佟丽英
- 作品数：31 被引量：33H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>
- N/P+型扩散技术研究
- 微机电系统MEMS(MicroElectroMechanicalSystem)是将微电子技术与传统的传感器技术相结合产生的,它是具有微传感器、微处理器、微执行器等智能的微型机械系统,将有广泛的使用前途.本文介绍N/P+型...
- 佟丽英王聪
- 关键词：微机电系统扩散层
- 文献传递
- 直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变被引量：1
- 2016年
- 直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后,腐蚀显示出氧化诱生缺陷,包括漩涡缺陷和氧化层错(oxidation induced stacking faults,OISF),其形状和分布与单晶生长过程中形成的微缺陷有一定的对应关系。文章通过试验显示出漩涡缺陷的内部特征及OISF的密度变化,推测出其对器件性能产生的影响,并确定控制单晶质量的特征参数。
- 佟丽英高丹
- 关键词：微缺陷
- 一种锗单晶片位错腐蚀检测方法
- 本发明公开了一种锗单晶片位错腐蚀检测方法，包括以下步骤：将经过抛光的锗单晶片放入由氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液混合的位错腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀结束后，检测其位错密度。本发明对锗单晶片进行位错检测，可以直接对单晶的切割片、研...
- 佟丽英赵权史继祥王聪李亚光
- 文献传递
- APCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究
- 2019年
- 背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象。讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O2与SiH4比例等关系,分析了膜厚均匀性的影响因素和膜表面质量,提出了SiO2膜淀积的工艺条件及背封前清洗方法。
- 高丹康洪亮徐强佟丽英
- 关键词：APCVDSIO2膜
- APCVD制备SiOx薄膜工艺研究被引量：1
- 2020年
- 简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或浓度的增加,薄膜厚度增加;SiOx的膜厚与化学输入不成正比;最大沉积厚度的O2∶SiH4比与硅烷流量无关;薄膜厚度随带速的增加而减小,薄膜厚度与带速并不成正比,相同工艺温度和硅烷输入下薄膜厚度与带速的乘积是一个常数。
- 云娜康洪亮高丹佟丽英
- 关键词：常压化学气相沉积硅烷膜厚沉积温度
- 硼扩散技术研究被引量：1
- 2011年
- 对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。
- 王春梅佟丽英史继祥王聪
- 关键词：硼
- 一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法
- 本发明公开了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液和腐蚀方法，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。本发明还提供了磷化铟单晶片的化学腐蚀方法，...
- 林健赵权刘春香吕菲杨洪星于妍佟丽英
- 文献传递
- n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制被引量：1
- 2004年
- 通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响。采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有效提高硅单晶径向电阻率均匀性。
- 张继荣殷海丰佟丽英刘锋赵光军
- 关键词：电阻率均匀性
- 一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法
- 本发明涉及一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法。第一步：从预用单晶棒的头尾切取硅片,加工成抛光片；第二步：模拟键合工艺的热过程，将硅片在400℃～600℃条件下进炉热处理3～5小时后取出；第三步：深度化学腐蚀，腐蚀时间为4...
- 高丹佟丽英杨洪星陈晨高孟
- 文献传递
- 硼扩散片弯曲度的控制技术研究
- 2010年
- 对硼扩散片弯曲度的控制技术进行了研究。结果发现单面扩散后硅片的弯曲度比双面扩散的弯曲度大,晶锭加工之前的热处理工艺有助于弯曲度的改善。在单面减薄后对硅片进行碱处理工艺,进一步改善了扩散片的弯曲度。通过对硅单晶进行热处理、以及对硅扩散片进行碱处理等一系列措施,使扩散片的弯曲度有了较大幅度的改善。
- 王春梅佟丽英史继祥王聪
- 关键词：硼扩散硅片
