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陈芳林

作品数:85 被引量:37H指数:5
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域:电子电信经济管理金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 72篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 37篇半导体
  • 26篇晶闸管
  • 24篇阴极
  • 23篇门极
  • 22篇芯片
  • 21篇半导体器件
  • 19篇门极换流晶闸...
  • 19篇换流
  • 16篇电极
  • 15篇梳条
  • 14篇集成门极换流...
  • 11篇阳极
  • 11篇半导体芯片
  • 11篇IGCT
  • 10篇电力
  • 10篇电力电子
  • 10篇电力电子器件
  • 10篇电子器件
  • 9篇二极管
  • 6篇电子辐照

机构

  • 85篇株洲南车时代...

作者

  • 85篇陈芳林
  • 63篇蒋谊
  • 62篇张明
  • 31篇戴小平
  • 11篇唐龙谷
  • 11篇颜骥
  • 10篇高建宁
  • 9篇张弦
  • 7篇雷云
  • 5篇彭文华
  • 4篇陈彦
  • 4篇冯江华
  • 4篇邹昌
  • 4篇程银华
  • 4篇刘可安
  • 4篇潘学军
  • 3篇曾文彬
  • 3篇彭华文
  • 2篇刘旭君
  • 2篇喻影

传媒

  • 8篇大功率变流技...
  • 2篇变流技术与电...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 11篇2015
  • 2篇2014
  • 6篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 8篇2010
  • 10篇2009
  • 15篇2008
  • 20篇2007
  • 2篇2006
85 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
逆导型IGCT补偿性PNP隔离技术研究
随着IGCT器件及应用技术的发展,IGCT器件已成为大功率变流装置的首选器件,而逆导型IGCT器件因为GCT与续流FRD反并联集成在同一个芯片上,可优化装置设计、结构、重量及体积等,被广泛应用与煤矿、冶金、能源等领域。株...
陈芳林唐龙谷陈勇民高建宁张明
集成门极换流晶闸管中阴极图形的排布方法
集成门极换流晶闸管中阴极图形的排布方法,阴极梳条采取分区复合方式排布:结合圆周排布和矩形排布各自的优点,在分区内部采用矩形排布,而各个分区之间仍按圆周排布。分区的方式各不相同,有些还充许局部修改梳条的位置或尺寸。所述的分...
张明戴小平李继鲁蒋谊陈芳林
文献传递
半导体器件芯片台面喷腐局部防护方法及装置
半导体器件芯片台面喷腐方法及装置,在芯片台面喷腐处理时,对芯片上需要保护的表面部分采取遮盖式保护方式,保护芯片上需要保护的表面部分不受损害。通过一套遮盖式保护系统,盖住芯片上需要保护的表面部分,以保证芯片上需要保护的表面...
张明李继鲁蒋谊陈芳林
文献传递
半导体器件(3)
张明戴小平李继鲁蒋谊陈芳林
晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法
本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法,该制备方法包括以下步骤:准备N-型衬底,对N-型衬底正面进行选择性P+扩散处理,形成P+短基区。对N-型衬底正面进行P扩散处理,形成P基区。进行N+预沉...
唐龙谷冯江华吴煜东陈勇民陈芳林
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半导体器件
一种半导体器件,包括门极换流晶闸管和印刷电路板;门极换流晶闸管包括阳极端(103)、阴极端(101)、管壳(105)以及由管壳(105)外壁引出的门极引线(111);门极引线(111)具有安装面(112);印刷电路板包括...
张明李继鲁蒋谊陈芳林邹昌彭华文
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一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及机构
一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及装置机构,在半导体元件芯片台面灌胶模具的上模和下模上分别设置脱模应力分散机构,通过脱模应力分散装置机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后脱模。其方法可以是在台面灌胶模具的上模和下模模芯中...
张明李继鲁蒋谊陈芳林
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半导体器件加工工具(隔片)
1.俯视图、仰视图与主视图相同,省略俯视图、仰视图;;2.后视图与主视图对称,省略后视图;;3.本外观设计为半导体芯片腐蚀加工中的夹持零件,设计要点在于产品的外形。
张明李继鲁蒋谊陈芳林
一种逆导型集成门极换流晶闸管
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管,包括:GCT、FRD,以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向...
陈芳林刘可安唐龙谷张弦雷云
文献传递
IGCT阴极图形排布的优化设计被引量:1
2010年
简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善了门极电流通道。
程银华陈芳林彭文华
关键词:IGCT
共9页<123456789>
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