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周夕淋

作品数：28 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 9篇自动化与计算...
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 25篇存储器
  • 21篇相变存储
  • 21篇相变存储器
  • 14篇相变材料
  • 8篇温度
  • 8篇结晶温度
  • 6篇存储器单元
  • 5篇相变
  • 4篇晶态
  • 4篇化合物
  • 4篇SB
  • 3篇底电极
  • 3篇电阻
  • 3篇硫族化合物
  • 3篇晶格
  • 3篇TE
  • 3篇超晶格
  • 2篇低功耗
  • 2篇选通
  • 2篇氧化物材料

机构

  • 28篇中国科学院
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 28篇周夕淋
  • 27篇宋志棠
  • 21篇吴良才
  • 15篇饶峰
  • 10篇朱敏
  • 8篇彭程
  • 6篇任堃
  • 5篇封松林
  • 4篇宋三年
  • 4篇刘波
  • 3篇刘卫丽
  • 2篇吕士龙
  • 2篇孟云
  • 1篇张泽
  • 1篇刘显强
  • 1篇谷立新
  • 1篇王浩敏
  • 1篇张斌
  • 1篇张滔
  • 1篇韩晓东

传媒

  • 1篇电子显微学报
  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种存储器及其制作方法
本发明提供一种存储器，至少包括：衬底和依次形成于衬底上的底电极和介质层、介质层上的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明还提供该存储器的制作方法：在清洗后的衬底上依次形成底电极和介质层；在介质层上制作贯孔；在介质层...
宋志棠吴良才纪兴龙朱敏孟云曹良良周夕淋任堃封松林
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一种相变存储器及其制备方法
本发明涉及一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器设有衬底(1)和若干个电极单元；所述电极单元自下至上包括刀片电极层(2)、相变材料层(3)、第一黏附层(4)、选通管材料层(5)、第二黏附层(6)、顶电极层(7)；所述...
周夕淋李程兴宋志棠刘卫丽
一种Ti-Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>相变存储材料
本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为Sb<Sub>x</Sub...
朱敏吴良才宋志棠饶峰彭程周夕淋任堃封松林
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一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法
本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料...
周夕淋朱栩旭宋志棠宋三年
用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料
本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(Si<Sub>a</Sub>Sb<Sub>b</Sub>Te<Sub>c</Sub>...
周夕淋吴良才宋志棠饶峰彭程朱敏
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一种高度织构取向相变存储材料及其制备方法
本发明涉及一种高度织构取向相变存储材料及其制备方法，所述相变存储材料包括范德瓦尔斯结构缓冲层和氮硫化合物‑GeTe超晶格结构；所述超晶格结构沿垂直于衬底表面的方向层状生长。本发明用高通量的制备方法实现了具有连续组分分布且...
周夕淋朱栩旭宋志棠宋三年吴良才
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用于相变存储器的Si-Sb-Te材料
本发明揭示了一种用于相变存储器的Si-Sb-Te相变材料，其化学式为Si<Sub>x</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>，0&lt;x≤4，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。在经过...
饶峰宋志棠吴良才任堃周夕淋
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用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法。该相变材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物，其通式为Al<Sub>x</Sub>(Sb<Sub>y</Sub>Te<Sub>1</Sub>)...
彭程吴良才饶峰宋志棠刘波周夕淋朱敏
一种相变存储器单元及其制备方法
本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变单元的操作速度；采用在相变存储单元的相变存储材料层中植入一层或几层锑Sb薄膜，以加快相变材料在可逆相变过程中的结晶速率。其中相变材料可以是二元的材料体系，...
周夕淋宋志棠吴良才饶峰
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用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料
本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(Si<Sub>a</Sub>Sb<Sub>b</Sub>Te<Sub>c</Sub>...
周夕淋吴良才宋志棠饶峰彭程朱敏
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