刘丰珍
- 作品数：47 被引量：106H指数：6
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- 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性的分析
- 本文采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间和有无i层条件下的异质结的室温暗I-V特性和相应的电池性能参数.采用双二极管模型拟合了正向暗I-V特性,表明...
- 张群芳崔介东刘丰珍朱美芳
- 关键词：纳米硅暗电流电压特性太阳电池电池性能
- 文献传递
- 硅异质结太阳电池界面处理关键工艺的研究
- 硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能.本文采用简化的RCA 清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理；采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结；通过光...
- 王楠曹勇周玉琴刘丰珍
- 关键词：钝化处理退火处理
- 非晶硅/晶体硅异质结电池的模拟计算
- a-Si/c-Si异质结太阳电池由于结合了非晶硅低温、低成本的工艺制备过程和晶体硅稳定高效的优异特性,正在受到当今光伏产业越来越多的重视.作为界面器件,晶体硅与非晶硅界面处由于晶格失配、悬挂键、能带不连续等造成界面缺陷态...
- 崔介东刘丰珍张群芳
- 关键词：异质结太阳电池缓冲层模拟计算电池性能
- 文献传递
- 不同碱液单晶硅表面织构的初步研究(英文)被引量：2
- 2008年
- 分别以氢氧化钠(NaOH)、碳酸钠(Na2CO3)和磷酸钠(Na3PO4.12H2O)作为刻蚀剂,研究刻蚀浓度、温度(θ)、刻蚀时间(te)和添加剂(异丙醇(IPA)、碳酸氢钠(NaHCO3))对晶体硅表面织构化的影响,用场发射扫描电子显微镜表征织构效果.通过优化工艺,可得到较低的平均表面反射率(Rav),按使用的刻蚀剂分别为:9.70%(NaOH)、9.76%(Na2CO3)和8.63%(Na3PO4.12H2O).据此分析了Rav和织构表面形貌之间的关系.发现添加剂IPA在Na3PO4.12H2O或Na2CO3与NaOH 3种刻蚀剂溶液中均可明显起改善织构效果.NaHCO3在某些方面具有与IPA的相同作用,同时又能促进大金字塔的形成.文中同时初步提出有关刻蚀过程的机理.
- 豆玉华周玉琴朱美芳宋爽刘丰珍刘金龙张占军
- 关键词：单晶硅织构碱液反射率表面形貌
- 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构被引量：6
- 2005年
- 采用x射线小角散射 (SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积 (rf PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积 (PE HWCVD)技术制备的微晶硅 (μc Si:H)薄膜的微结构 .实验发现 ,在相同晶态比的情况下 ,PECVD沉积的 μc Si:H薄膜微空洞体积比小 ,结构较致密 ,HWCVD沉积的 μ Si:H薄膜微空洞体积比大 ,结构较为疏松 ,PE HWCVD沉积的 μc Si:H薄膜 ,由于等离子体的敲打作用 ,与HWCVD样品相比 ,微结构得到明显改善 .采用HWCVD二步法和PE HWCVD加适量Ar离子分别沉积 μc Si:H薄膜 ,实验表明 ,微结构参数得到了进一步改善 .4 5°倾角的SAXS测量显示 ,不同方法制备的 μc Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性 .红外光谱测量也证实了SAXS的结果 .
- 周炳卿刘丰珍朱美芳谷锦华周玉琴刘金龙董宝中李国华丁琨
- 关键词：微晶硅薄膜微结构
- H 在硅薄膜形貌演化中的作用
- 热丝化学气相沉积技术,在气流入射角度分别为0°和45°下,制备了硅薄膜,研究了氢稀释度(RH=H2/(H2+SiH4))对薄膜表面形貌的影响.垂直入射制备的硅薄膜,薄膜厚度较小时近似表现为自仿射表面,...
- 张海龙刘丰珍朱美芳
- 关键词：硅薄膜
- 微晶硅薄膜的低温制备
- ＜正＞微晶硅薄膜由于高吸收系数、稳定性等优点在薄膜太阳电池和薄膜晶体管等大面积电子学方面有明确的应用,玻璃衬底低温工艺的研究对实现大面积沉积和降低成本有着重要的意义.采用热丝CVD（HWCVD）、PECVD和热丝助PEC...
- 朱美芳冯勇刘丰珍刘金龙韩一琴
- 文献传递
- 射频PECVD高速沉积优质微晶硅薄膜
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术高速沉积优质微晶硅（μc-Si:H）薄膜。在等离子区屏蔽条件下,研究了沉积气压、射频功率、氢稀释度和电极间距等参数对μc-Si:H薄膜的沉积速率和电学性质的影响。通...
- 周炳卿朱美芳刘丰珍刘金龙谷锦华
- 关键词：PECVD微晶硅薄膜
- 等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜被引量：15
- 2003年
- 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜 ,通过 Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质 .结果表明 ,与单纯的热丝和等离子体技术相比 ,等离子体 -热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性 .Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成 .
- 刘丰珍朱美芳冯勇刘金龙汪六九韩一琴
- 关键词：多晶硅薄膜光学性质
- HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜
- 2016年
- 采用热丝化学气相沉积（HWCVD）技术在低温条件下（100℃）制备超薄（-30 nm）的硼掺杂硅薄膜。系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响。当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低。实验证实,当RH=55-70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区。快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率。在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜。
- 郭宇坤周玉荣陈瑱怡马宁刘丰珍
- 关键词：热丝化学气相沉积硅薄膜硼掺杂电学性能
