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吴茂松

作品数:9 被引量:38H指数:4
供职机构:霍尼韦尔(中国)有限公司更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电感器
  • 4篇微机电系统
  • 4篇机电系统
  • 4篇MEMS
  • 4篇电系统
  • 3篇电感
  • 3篇执行器
  • 3篇衰减器
  • 3篇可变光衰减器
  • 3篇光衰减器
  • 2篇通信
  • 2篇通信系统
  • 2篇微加工
  • 2篇微执行器
  • 2篇螺线管
  • 2篇光纤
  • 2篇SU-8
  • 1篇单模
  • 1篇单模光纤
  • 1篇多层膜

机构

  • 9篇上海交通大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇霍尼韦尔(中...

作者

  • 9篇吴茂松
  • 8篇蔡炳初
  • 7篇茅昕辉
  • 5篇杨春生
  • 5篇赵小林
  • 1篇陈丹晔
  • 1篇禹金强
  • 1篇钱开友
  • 1篇叶枝灿
  • 1篇周勇
  • 1篇徐东
  • 1篇王芸
  • 1篇王莉

传媒

  • 4篇微细加工技术
  • 2篇压电与声光
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第五届全国微...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
  • 1篇2001
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究被引量:18
2002年
软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 。
茅昕辉禹金强周勇吴茂松蔡炳初
关键词:巨磁阻抗多层膜软磁材料
微细加工技术在微光开关制造中的应用被引量:2
2002年
微光开关是新一代全光通信网络中的关键器件。利用微细加工技术制造微光开关具有很多突出的优点 ,受到广泛的研究。总结了几种典型的微光开关制造中运用的微细加工技术 。
茅昕辉陈丹晔吴茂松蔡炳初
关键词:微光开关全光网络微细加工技术
MEMS螺线管型电感器正负胶结合的加工工艺被引量:9
2002年
MEMS螺线管型电感器由于具有很多优点 ,其用途或潜在用途相当广泛。为了获得高质量的MEMS螺线管型电感器 ,在充分利用SU - 8特点的基础上 ,结合使用正胶AZ - 4 0 0 0系列和负胶SU - 8系列 ,新开发了UV -LIGA多层微加工工艺 ,它主要包括 :在基片上溅射Cr/Cu作为电镀种子层 ,涂布正胶 ,紫外光刻得到电镀模具 ,电镀Cu和FeNi分别得到线圈的下层、中层和上层以及铁芯 ;在完成下层和中层后 ,分别进行一次负胶工艺以形成电绝缘层和后续结构的支撑平台 ,即涂布负胶覆盖较下层结构 ,光刻开出通往较上一层的通道并使SU - 8聚合、交联以满足性能要求。实验表明该工艺是可行和实用的。它除了可用于螺线管电感器的加工 ,还可以用来加工其它三维结构的MEMS器件。
吴茂松杨春生茅昕辉赵小林蔡炳初
关键词:MEMS电感器SU-8微加工
新型MEMS可变光衰减器的微磁执行器被引量:4
2003年
探讨了新型可变光衰减器——光纤横向偏移型MEMS可变光衰减器的微磁驱动方式,从理论上分析了微磁执行器设计时应遵从的原理,讨论和设计了微磁执行器的各个参数,新开发了结合使用正胶(AZ-4000系列)和负胶(SU-8系列)的UV-LIGA工艺:在制作了光纤定位槽的基片上溅射Cr/Cu作为电镀种子层,涂布正胶,紫外光刻得到电镀模具,电镀Cu和FeNi分别得到线圈的下层、中层和上层以及铁芯;在完成下层和中层后,分别进行一次负胶工艺以形成电绝缘层和后续结构的支撑平台,即涂布负胶覆盖较下层结构,光刻开出了通往较上一层的通道并使SU-8聚合、交联以满足性能要求。并运用该工艺实现了微磁执行器。
吴茂松杨春生茅昕辉赵小林蔡炳初
关键词:微机电系统MEMS可变光衰减器电感器VOA
铁芯和空芯螺线管型微电感器的性能比较
2003年
为了满足RF电路、电源电路、微执行器和微传感器等领域对高性能和工艺简单的电感器的广泛需求,用正、负胶结合的微加工工艺,在硅基片上制作了有坡莫合金铁芯的和在玻璃基片上没有铁芯的、其它结构和参数均相同的两种螺线管型微电感器,测试了它们在1~40MHz频率范围的电感、电阻和Q因子,并进行了比较和讨论。其结果与现有理论知识相一致。实验证明了具有坡莫合金铁芯的螺线管型微电感器在低于30MHz的频率下使用更有意义。而无铁芯螺线管型微电感器还可以用于更高频率的场合。
吴茂松杨春生茅昕辉赵小林蔡炳初
关键词:微机电系统电感器SU-8微加工螺线管
光纤横向偏移型MEMS可变光衰减器初探
可变光衰减器(VOA)是光纤通信系统中重要的无源器件之一.采用MEMS技术的可变光衰减器,从实现光衰减的机制上分,主要有平面波导型、光路遮挡型、微镜倾斜型和MARS型等.文章提出了一种新的类型——光纤横向偏移型MEMS可...
吴茂松杨春生茅昕辉赵小林蔡炳初
关键词:微机电系统可变光衰减器光纤通信系统微执行器
文献传递
MEMS螺线管连续电磁驱动的光纤偏移型可变光衰减器
可变光衰减器在光通信系统中有着重要的作用,而MEMS(Microelectromechanical system)可变光衰减器符合先进光通信器件的发展趋势:体积小、重量轻、功耗小、可单片集成为阵列等,具有很大的市场潜力....
吴茂松
关键词:微电子机械系统可变光衰减器单模光纤光通信系统
场发射硅锥阵列的干法制备与研究被引量:2
2006年
阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定。
王芸徐东吴茂松王莉钱开友叶枝灿蔡炳初
关键词:干法刻蚀RIE场发射
微执行器中连续电磁驱动的数学模型被引量:5
2004年
为了指导电磁微执行器的设计与开发研究,该文用解析法求出了微执行器中电磁连续驱动的数学模型,分析了衔铁位移与励磁电流的关系曲线及其各部分的物理意义,揭示了该曲线在铁心相对磁导率变化小或影响小的情况下存在极大值和失稳现象的规律:当衔铁的位移使磁路总磁阻减小1/3时,所需励磁电流最大,继续减小磁路磁阻时,则发生失稳现象。分析结果与实验结果相吻合。
吴茂松杨春生茅昕辉赵小林蔡炳初
关键词:微机电系统电感器
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