何阿玲
- 作品数：8 被引量：32H指数：4
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 纳米晶体的电子结构与磁性的第一性原理研究
- 自旋电子学是一个新的领域,使得人们可以将半导体的电子,光学和磁学性质结合起来利用,而这些结合在原来的物理学中是不可能的,利用这些半导体的自旋特性(电子和空穴)可以实现一些新的功能,例如自旋基的信息存储,数据处理,自旋极化...
- 何阿玲
- 关键词：稀磁半导体电子结构
- Mg掺杂CuAlO_2电子结构的第一性原理研究被引量：5
- 2010年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了CuAlO_2晶体电子结构以及替位Mg杂质的特性.结果表明,Mg替代Al原子时形成受主杂质能级,而替代Cu原子时形成施主杂质能级;同时也计算了它们的形成能,发现前者是吸热反应,而后者是放热反应.另外,比较Mg替代Al与Mg替代Cu掺杂前后计算结果,发现前者费米能级变化不是很明显;而后者掺杂后费米能级明显向导带底移动.研究表明掺杂可改变CuAlO_2的导电类型和电导强弱,此结果对实验具有很好的参考价值.
- 何阿玲王新强刘高斌冯庆杨媛媛
- 关键词：电子结构形成能
- Mg掺杂CuAlO2电子结构的第一性原理研究
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了CuAlO2晶体电子结构以及替位mg杂质的特性。结果表明,Mg替代Al原子时形成受主杂质能级,而替代Cu原子时形成施主杂质能级；同时也计算了它们的形成能,发现前者是吸热反应,而...
- 何阿玲王新强刘高斌冯庆杨嫒嫒
- 关键词：电子结构形成能
- 基于第一性原理的Mn-AlN和Cr-AlN的半金属性质被引量：3
- 2010年
- 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下研究了纤锌矿Mn-AlN和Cr-AlN的能带结构、态密度与磁学等性质.结果表明,Mn-AlN和Cr-AlN的半金属能隙都随着杂质浓度的增大而减小.原因可能是随着Mn/Cr掺杂浓度的增大,杂质原子间相互作用增强,Mn/Cr 3d与N 2p杂化减弱,使得自旋交换劈裂变小,从而半金属能隙变窄.在同等掺杂浓度下,Mn-AlN比Cr-AlN的半金属能隙大.这是因为Mn 3d态能级比Cr 3d态能级低,Mn 3d与N 2p杂化更强,导致自旋交换劈裂更大,自旋向下子带的导带底相对远离费米能级,因此Mn-AlN的半金属能隙较大.
- 樊玉勤何阿玲
- 关键词：ALN过渡金属掺杂半金属态密度
- Ⅱ-Ⅵ族化合物中原子间两体及三体相互作用势的理论研究被引量：2
- 2007年
- 采用基于密度泛函理论和Hartree-Fork的第一性原理方法,计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物中原子间的两体及三体相互作用势,分析了基组及计算方法的选择对计算结果的影响。采用Lennard-Jones、Born-Mayer和Morse势函数对两体相互作用势进行拟合,得到相应的拟合参数及误差值,结果表明普遍应用于共价分子的Morse势也同样适用于Ⅱ-Ⅵ族原子二聚体。考虑到多体相互作用势必须考虑角度因素,采用Stilling-Weber势函数对三体势进行了拟合研究,结果亦较为理想。
- 杨媛媛王新强何阿玲
- 关键词：第一性原理
- 纤锌矿结构AlInN电子及光学性质的第一性原理研究被引量：7
- 2011年
- 本文通过基于密度泛函理论的第一性原理,研究了纤锌矿结构Al_(1-x)In_xN在不同In浓度下的稳固结构,以及电子和光学性质的变化规律.研究表明,AlInN不同In浓度的晶格结构都很稳定,说明AlInN的兼容性很好.晶格常数随In浓度的增大不断增大,而混晶的带隙则不断减小.并且随In浓度的增大,混晶在紫外光区的吸收系数、反射系数及折射率增大,吸收边、吸收峰和反射峰红移,且这两个峰的峰值减小.AlInN的吸收、反射和折射率曲线在Eg处出现峰值行为,此Eg处的峰值大小随In浓度的增加而增大.当In浓度达到87.5%时,混晶AlInN在紫外光区的吸收、反射和折射能力均达到最强,表明此时的掺杂效果最好.
- 高婷婷王新强邝向军何阿玲
- 关键词：ALINN电子结构光学性质
- 贵金属(Cu、Ag、Au)掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：9
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论的总体能量平面波超软赝势方法,对贵金属(Cu、Ag、Au)掺杂ZnO进行了几何结构优化,并计算了相应的能带结构、受主能级、形成能、电子态密度和光学性质.结果表明:贵金属掺杂后带隙减小且体系费米能级附近电子态密度主要来源于Cu3d、Ag4d和Au5d态电子的贡献.与未掺杂ZnO相比,介电函数虚部、反射峰强度和吸收系数在可见光和紫外区域增强.能量损失谱计算表明,贵金属(Cu、Ag、Au)掺杂后ZnO的等离子体共振频率峰发生蓝移.
- 段壮芬王新强何阿玲程志梅
- 关键词：贵金属态密度光学性质
- 电子束蒸发制备CuAlO_2透明导电膜及光学性质被引量：6
- 2007年
- 利用烧结的CuAlO2靶材运用电子束蒸发法沉积了p型CuAlO2薄膜样品。在空气中1000℃退火之后,薄膜样品出现了(006)定向结晶,且铜铝原子比满足化学计量。CuAlO2薄膜呈现了很好的透明性,500nm厚的薄膜样品在可见光范围透射率超过了80%。利用光谱分析,CuAlO2薄膜的光学禁带约为3.80eV,其平均折射率约为1.54,同其它方法制备的该薄膜的性能相近。薄膜样品室温电导率约为0.08S/cm。
- 刘高斌王新强冯庆何阿玲马勇赵兴强杨晓红
- 关键词：透明导电膜P型电子束蒸发
