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陈芳林
作品数:
85
被引量:37
H指数:5
供职机构:
株洲南车时代电气股份有限公司
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相关领域:
电子电信
经济管理
金属学及工艺
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合作作者
蒋谊
株洲南车时代电气股份有限公司
张明
株洲南车时代电气股份有限公司
戴小平
株洲南车时代电气股份有限公司
颜骥
株洲南车时代电气股份有限公司
唐龙谷
株洲南车时代电气股份有限公司
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作者
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陈芳林
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20篇
2007
2篇
2006
共
85
条 记 录,以下是 1-10
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被引量排序
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逆导型IGCT补偿性PNP隔离技术研究
随着IGCT器件及应用技术的发展,IGCT器件已成为大功率变流装置的首选器件,而逆导型IGCT器件因为GCT与续流FRD反并联集成在同一个芯片上,可优化装置设计、结构、重量及体积等,被广泛应用与煤矿、冶金、能源等领域。株...
陈芳林
唐龙谷
陈勇民
高建宁
张明
集成门极换流晶闸管中阴极图形的排布方法
集成门极换流晶闸管中阴极图形的排布方法,阴极梳条采取分区复合方式排布:结合圆周排布和矩形排布各自的优点,在分区内部采用矩形排布,而各个分区之间仍按圆周排布。分区的方式各不相同,有些还充许局部修改梳条的位置或尺寸。所述的分...
张明
戴小平
李继鲁
蒋谊
陈芳林
文献传递
半导体器件芯片台面喷腐局部防护方法及装置
半导体器件芯片台面喷腐方法及装置,在芯片台面喷腐处理时,对芯片上需要保护的表面部分采取遮盖式保护方式,保护芯片上需要保护的表面部分不受损害。通过一套遮盖式保护系统,盖住芯片上需要保护的表面部分,以保证芯片上需要保护的表面...
张明
李继鲁
蒋谊
陈芳林
文献传递
半导体器件(3)
张明
戴小平
李继鲁
蒋谊
陈芳林
晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法
本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法,该制备方法包括以下步骤:准备N-型衬底,对N-型衬底正面进行选择性P+扩散处理,形成P+短基区。对N-型衬底正面进行P扩散处理,形成P基区。进行N+预沉...
唐龙谷
冯江华
吴煜东
陈勇民
陈芳林
文献传递
半导体器件
一种半导体器件,包括门极换流晶闸管和印刷电路板;门极换流晶闸管包括阳极端(103)、阴极端(101)、管壳(105)以及由管壳(105)外壁引出的门极引线(111);门极引线(111)具有安装面(112);印刷电路板包括...
张明
李继鲁
蒋谊
陈芳林
邹昌
彭华文
文献传递
一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及机构
一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及装置机构,在半导体元件芯片台面灌胶模具的上模和下模上分别设置脱模应力分散机构,通过脱模应力分散装置机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后脱模。其方法可以是在台面灌胶模具的上模和下模模芯中...
张明
李继鲁
蒋谊
陈芳林
文献传递
半导体器件加工工具(隔片)
1.俯视图、仰视图与主视图相同,省略俯视图、仰视图;;2.后视图与主视图对称,省略后视图;;3.本外观设计为半导体芯片腐蚀加工中的夹持零件,设计要点在于产品的外形。
张明
李继鲁
蒋谊
陈芳林
一种逆导型集成门极换流晶闸管
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管,包括:GCT、FRD,以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向...
陈芳林
刘可安
唐龙谷
张弦
雷云
文献传递
IGCT阴极图形排布的优化设计
被引量:1
2010年
简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善了门极电流通道。
程银华
陈芳林
彭文华
关键词:
IGCT
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