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吴笛: 作品数：16 被引量：0H指数：0; 供职机构：安徽大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：理学文化科学经济管理电子电信更多>>

合作作者

高k+SiO2栅全耗尽SOI MOSFET半解析模型的阈值电压和DIBL效应的研究: 随着半导体技术的快速发展,小尺寸效应已成为器件发展的限制性因素,为了减小这些效应对器件性能的影响,新结构和新材料的器件不断涌现。SOI(Silicon-on-Insulator)MOSFET因能有效地抑制小尺寸效应,同时...; 吴笛; 关键词：阈值电压; 文献传递

在水中检测Fe3+和抗生素头孢曲松钠的MOF-Cd探针及其制备方法和应用: 本发明公开了一种在水中检测Fe3+和抗生素头孢曲松钠的MOF‑Cd探针及其制备方法和应用，包括以下步骤：配体bbi的制备：取咪唑0.05～0.1moL和氢氧化钠0.05～0.1moL溶于DMSO中于...; 牛和林邢鹏程吴笛毛昌杰宋吉明; 文献传递

一种α-MnO2@δ-MnO2超级电容器电极材料的制备方法及应用: 本发明公开了一种α‑MnO2@δ‑MnO2超级电容器电极材料的制备方法及应用。该制备方法包括合成α‑MnO2纳米线基底，通过一步水热法在α‑MnO<Sub...; 牛和林郭昱周臣吴笛潘文康; 文献传递

一种经Co掺杂定向转化制备α-MnO2的方法和应用: 本发明公开了一种α‑MnO2纳米线及其制备方法和应用。本发明以δ‑MnO2纳米片为诱导前体，掺杂钴盐定向转化制备α‑MnO2纳米线，纳米线直径为50‑15...; 牛和林郭昱蒋祺东吴笛; 文献传递

我国汽车消费税收法律制度研究: 在美国次贷危机引发的全球金融危机的影响下,各国都在努力刺激消费,寻求经济增长点,这其中,汽车消费成为引领中国经济走向复苏的重要环节。如何促进汽车消费,并保证其与能源、环境协调发展,成为政府和社会各界普遍关注的焦点问题。虽...; 吴笛; 关键词：汽车消费税收法律制度; 文献传递

一种双金属有机框架结构催化剂及其制备方法和应用: 本发明公开了一种双金属有机框架结构催化剂及其制备方法和应用。该催化剂由镍、铜两种金属离子作为金属节点，和对苯二甲酸有机配体结合起来，在高温反应釜中一步反应而成。这种催化剂有铜和镍两个催化活性位点，是一种协同催化剂。在对硝...; 牛和林李然吴笛宋吉明毛昌杰

MOF-Zn荧光传感器在检测氯霉素中的应用及检测CHL的方法: 本发明公开了MOF‑Zn荧光传感器在检测氯霉素中的应用及检测CHL的方法，取金属有机骨架材料MOF‑Zn的溶液，加入的待测液，使用荧光分光光度计对混合溶液进行测试。当CHL的浓度从0M增加到0.01M时，MOF‑Cd的荧...; 牛和林吴笛周国松刘文胜邢鹏程; 文献传递

高k+SiO_2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模: 2019年; 文章提出了高k+SiO_2栅FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator) MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL (drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-SOI MOSFET分成若干个不同的矩形等效源,构建了这个多角形区域的Poisson方程和Laplace方程的二维边界值问题,然后用分离变量法和特征函数展开法求出了模型的二维解.计算结果表明,高k+SiO_2栅能有效地抑制高k介电常数产生的FD-SOI MOSFET阈值电压退化, DIBL效应加重,以及FIBL效应.由于这个模型列出的是线性代数方程组,它的计算开销小,因此这个半解析模型既可以用于FD-SOI MOSFET的模拟和仿真,又可用做电路模拟器的器件模型.; 万璐绪杨建国柯导明吴笛杨菲陈甜; 关键词：FD-SOI MOSFET 阈值电压

一种双金属有机框架结构催化剂及其制备方法和应用: 本发明公开了一种双金属有机框架结构催化剂及其制备方法和应用。该催化剂由镍、铜两种金属离子作为金属节点，和对苯二甲酸有机配体结合起来，在高温反应釜中一步反应而成。这种催化剂有铜和镍两个催化活性位点，是一种协同催化剂。在对硝...; 牛和林李然吴笛宋吉明毛昌杰; 文献传递

MOF-Zn荧光传感器在检测氯霉素中的应用及检测CHL的方法: 本发明公开了MOF‑Zn荧光传感器在检测氯霉素中的应用及检测CHL的方法，取金属有机骨架材料MOF‑Zn的溶液，加入的待测液，使用荧光分光光度计对混合溶液进行测试。当CHL的浓度从0M增加到0.01M时，MOF‑Cd的荧...; 牛和林吴笛周国松刘文胜邢鹏程; 文献传递