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吴文刚

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇数值模拟
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇晶体管
  • 4篇值模拟
  • 3篇异质结
  • 3篇锗硅
  • 3篇锗硅合金
  • 2篇非均匀
  • 2篇ALGAAS...
  • 2篇HBT
  • 2篇X
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇应变层
  • 1篇砷化铝
  • 1篇砷化镓
  • 1篇双极
  • 1篇重掺杂
  • 1篇禁带
  • 1篇SI

机构

  • 7篇西安交通大学

作者

  • 7篇吴文刚
  • 5篇曾峥
  • 4篇罗晋生

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子器件
  • 1篇第六届全国毫...

年份

  • 5篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
非均匀参杂基区ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的数值模拟
曾峥吴文刚
关键词：砷化铝数值模拟
Al＿xGa＿（1－x）A＿s和GaA＿s材料的物理参数模型
1995年
本文较系统和全面地总结了ＧａＡ＿ｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料的物理参数模型，包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等，给出了易于应用的数学公式，其中Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａ＿ｓ重掺杂能带窄变公式为本文首次推导。这些物理参数模型对于Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ异质结器件的研究有着十分重要的意义。
曾峥吴文刚罗晋生
关键词：ALXGA1-XAS砷化镓
Si/SiGe异质结双极管晶体管的数值模拟及设计研制
吴文刚
关键词：锗硅合金异质结双极晶体管数值模拟
应变致能带分裂对Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的影响
1995年
针对应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的应变致能带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了多子双带结构的等价有效简并度模型和有关算法。模型中考虑了非抛物线能带结构。应用该模型，计算了赝形生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当掺杂超过一定浓度（对于ｐ型和ｎ型合金，该浓度分别约为１．９×１０１９ｃｍ－３和３．５×１０１９ｃｍ－３）后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于这个浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降。文中还将计算结果与其它未细致考虑应变致能带分裂因素的理论工作进行了比较。
吴文刚曾峥罗晋生
关键词：锗硅合金重掺杂
AlGaAs／GaAs　HBT表面效应的二维数值分析
1995年
采用表面效应集总模型综合考虑表面费米能级钉扎和表面复合效应，对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ表面效应的影响进行了二维数值模拟。结果表明，表面态的存在对集电极电流几乎不产生影响，但显著增加基极电流，使得电流增益明显下降。同时还发现在台面结构ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ中外基区表面复合的集边效应，即外基区表面复合主要发生在发射极台面与外基区的交界处附近，与外基区长度基本无关。模拟还表明基区缓变结构可以减少表面复合，提高电流增益。
曾峥吴文刚罗晋生
关键词：数值模拟双极晶体管异质结
基区非均匀掺杂对　AlGaAs／GaAs　HBT　电学特性影响的数值分析被引量：1
1994年
基于异质结漂移－扩散模型，考虑Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计和重掺杂能带窄变（ＢＧＮ）效应，对具有非均匀掺杂基区的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ进行了数值模拟．结果表明，当基区非均匀程度较大时，非均匀掺杂引起的基区自建场远大于ＢＧＮ效应产生的反向场．基区非均匀掺杂能提高电流增益，但提高的幅度随非均匀程度的增加而减慢．基区非均匀掺杂可明显改善截止频率ｆＴ，但同时也增加了集电结空间电荷区渡越时间τｃ，ｓｃＲ，使得ｆＴ在非均匀程度较大时开始下降．发射极－集电极ｏｆｆｓｅｔ电压在一定的非均匀程度下达到最佳值．本文还提出了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ基区非均匀掺杂设计的最佳条件．
曾峥吴文刚罗晋生
关键词：双极晶体管电学特性非均匀
Si/SiGe异质结双极晶体管的数值模拟及设计研制
吴文刚
关键词：锗硅合金异质结双极晶体管数值模拟
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