任慧志
- 作品数：112 被引量：155H指数：8
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- VHF-PECVD辉光功率对a-Si:H材料晶化率的影响
- 通常采用氢稀释方法调节非晶硅薄膜的晶化率.本文针对用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法生长非晶硅薄膜材料中,辉光功率对a-Si:H材料的晶化率的影响进行了研究.我们发现在一定氢稀释下非晶硅薄膜材料晶...
- 耿新华麦耀华黄维海孙建侯国付薛俊明任慧志张的坤
- 关键词：晶化率光敏性化学气相沉积非晶硅薄膜
- 文献传递
- 一种氧化硅/宽带隙多晶硅合金钝化接触结构及其在线连续制备方法
- 本发明公开了一种用于提高晶体硅太阳电池性能的氧化硅/宽带隙多晶硅合金钝化接触结构及其在线连续制备方法。该钝化接触结构包括一层具有钝化功能的超薄隧穿氧化硅层，以及具有场钝化功能的宽带隙多晶硅合金层。其具体制备过程为：1）将...
- 侯国付周佳凯任慧志张晓丹赵颖
- 文献传递
- 一种减反射膜的制备方法及叠层太阳电池
- 一种减反射膜的制备方法及叠层太阳电池。所述减反射膜的制备包括：在衬底上制备绒度结构；在绒度结构表面均匀涂布一层固化胶；对固化胶进行固化处理；将绒度结构衬底与固化胶分离，得到具有绒度结构的减反射膜。该减反射膜可用于叠层太阳...
- 张晓丹韩灿侯福华魏长春任慧志李跃龙黄茜陈新亮侯国付张德坤许盛之王广才丁毅徐文涛罗景山赵颖
- 文献传递
- 一种生长氢化Ga-Ti共掺ZnO-TCO薄膜及应用
- 一种生长氢化Ga-Ti共掺ZnO-TCO薄膜，利用磁控溅射镀膜技术制备，具体方法是：用陶瓷靶ZnO:Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>作为靶材原料，基片为玻璃衬底，溅射...
- 陈新亮赵颖张晓丹黄茜任慧志张德坤魏长春耿新华
- 文献传递
- 气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究被引量：14
- 2004年
- 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性 ;
- 张晓丹朱锋赵颖侯国付魏长春孙建张德坤任慧志薛俊明耿新华熊绍珍
- 关键词：VHF-PECVD气压太阳能电池
- 大面积非晶硅/微晶硅叠层太阳电池组件中试生产技术研发
- 赵颖张晓丹任慧志魏长春葛洪许盛之张德坤王宗畔孙建侯国付张建军陈新亮耿新华王广才熊绍珍黄茜
- 1、针对平行板电极VHF-PECVD反应室，建立了准平面二维电路模型，应用该模型实现功率馈入点数量及位置的优化计算；应用HFSS三维电磁场仿真软件，通过对大面积VHF-PECVD反应室电磁场进行仿真计算，提出采用刻槽式电...
- 关键词：
- 关键词：太阳电池组件生产线
- 一种具有微/纳米复合陷光结构的晶硅太阳电池载流子选择性传输层及其制备方法
- 本发明公开了一种具有微/纳米复合陷光结构的晶硅太阳电池载流子选择性传输层及其制备方法。该微/纳米复合陷光结构载流子选择性传输层包括微米尺寸绒面晶硅和一层具有纳米尺寸绒面载流子选择性传输材料。其具体制备过程为：1）对晶硅硅...
- 侯国付徐知源任慧志张晓丹赵颖
- 高速沉积高效非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池及组件
- 耿新华张晓丹侯国付魏长春陈新亮赵颖张建军张德坤孙建任慧志王广才许盛之熊绍珍王宗畔黄茜
- 1.提出气体滞留时间是提高高速沉积微晶硅材料质量的关键因素，实验获得调控气体滞留时间简单有效的方法是调节反应气体流量。实验和理论相结合获得微晶硅薄膜沉积速率在1.0nm/s以上时，气体在腔室中的滞留时间最高不能超过0.0...
- 关键词：
- 关键词：薄膜太阳电池
- 可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室背馈入式平行板功率电极
- 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室背馈入式平行板功率电极，包括平行板功率电极板和功率馈入连接端口，其特征在于所述功率馈入连接端口位于功率电极板的背面，功率电极板的正面与衬底S相对。本发明利用电...
- 赵颖张晓丹葛洪任慧志薛俊明许盛之张建军魏长春侯国付耿新华熊绍珍
- 文献传递
- 钙钛矿/硅叠层太阳电池中平面a-Si:H/c-Si异质结底电池的钝化优化及性能提高被引量：2
- 2019年
- 最近,旋涂法制备的钙钛矿/平面硅异质结高效叠层太阳电池引起人们广泛关注,主要原因是相比于绒面硅衬底制备的钙钛矿/硅叠层太阳电池,其制备工艺简单、制备成本低且效率高.对于平面a-Si:H/c-Si异质结电池, a-Si:H/c-Si界面的良好钝化是获得高转换效率的关键,进而决定了钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的性能.本文主要从硅片表面处理、a-Si:H钝化层和P型发射极等方面展开研究,通过对硅片表面的氢氟酸(HF)浸泡时间和氢等离子体预处理气体流量、a-Si:H钝化层沉积参数、钝化层与P型发射极(I/P)界面富氢等离子体处理的综合调控,获得了相应的优化工艺参数.对比研究了p-a-Si:H和p-nc-Si:H两种缓冲层材料对I/P界面的影响,其中高电导、宽带隙的p-nc-Si:H缓冲层既能够降低I/P界面的缺陷态,又可以增强P型发射层的暗电导率,提高了前表面场效应钝化效果.通过上述优化,制备出最佳的P-type emitter layer/aSi:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/N-type layer (inip)结构样品的少子寿命与implied-Voc分别达到2855μs和709 mV,表现出良好的钝化效果.应用于平面a-Si:H/c-Si异质结太阳电池,转换效率达到18.76%,其中开路电压达到681.5 mV,相对于未优化的电池提升了34.3 mV.将上述平面a-Si:H/c-Si异质结太阳电池作为底电池,对应的钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的开路电压达到1780 mV,转换效率达到21.24%,证明了上述工艺优化能够有效地改善叠层太阳电池中的硅异质结底电池的钝化及电池性能.
- 陈俊帆任慧志侯福华周忠信任千尚张德坤张德坤张晓丹魏长春赵颖
- 关键词：少子寿命
