周玉琴
- 作品数：18 被引量：55H指数：4
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- 低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究
- 为了研究微晶硅薄膜的生长机制,本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)制备一系列不同生长阶段的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,用原子力显微镜(AFM),系统地研究表面形貌的演化.通过分形理论分析均方根表面粗糙度δ与薄膜厚度d...
- 谷锦华周玉琴朱美芳周炳卿刘丰珍刘金龙张群芳
- 关键词：表面形貌微晶硅薄膜热丝化学气相沉积
- 文献传递
- 高效薄膜硅/单晶硅太阳能电池
- 本文简单综述目前国内外对薄膜硅/单晶硅异质结电池的进展.着重介绍纳米晶硅/晶体硅异质结电池的界面钝化.本征缓冲层结构对太阳能电池的光伏特性的影响,HPTEM表明在高氢稀释条件下实现低温(250℃)硅薄膜的外延生长.优化各...
- 朱美芳张群芳刘丰珍周玉琴刘金龙
- 关键词：异质结太阳能电池硅薄膜热丝化学气相沉积光伏特性
- 文献传递
- 硅异质结电池界面处理关键工艺的研究被引量：7
- 2013年
- 薄膜硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能。本文采用简化的RCA清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理;采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结;通过光发射谱(OES)研究了PECVD在不同的匹配速度下起辉基元浓度随时间的变化,证实了基元浓度的不稳定对电池界面性质有一定的影响;分析了退火工艺对异质结的界面特性的影响,在10-4Pa量级的背景真空和200℃下进行退火,可显著提高电池开路电压VOC和填充因子FF。本文结果表明:硅片前期处理的氧化膜保护工艺及后退火处理,皆可明显地改善HIT电池的界面性质、提高电池的转换效率。
- 王楠张瑜周玉琴
- 关键词：钝化处理退火处理
- TMAH织构在硅异质结太阳电池中的应用
- 在硅异质结太阳电池的制绒工艺中，引入一种新型的有机刻蚀剂——四甲基氢氧化铵(TMAH)来取代常规的无机碱性刻蚀剂，其优点在于在织构过程中不会额外地引入影响器件性能的有害金属离子(如K+，Na+)，有利于提高太阳电池的转换...
- 周玉琴武春波蒋振宇朱美芳刘丰珍
- 关键词：太阳能电池
- 文献传递
- 硅异质结太阳电池界面处理关键工艺的研究
- 硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能.本文采用简化的RCA 清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理；采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结；通过光...
- 王楠曹勇周玉琴刘丰珍
- 关键词：钝化处理退火处理
- 不同碱液单晶硅表面织构的初步研究(英文)被引量：2
- 2008年
- 分别以氢氧化钠(NaOH)、碳酸钠(Na2CO3)和磷酸钠(Na3PO4.12H2O)作为刻蚀剂,研究刻蚀浓度、温度(θ)、刻蚀时间(te)和添加剂(异丙醇(IPA)、碳酸氢钠(NaHCO3))对晶体硅表面织构化的影响,用场发射扫描电子显微镜表征织构效果.通过优化工艺,可得到较低的平均表面反射率(Rav),按使用的刻蚀剂分别为:9.70%(NaOH)、9.76%(Na2CO3)和8.63%(Na3PO4.12H2O).据此分析了Rav和织构表面形貌之间的关系.发现添加剂IPA在Na3PO4.12H2O或Na2CO3与NaOH 3种刻蚀剂溶液中均可明显起改善织构效果.NaHCO3在某些方面具有与IPA的相同作用,同时又能促进大金字塔的形成.文中同时初步提出有关刻蚀过程的机理.
- 豆玉华周玉琴朱美芳宋爽刘丰珍刘金龙张占军
- 关键词：单晶硅织构碱液反射率表面形貌
- 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构被引量：6
- 2005年
- 采用x射线小角散射 (SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积 (rf PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积 (PE HWCVD)技术制备的微晶硅 (μc Si:H)薄膜的微结构 .实验发现 ,在相同晶态比的情况下 ,PECVD沉积的 μc Si:H薄膜微空洞体积比小 ,结构较致密 ,HWCVD沉积的 μ Si:H薄膜微空洞体积比大 ,结构较为疏松 ,PE HWCVD沉积的 μc Si:H薄膜 ,由于等离子体的敲打作用 ,与HWCVD样品相比 ,微结构得到明显改善 .采用HWCVD二步法和PE HWCVD加适量Ar离子分别沉积 μc Si:H薄膜 ,实验表明 ,微结构参数得到了进一步改善 .4 5°倾角的SAXS测量显示 ,不同方法制备的 μc Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性 .红外光谱测量也证实了SAXS的结果 .
- 周炳卿刘丰珍朱美芳谷锦华周玉琴刘金龙董宝中李国华丁琨
- 关键词：微晶硅薄膜微结构
- 低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究被引量：20
- 2005年
- 采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品 ,用原子力显微镜系统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化 .按照分形理论分析得到 :在玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长 ;而在单晶硅衬底上 ,薄膜早期以有限扩散生长模式生长 ,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式 .岛面密度与膜厚的依赖关系表明 ,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值 .Raman谱的测量证实 ,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶 微晶相变之间存在密切的关系 .不同的衬底材料直接影响反应基元的表面扩散能力 ,从而造成薄膜早期生长模式的差异 .
- 谷锦华周玉琴朱美芳李国华丁琨周炳卿刘丰珍刘金龙张群芳
- 关键词：微晶硅薄膜表面形貌热丝化学气相沉积
- 高效率n-nc-Si:H/p-c-Si异质结太阳能电池被引量：13
- 2007年
- 采用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层)的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池性能的影响,通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释度对nc-Si∶H/c-Si界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化度的nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p型CZ晶体硅衬底上制备出转换效率为17·27%的n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si异质结电池.
- 张群芳朱美芳刘丰珍周玉琴
- 关键词：异质结太阳能电池
- 应用于薄膜硅/晶体硅异质结电池中Na3PO4织构的研究
- 在薄膜硅/晶体硅异质结电池(HIT电池)的织构中，采用Na3PO4溶液作为刻蚀剂，其优点在于可以在晶硅表面形成密而小的金字塔，有利于后续薄膜的覆盖，从而提高电池的转换效率。本文主要研究Na3PO4织构工艺中织构温度(T)...
- 周玉琴张瑜朱美芳刘丰珍
- 关键词：少子寿命
- 文献传递
