卢盛辉
- 作品数：13 被引量：9H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究
- 2007年
- 通过对AlGaN/GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试,发现栅脉冲相同时,HEMT开启时间在线性区随VDS增加而增加,而在饱和区随VDS增加而减小;在VDS一定时,器件开启时间随栅脉冲低电平的降低而增加。基于表面态电子释放过程与ID、VDS和阶跃脉冲之间关系的分析,提出了用快电子与慢电子释放两种过程来解释表面态电子弛豫,并建立漏极电流响应过程拟合算式。拟合得到与快、慢电子释放相关的时间常数分别为τ1=0.23s、τ2=1.38s,且拟合曲线与实验结果的最大误差不超过测试值的3%。该研究结果有助于电流崩塌机理的进一步探索。
- 卢盛辉杜江锋靳翀周伟杨谟华
- 关键词：高电子迁移率晶体管电流崩塌表面态
- AlGaN//GaN HEMT物理模型与器件耐压研究
- 基于第三代宽禁带半导体GaN材料的AlGaN//GaN高电子迁移率晶体管/(high electron mobility transistor,HEMT/)由于其广阔的高频大功率应用前景而成为研究热点。针对当前实现高频、...
- 卢盛辉
- 关键词：物理模型电荷控制模型
- 文献传递
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域，包括衬底上依次形成的成核层、GaN层和势垒层，以及势垒层上的源极、栅极和漏极，其中源极、漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，其特征是，它还包括一层位于...
- 杜江峰卢盛辉靳翀罗谦夏建新杨谟华
- 文献传递
- GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应被引量：1
- 2008年
- 采用脉冲测试方法研究了与GaN基HEMT电流崩塌相关的表面陷阱效应。对特制的无台面器件进行的实验证实了表面陷阱之间存在输运过程。数据表明,当栅应力持续时间足够长时,被充电的表面陷阱会达到某种稳态。该稳态是包含了陷阱俘获与释放过程的动态平衡态。
- 罗谦杜江锋卢盛辉周伟夏建新于奇杨谟华
- 关键词：氮化镓表面态电流崩塌
- GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨
- 2006年
- 基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异。研究表明:在脉冲测试条件下,RS增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大。该实验结果可望通过RD与RS表征研究导致GaNHEMT电流崩塌的表面态变化。
- 靳翀卢盛辉杜江锋罗谦周伟夏建新杨谟华
- 关键词：电流崩塌串联电阻表面态
- 线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型被引量：7
- 2011年
- 通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率a和截距EF0。计算结果表明,所述模型的线性EF-ns计算结果对非线性精确解近似效果较好,且基于该模型计算的ns-VG曲线与实验数据符合良好。
- 卢盛辉杜江锋周伟夏建新
- 关键词：费米能级二维电子气
- 微加速度计机械与电学一体化仿真模型
- 2010年
- 针对目前MEMS微加速度计机械和电路仿真各自脱节的现状,基于PSPICE软件,综合了敏感质量块机械、偏置电压静电力和接口电路3部分,提出了机械与电学一体化仿真模型。模型实现了敏感质量块大位移情形仿真,突破了已有仿真模型对该质量块的中点小位移近似。利用该模型,得到大位移情况下加速度计能承受的最大阶跃和脉冲加速度信号值,经过与经典理论公式比较,误差小于3%。进一步,通过在不同偏置电压开环模式下灵敏度仿真与实验值的比较,当敏感质量块处于小位移状态时,误差小于5%;处于大位移状态,小于10%。因此,仿真模型与经典理论公式以及实验值比较接近,可应用于微加速度计的仿真和物理过程再现,从而有助于该类微机械电子器件的进一步研究。
- 戴强卢盛辉杨洪东于奇
- 关键词：微加速度计电学
- 优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌
- 基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为...
- 杜江锋罗大为罗谦卢盛辉于奇杨谟华
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管场板电流崩塌
- 文献传递
- 适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长
- 2010年
- 通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×103cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制。测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考。
- 卢盛辉杨洪东李竞春谭开州张静
- AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究被引量：1
- 2007年
- 通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。
- 严地罗谦卢盛辉靳翀罗大为周伟杨谟华
- 关键词：铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管电场
