Ce及Nd稀土金属膜和硅反应生成硅化物的物理过程。实验表明:不同的生成条件如热反应温度或离子束混合的剂量能生成富金属硅化物,单硅化物和二硅化物,但最终稳定相都是二硅化物LaSi_2,CeSi_2和NdSi_2。氧的沾污不但影响生成的硅化物相和质量,甚至阻止硅化物的生成。镀膜时的衬底温度和防止氧化的保护层对硅化物薄膜的质量,平整度,均匀性等都有明显的影响。
- 牟善明王佑祥殷士端张敬平刘家瑞
- 关键词：稀土金属硅化物热反应离子束
- 离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
- 1990年
- 本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。
- 肖光明殷士端张敬平范缇文刘家瑞丁爱菊周均铭朱沛然
- 关键词：离子注入退火GAAS/SI晶体
- 锗离子注入硅单晶的非晶化及二次缺陷的研究
- 1993年
- 本文用卢瑟福背散射(RBS),横断面透射电子显微镜(XTEM)及微区电子衍射技术研究了锗离子注入硅单晶中的非晶化及二次缺陷的特性。离子注入能量为400keV,剂量范围为1×100^(13)至1×10^(15)/cm^2,离子束流强度为0.046μA/cm^2,注入温度为室温。实验发现,在本工作的离子注入条件下,入射锗离子使硅单晶表面注入层开始非晶化的起始剂量大于0.6×10^(14)/cm^2。形成一个完整匀质表面非晶层所需的临界剂量为1×10^(15)/cm^2。热退火后产生的二次缺陷特性极大地受到退火前样品注入层非晶化程度的影响。
- 范缇文张敬平P.L.F.Hemment
- 关键词：单晶硅非晶化离子注入
- 用于自对准硅化物的两步快速热处理技术研究
- 林惠旺钱佩信张敬平
- 关键词：硅化物自对准MOS集成电路离子注入超大规模集成电路
- InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应
- 1989年
- 用5.8,3.0和1.2MeV的Li离子对用MBE制备的In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs(100)异质结在(100)面中沿[100]及[110]轴进行角扫描。5.8MeV时,[110]轴外延层与衬底沟道对准角的差值为0.90°,从而计算出其晶格失配度为1.62％。3.0MeV时,背散射角扫描谱出现了严重的不对称现象。若离子以1.2MeV入射,沟道对准角的差值及衬底沟道的半角宽大大地偏离实际值。本文对以上反常现象从物理机理上进行了分析,给出了这些反常离子沟道效应产生的原因和条件。
- 吴春武殷士端张敬平肖光明刘家瑞朱沛然
- 关键词：沟道效应
- Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究
- 1992年
- 利用低能电子衍射(LEED)研究了离子轰击加退火处理的和淀积外延的两种Si(113)表面的原子结构。发现对于经750—800℃退火后的两种Si(113)表面,当其温度高于600℃时存在1×1非再构表面相。随着样品温度缓慢地冷却至室温,Si(113)-1×1表面经过3×1(约600—400℃)最后转变为3×2再构。当退火温度为600℃时,则只出现3×1再构,室温下的3×2和3×1表面都是很稳定的。讨论了表面杂质对Si(113)表面原子结构的影响。在衬底温度为580℃的Si(113)表面上进行淀积生长,当外延层厚度约为20个原子单层时,未经退火处理的表面仍显示为清晰的3×1结构。从而证明,利用Si(113)作为衬底进行外延,可获得很完整的表面。
- 邢益荣吴汲安张敬平刘赤子王昌衡
- 关键词：硅电子衍射原子结构低能
- Si(113)表面电子结构的研究
- 1989年
- 采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验.
- 张瑞勤王家俭戴国才吴汲安张敬平邢益荣
- 关键词：硅电子结构
- Au—Si界面的室温反应
- 1990年
- 利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有结果表明,与Au—Si(111)和Au～Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度～5ML。从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特征。根据实验结果,讨论了Au—Si界面室反应的可能模型。
- 黄波张敬平邢益荣
- 关键词：室温反应AUSI夹层结构电荷迁移半导体表面
- Si_（0．5）Ge_（0．5）合金的热氧化物的研究
- 1995年
- 利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征．结果表明：这种氧化物为双层结构．靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排斥并堆积在ＳｉＯｘ／Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５界面附近．在本实验条件下，（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ层的厚度约为２５００Ａ，它的形成时间不足５分种．当氧化的时间延长时，ＳｉＯｘ的厚度随之增加，但（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ的厚度几乎不变．还发现：在这些氧化物中，Ｓｉ２ｐ和Ｇｅ３ｄ芯能级的化学位移比在单晶Ｓｉ和Ｇｅ上生长的ＳｉＯｘ和ＧｅＯ２中相应的值明显增大。
- 邢益荣崔玉德殷士端张敬平李侠朱沛然徐田冰
- 关键词：半导体材料硅锗合金
- Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火被引量：2
- 1989年
- 本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先后形成Pt_3Si和Pt_2Si相.对Ir/Si系,Q_(s1)与Φ则是线性关系:Q_(s1)=aΦ+b,未测到化学相.实验表明:离子束混合能大大增强金属和硅化物的化学反应.在离子混合和退火形成硅化物的过程中,注入杂质As的分布有显著变化.
- 吴春武殷士端张敬平范缇文刘家瑞朱沛然
- 关键词：离子注入硅化物
