您的位置： 专家智库 > >

唐龙谷

作品数：24 被引量：26H指数：2
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 8篇门极
  • 8篇门极换流晶闸...
  • 8篇晶闸管
  • 8篇换流
  • 6篇外延层
  • 6篇发射区
  • 6篇掺杂
  • 6篇场限环
  • 4篇电荷
  • 4篇电荷补偿
  • 4篇电极
  • 4篇阴极
  • 4篇金属
  • 4篇金属电极
  • 4篇集成门极换流...
  • 4篇高压器件
  • 4篇隔离区
  • 4篇功率器件
  • 3篇电导
  • 3篇势垒

机构

  • 24篇株洲南车时代...

作者

  • 24篇唐龙谷
  • 11篇刘可安
  • 11篇陈芳林
  • 9篇赵艳黎
  • 9篇蒋华平
  • 9篇吴佳
  • 9篇李诚瞻
  • 4篇彭勇殿
  • 4篇冯江华
  • 4篇张弦
  • 4篇雷云
  • 3篇史晶晶
  • 2篇李世平
  • 2篇何多昌
  • 2篇方杰
  • 2篇黄建伟
  • 2篇常桂钦
  • 2篇刘国友
  • 2篇张明
  • 2篇罗海辉

传媒

  • 3篇大功率变流技...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 7篇2015
  • 6篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
共 24 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
焊层空洞对IGBT模块热应力的影响被引量：13
2014年
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良和疲劳失效的主要原因之一。考虑芯片场环区的影响,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型;研究了不同焊层厚度、焊层空洞率和空洞位置对模块最高结温与最大等效应力的影响;探讨了焊层空洞对模块瞬态热阻抗的影响。
吴煜东常桂钦彭勇殿方杰唐龙谷李继鲁
关键词：IGBT模块空洞率热分析应力分析
逆导型IGCT补偿性PNP隔离技术研究
随着IGCT器件及应用技术的发展,IGCT器件已成为大功率变流装置的首选器件,而逆导型IGCT器件因为GCT与续流FRD反并联集成在同一个芯片上,可优化装置设计、结构、重量及体积等,被广泛应用与煤矿、冶金、能源等领域。株...
陈芳林唐龙谷陈勇民高建宁张明
一种功率器件结终端结构与制造方法
本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括：场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧...
蒋华平刘可安吴煜东李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
文献传递
一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法
本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终...
杨勇雄吴煜东何多昌蒋华平李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
文献传递
一种逆导型集成门极换流晶闸管
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管，包括：GCT、FRD，以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向...
陈芳林刘可安唐龙谷张弦雷云
文献传递
一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管
本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管，晶闸管包括N-衬底、P基区、P+短基区、N+发射区、门极金属电极和阴极金属电极。N+发射区、P+短基区、P基区、N-衬底依次排布，阴极金属电极设置在N+发射区外...
唐龙谷冯江华吴煜东陈勇民陈芳林
文献传递
晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法
本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法，该制备方法包括以下步骤：准备N-型衬底，对N-型衬底正面进行选择性P+扩散处理，形成P+短基区。对N-型衬底正面进行P扩散处理，形成P基区。进行N+预沉...
唐龙谷冯江华吴煜东陈勇民陈芳林
文献传递
肖特基势垒二极管及其制造方法
本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂...
李诚瞻刘可安吴煜东杨勇雄史晶晶蒋华平唐龙谷赵艳黎吴佳
文献传递
一种碳化硅功率器件结终端的制造方法
本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤：步骤1：在外延层上形成牺牲层；步骤2：在牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3：刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分；步骤4...
蒋华平刘可安吴煜东李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
文献传递
半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法，耐压终端结构包括：第一掺杂区，以及掺杂浓度相对于第一掺杂区较轻的第二掺杂区。半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面采用连续光滑曲面的台面结构，刻蚀剖面从第一...
吴佳吴煜东刘可安李诚瞻史晶晶蒋华平唐龙谷赵艳黎杨勇雄
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0