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相变特性氧化钒薄膜制备工艺及快速热处理研究: 二氧化钒(VO2)薄膜具有优良的从半导体相到金属相的相转变特性，相转变前后其电学、光学性质(太赫兹(THz)波段)均发生突变，是应用于光开关、THz波调制等器件中的理想功能材料。高性能VO2薄膜的制备一直是研究的热点。　...; 吕志军; 关键词：相变材料氧化钒薄膜磁控溅射; 文献传递

一种THz波段氧化钒光开关及其制作方法: 本发明公开了一种THz波段氧化钒光开关及其制作方法，涉及光通讯技术领域，氧化钒光开关由氧化钒薄膜构成，所述氧化钒光开关装载在太赫兹时域频谱系统或调制解调器中。该方法包括以下步骤：利用反应磁控溅射方法在硅衬底材料上制备氧化...; 胡明陈涛梁继然吕志军后顺保; 文献传递

氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究被引量：4: 2011年; 利用直流对靶磁控溅射镀膜法,在Si衬底上制备出在太赫兹(THz)波段具有开关性能的氧化钒(VOx)薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)方法对VOx薄膜的组份和形貌进行表征。利用THz时域频谱系统(THz-TDS)对VOx薄膜的光致相变性能进行测试。实验表明,VOx薄膜在波长532 nm连续激光照射下具有明显的光致相变特性,且随着薄膜中V元素总体价态的升高,THz透射率达到峰值时的频率逐渐降低。; 陈涛胡明梁继然后顺保吕志军栗力; 关键词：频率特性

一种制备二氧化钒薄膜快速热处理的方法: 本发明公开了一种制备二氧化钒薄膜快速热处理的方法，步骤为：(1)将硅片切成衬底，清洗干净并烘干；(2)将步骤(1)的硅衬底置于真空室，采用对靶磁控溅射法在硅衬底上淀积一层氧化钒薄膜；所用靶材为99.99％的金属钒，氩气为...; 胡明后顺保吕志军陈涛梁继然; 文献传递

快速热处理制备相变氧化钒薄膜及其特性研究被引量：3: 2012年; 采用直流对靶磁控溅射在Si<100>基底上沉积金属V薄膜,然后分别在纯氧气环境和纯氮气环境下进行快速热处理制备具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VO_X)薄膜,热处理条件分别为纯氧气环境下430℃/40 s,450℃/40 s,470℃/40 s,450℃/30 s,450℃/50 s,纯氮气环境下500℃/15 s.用X射线衍射仪、X射线光电子能谱、原子力显微镜和扫描电子显微镜对薄膜的结晶结构、钒的价态和组分以及微观形貌进行分析.利用四探针薄膜电阻测量方法和THz时域频谱技术分析薄膜的电学特性和光学特性.结果表明:金属V薄膜经过纯氧气环境450℃/40 s快速热处理后形成了具有低相变特性的VO_X薄膜,升温前后薄膜方块电阻变化幅度达到两个数量级,THz透射强度变化幅度较小.为了提高薄膜的相变特性,对制备的VO_X薄膜采用纯氮气环境500℃/15 s快速热处理,薄膜的相变特性有了明显提升,相变前后方块电阻变化达到3个数量级,THz透射强度变化达到56.33%.; 武斌胡明后顺保吕志军高旺梁继然

快速热处理对磁控溅射VO_2薄膜光电特性的影响被引量：6: 2012年; 采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500℃快速热处理10、15、20s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20℃～80℃温区内,应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术(THz-TDS)测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性。结果表明,经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上;THz波的透射率在半导体-金属相变前后的最大变化达到了57.9%。同时发现,热处理500℃,10s时VO2的电学和光学相变幅度相对要大,当热处理时间达到15s左右时薄膜的相变幅度变化不再明显。快速热处理时间的长短对热致相变温度点的影响较小,但热致电学相变和光学相变的相变温度点不同:光学相变的温度为60℃左右,电学相变温度则在56℃附近。; 后顺保胡明吕志军梁继然陈涛; 关键词：二氧化钒相变

磁控溅射结合快速热处理制备相变氧化钒薄膜被引量：5: 2012年; 采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜。利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测试法及太赫兹时域频谱系统对薄膜的电学和光学特性进行测量。结果表明:新制备VOx薄膜以非晶态V2O5为主;350℃,30 s快速热处理后,薄膜中V的整体价态降低,表面颗粒分布更加致密;500℃,30 s快速热处理后,薄膜中VO2(002)向单斜结构的VO2(011)转变,VO2(011)占主要成分,薄膜显示出明显的金属-半导体相变特性,方块电阻下降达到3个数量级,太赫兹透过率下降接近70%,热致相变性能良好。; 吕志军胡明陈涛后顺保梁继然栗力; 关键词：溅射氧化钒薄膜相变光电性能

氧化法结合快速热处理制备VO_x薄膜及其性质研究: 2013年; 采用磁控溅射法在单晶Si100基底上沉积金属钒(V)薄膜,在高纯氧环境下快速热处理制备具有相变特性的氧化钒(VOx)薄膜.利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱和扫描电子显微镜对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,应用四探针测试方法和太赫兹时域频谱技术对样品的电学和光学特性进行测试.结果表明:在一定范围的快速热处理保温温度和保温时间下,都可以制备出具有热致相变特性的氧化钒薄膜,相变前后薄膜的方块电阻变化超过两个数量级,薄膜成分主要由V2O5和VO2混合组成,薄膜中V整体价态不因热处理条件改变而不同.在快速热处理条件范围内,500℃ 25s左右条件下(中温区)制备出的氧化钒薄膜相变特性最佳,并且对THz波有一定的调制作用.; 高旺胡明后顺保吕志军武斌; 关键词：氧化钒薄膜相变特性

快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜: 本发明公开了一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，目的是克服在制备具有相变特性的二氧化钒薄膜的现有制备方法的调控参数多、工艺复杂、实验可控性较差的缺点。本发明对于溅射时间为10-30min的金属钒薄膜，快速热氧化温度...; 胡明武斌高旺后顺保吕志军; 文献传递

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吕志军