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文献类型

  • 4篇期刊文章
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领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇扩散
  • 2篇
  • 1篇单晶
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓单晶
  • 1篇硼扩散
  • 1篇染色
  • 1篇染色液
  • 1篇微机电系统
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  • 1篇扩散层
  • 1篇机电系统
  • 1篇硅片
  • 1篇AL
  • 1篇GAAS单晶
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  • 1篇电系统

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇王聪
  • 5篇佟丽英
  • 4篇史继祥
  • 3篇王春梅
  • 1篇杨春明
  • 1篇赵权
  • 1篇李亚光

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇电子工业专用...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
硼扩散技术研究被引量:1
2011年
对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。
王春梅佟丽英史继祥王聪
关键词:
硼扩散片弯曲度的控制技术研究
2010年
对硼扩散片弯曲度的控制技术进行了研究。结果发现单面扩散后硅片的弯曲度比双面扩散的弯曲度大,晶锭加工之前的热处理工艺有助于弯曲度的改善。在单面减薄后对硅片进行碱处理工艺,进一步改善了扩散片的弯曲度。通过对硅单晶进行热处理、以及对硅扩散片进行碱处理等一系列措施,使扩散片的弯曲度有了较大幅度的改善。
王春梅佟丽英史继祥王聪
关键词:扩散硅片
〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定被引量:1
2008年
在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照,共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置。单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性。
佟丽英杨春明王春梅史继祥王聪
关键词:砷化镓单晶
N/P+型扩散技术研究
微机电系统MEMS(MicroElectroMechanicalSystem)是将微电子技术与传统的传感器技术相结合产生的,它是具有微传感器、微处理器、微执行器等智能的微型机械系统,将有广泛的使用前途.本文介绍N/P+型...
佟丽英王聪
关键词:微机电系统扩散层
文献传递
化学染色法测量B,Al及P扩散结深被引量:6
2009年
采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。
佟丽英赵权史继祥王聪李亚光
关键词:染色液
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