刘珂
- 作品数：9 被引量：11H指数：3
- 供职机构：贵州大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信文化科学更多>>
- RHEED衍射花样与晶体表面形貌的关联性研究被引量：2
- 2013年
- 采用带有RHEED的MBE技术,在GaAs(001)单晶衬底上生长不同厚度(0 ML,4 ML,15 ML)的In0.53Ga0.47As外延层,实时监测RHEED衍射图像的演变过程,生长结束后采用STM对其形貌进行扫描分析。研究分析结果表明,随着In0.53Ga0.47As外延层的不断加厚,RHEED衍射图像从最初的清晰明锐、重构可辨逐渐演变到背景模糊、条纹断裂,最后进入完全的网格状斑点状态;与此同时,对应的表面形貌也从原子级的有序平坦表面逐渐过渡到部分3D岛形成、粗糙度提高,最后表面完全由3D岛构成,表面进入粗糙状态。
- 王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召
- 关键词：RHEEDSTM
- 大学校史文化育人研究
- 每一所大学都有自己独特的办学历史。大学校史文化是大学文化的重要组成部分，是大学历史的沉淀和精神的凝练，它体现在代代大学人的薪火相传上，体现在每一位老师和学生的日常言行中，体现在学校现在和未来发展的方方面面，它不仅传承和凝...
- 刘珂
- 关键词：校史文化育人功能教学体系
- 间歇式源中断方式生长InGaAs量子点的生长工艺研究
- 量子点材料由于其具有分立的能级等特殊物理性质，因此应用量子点材料制备的光电器件频率宽度窄、性能良好。半导体材料InGaAs是直接带隙半导体材料，具有良好的光电性能，可以用于设计和制作激光器、光探测器等光电器件。光电器件的...
- 刘珂
- 关键词：量子点分子束外延INGAAS
- 文献传递
- MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点
- 2013年
- 用分子束外延(MBE)设备以Stranski-Krastanov(S-K)生长模式,通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点,首次获得大小及密度可调的In0.43Ga0.57As/GaAs(001)矩阵式量子点DWELL结构。样品外延结构大致为500nm的GaAs、多个周期循环堆垛InGaAs量子点和60ML的GaAs隔离层等。生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控,样品经退火后使用扫描隧道显微镜(STM)进行表面形貌的表征。
- 周清刘珂罗子江郭祥周勋丁召
- 关键词：分子束外延
- MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究被引量：7
- 2013年
- 采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜。利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究。研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失。指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因。
- 王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召
- 关键词：MBERHEEDSTM熟化
- InAs(001)表面脱氧动力学分析
- 2013年
- 利用反射式高能电子衍射(RHEED)实时监控对InAs衬底进行两步完全脱氧的过程,对比了有低(高)砷等效束流压强保护下采用两步法对InAs衬底缓慢长时间的高温脱氧过程.InAs衬底两步完全脱氧法的第一步为传统的缓慢升温脱氧方法,第二步为高温In束流辅助脱氧方法.衬底高温脱氧的RHEED衍射图样说明了高温In束流辅助脱氧最终完全清除传统的缓慢升温法无法去掉的残留氧化物,通过脱氧完成同质外延生长后的扫描隧道显微镜图像,说明高砷等效束流压强保护下的脱氧方法是可行的;分析了高温In束流能完全清除衬底表面残余In氧化物的原理.
- 魏文喆郭祥刘珂王一罗子江周清王继红丁召
- 关键词：热分解
- InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究
- 2013年
- 对吸附了大量As的InAs（001）样品进行升降温热处理，发现在485℃时表面有从（3×1）重构到（2×4）重构的不可逆转变现象。利用扫描隧道显微镜对（3X1）重构表面分析，结果表明大量常温吸附的As从表面脱附使InAs（001）（2×4）重构表面最顶层的Asdimer也一起脱离表面，（3×1）重构表面实际上是由20％的富As（2×4）重构区域与80％的富In（4×2）重构区域组成。不可逆相变是由于As束流提供的As4原子团吸附到富In区域，使样品表面恢复N（2×4）重构相，而（2X4）蓖构相能在390～490℃温度范同内稳定存在。
- 郭祥周勋罗子江王继红周清刘珂丁召
- 关键词：不可逆相变
- InGaAs薄膜表面的粗糙化过程被引量：3
- 2013年
- 采用STM分析InGaAs表面形貌演变研究InGaAs表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程,特别针对In(0.15)Ga(0.85)As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究.发现In(0.15)Ga(0.85)As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程.在低温低As等效束流压强下,薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演变成粗糙的过程,起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式,随着退火时间的延长,大量坑和岛的共同形成促使表面进入粗糙状态;在高温高As等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛,退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达到平衡态,表面形貌将长期处于预粗糙状态.
- 罗子江周勋王继红郭祥张毕禅周清刘珂丁召
- 生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响被引量：3
- 2014年
- 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证实了在同一组分下,薄膜生长厚度的改变并不剧烈影响薄膜的重构,然而,随着生长厚度的增加,外延层的表面拉伸应力进一步增大,平台平均尺寸逐渐减小,表面应力的累积使表面台阶数目逐渐增多,台面产生更多扭折,原子在具有各向异性的择优扩散机制与表面应力的共同作用下,In0.86Ga0.14As/InAs薄膜锯齿状的台阶边缘越明显,表面越粗糙化。
- 王一郭祥刘珂黄梦雅魏文喆赵振胡明哲罗子江丁召
- 关键词：分子束外延IN0
