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曾峥

作品数：14 被引量：25H指数：2
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 7篇晶体管
  • 6篇双极晶体管
  • 4篇异质结
  • 4篇HBT
  • 4篇X
  • 3篇应变层
  • 3篇数值模拟
  • 3篇值模拟
  • 2篇锗硅
  • 2篇锗硅合金
  • 2篇非均匀
  • 2篇SI/SIG...
  • 2篇ALGAAS...
  • 1篇电路
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇液相外延
  • 1篇液相外延层
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇应变SI

机构

  • 12篇西安交通大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 13篇曾峥
  • 10篇罗晋生
  • 5篇吴文刚
  • 3篇张万荣
  • 1篇林金庭
  • 1篇余明斌
  • 1篇孙晓玮
  • 1篇林健

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 2篇电子学报
  • 1篇大自然探索
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学
  • 1篇第六届全国毫...

年份

  • 3篇1996
  • 4篇1995
  • 2篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1990
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
异质结双极晶体管的数值模拟及其设计与研制
曾峥
Al＿xGa＿（1－x）A＿s和GaA＿s材料的物理参数模型
1995年
本文较系统和全面地总结了ＧａＡ＿ｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料的物理参数模型，包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等，给出了易于应用的数学公式，其中Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａ＿ｓ重掺杂能带窄变公式为本文首次推导。这些物理参数模型对于Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ异质结器件的研究有着十分重要的意义。
曾峥吴文刚罗晋生
关键词：ALXGA1-XAS砷化镓
应变Si_（1－x）Ge_x层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算被引量：9
1996年
计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价带有效态密度随之快速减小，而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组分ｘ的增加而减小得越快，而本征载流于浓度上升得越快。同时还发现，具有大Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积对温度Ｔ的依赖关系弱，而具有小Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，上述归一化参数对温度Ｔ的依赖关系强，这和目前仅有的文献［８］中，它们与温度依赖关系的定性研究结果相一致。
张万荣曾峥罗晋生
关键词：硅锗合金
量子效应器件与认识论
1993年
曾峥罗晋生
关键词：量子效应晶体管集成电路
应变致能带分裂对Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的影响
1995年
针对应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的应变致能带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了多子双带结构的等价有效简并度模型和有关算法。模型中考虑了非抛物线能带结构。应用该模型，计算了赝形生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当掺杂超过一定浓度（对于ｐ型和ｎ型合金，该浓度分别约为１．９×１０１９ｃｍ－３和３．５×１０１９ｃｍ－３）后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于这个浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降。文中还将计算结果与其它未细致考虑应变致能带分裂因素的理论工作进行了比较。
吴文刚曾峥罗晋生
关键词：锗硅合金重掺杂
非均匀参杂基区ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的数值模拟
曾峥吴文刚
关键词：砷化铝数值模拟
AlGaAs／GaAs　HBT表面效应的二维数值分析
1995年
采用表面效应集总模型综合考虑表面费米能级钉扎和表面复合效应，对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ表面效应的影响进行了二维数值模拟。结果表明，表面态的存在对集电极电流几乎不产生影响，但显著增加基极电流，使得电流增益明显下降。同时还发现在台面结构ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ中外基区表面复合的集边效应，即外基区表面复合主要发生在发射极台面与外基区的交界处附近，与外基区长度基本无关。模拟还表明基区缓变结构可以减少表面复合，提高电流增益。
曾峥吴文刚罗晋生
关键词：数值模拟双极晶体管异质结
Si／SiGe　HBT高频特性的模拟与分析
1994年
给出了适用于分析复杂结构ＨＢＴ的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型（ＣＰ）。模拟了Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的高频特性。模拟结果显示Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的频率特性较ＳｉＢＪＴ大为改善，而基区及集电结ＳＣＲ区的电荷输运时间将成为提高Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ截止频率的主要制约因素。与实验报道的对比证实了本模型可作为优化器件设计的有效手段。
林健余明斌曾峥罗晋生
关键词：锗硅合金异质结双极晶体管
基区非均匀掺杂对　AlGaAs／GaAs　HBT　电学特性影响的数值分析被引量：1
1994年
基于异质结漂移－扩散模型，考虑Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计和重掺杂能带窄变（ＢＧＮ）效应，对具有非均匀掺杂基区的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ进行了数值模拟．结果表明，当基区非均匀程度较大时，非均匀掺杂引起的基区自建场远大于ＢＧＮ效应产生的反向场．基区非均匀掺杂能提高电流增益，但提高的幅度随非均匀程度的增加而减慢．基区非均匀掺杂可明显改善截止频率ｆＴ，但同时也增加了集电结空间电荷区渡越时间τｃ，ｓｃＲ，使得ｆＴ在非均匀程度较大时开始下降．发射极－集电极ｏｆｆｓｅｔ电压在一定的非均匀程度下达到最佳值．本文还提出了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ基区非均匀掺杂设计的最佳条件．
曾峥吴文刚罗晋生
关键词：双极晶体管电学特性非均匀
新型微波有源滤波器综合方法被引量：1
1995年
本文给出了一种新颖的微波有源滤波器的拓扑结构及综合方法，并对有源滤波电路进行了计算机模拟。结果表明本文给出的微波有源滤波器电路具有优良的窄带滤波特性。通带内正向增益大于１０ｄＢ，带外抑制大于３０ｄＢ。
孙晓玮曾峥罗晋生林金庭
关键词：MMICCAD
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共2页<12>
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