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宋世娇

作品数:10 被引量:9H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇纳米
  • 6篇波导
  • 5篇微环
  • 4篇导光
  • 4篇纳米线
  • 4篇光学
  • 4篇光栅
  • 4篇AWG
  • 4篇波导光栅
  • 3篇阵列
  • 3篇阵列波导
  • 3篇阵列波导光栅
  • 3篇集成光学
  • 3篇光纤
  • 3篇光纤到户
  • 3篇SI纳米线
  • 2篇单纤三向器
  • 2篇探测器
  • 2篇微环谐振
  • 2篇微环谐振器

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇空军航空大学

作者

  • 10篇宋世娇
  • 10篇安俊明
  • 9篇胡雄伟
  • 8篇吴远大
  • 6篇赵雷
  • 2篇张家顺
  • 2篇王玥
  • 2篇李俊一
  • 1篇王亮亮
  • 1篇胡海云
  • 1篇周志明

传媒

  • 3篇光电子.激光
  • 1篇光学技术
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇全国第14次...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 7篇2010
  • 1篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅纳米槽微环谐振器温度特性研究被引量:4
2010年
理论上模拟分析了硅基绝缘(SOI)槽波导微环谐振腔加盖SiO2包覆层情况下的温度稳定特性。对比了槽微环和纳米线微环,以及不同结构的槽微环谐振腔的温度稳定性。得到在室温下,5μm半径槽微环在1.55μm附近的谐振波长随温度变化为0.049nm/℃,而相同温度、半径以及折射率情况下纳米线微环谐振波长随温度变化为0.092nm/℃,是槽微环的1.88倍。而且改变槽微环的槽宽和两侧Si条的宽度也会对微环的温度特性有影响,增加槽宽或者减小Si条宽度都会使谐振波长随温度的变化进一步减小。通过采用负温度系数聚合物材料WIR30-490和优化槽波导的结构参数,使得温度对微环谐振波长的影响降低到0.0023nm/℃。
宋世娇安俊明赵雷吴远大胡雄伟
关键词:集成光学微环温度稳定性
Si纳米线阵列波导光栅制备被引量:4
2010年
采用绝缘层上Si(SOI)材料设计制备了3×5纳米线阵列波导光栅(AWG),器件大小为110μm×100μm。利用简单传输法模拟了器件的传输谱,并采用二维时域有限差分(FDTD)模拟中心通道输出光场的稳态分布,模拟结果表明,器件的通道间隔为11 nm,通道间的串扰为18 dB。通过电子束曝光(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀制备了所设计的器件,光输出谱测试分析表明,器件中心通道的片上损耗为9 dB,通道间隔为8.36~10.40 nm,中心输出通道的串扰为6 dB。在误差允许范围内,设计和测试的结果一致。
张家顺安俊明赵雷宋世娇吴远大胡雄伟
基于硅纳米线AWG的超紧凑单纤三向滤波器设计
本文采用绝缘层上硅(SOI)纳米线阵列波导光栅(AWG)结构设计了超紧凑光纤到户(FTTH)单纤三向滤波器(Triplexer)。二维时域有限差分(FDTD)模拟输出光场表明三个波长光信号输出光场清晰,实现了1490hm...
安俊明李俊一宋世娇赵雷吴远大胡雄伟
关键词:光纤到户波导光栅
文献传递
硅纳米槽微环传感器的优化
槽波导微环谐振器的谐振光谱对槽内材料折射率的改变有很好的响应特性,可以作为传感器应用于对气体,液体等的探测。本文分析纳米线微环和槽波导微环对环境折射率变化的灵敏度,以及Wh(两侧Si条的宽度)和Ws(中间的槽宽)的变化对...
宋世娇安俊明赵雷王亮亮吴远大胡雄伟
关键词:集成光学微环传感器
文献传递
8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作被引量:2
2010年
设计了基于绝缘层上硅(SOI)材料的8通道Si纳米线阵列波导光栅(AWG),器件的通道间隔为1.6nm,面积为420μm×130μm。利用传输函数法模拟了器件传输谱,结果表明,器件的通道间隔为1.6nm,通道间串扰为17dB。给出了结合电子束光刻(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀技术制备器件的详细流程。光谱测试结果分析表明,器件通道间隔为1.3~1.6nm,通道串扰为3dB,中心通道损耗为11.6dB。
赵雷安俊明张家顺宋世娇吴远大胡雄伟
槽波导微环谐振型单纤三向器
一种槽波导微环谐振型单纤三向器,包括:一衬底;一槽波导双微环两路滤波器,制作于衬底上,该槽波导双微环两路滤波器包括:一个主通道波导,一第一波导双微环,一第二波导双微环,一第一下载波导,一第二下载波导;其中,主通道波导,第...
宋世娇安俊明王玥吴远大胡雄伟
slot波导包覆层对功率密度的影响
2010年
理论模拟研究了硅基绝缘(SOI)的slot波导中槽内限制功率与slot波导的结构参数以及包覆层折射率的关系。结果表明,如果包覆层的折射率偏离衬底SiO2的折射率,相同参数下的slot波导的传输损耗大于包覆层为SiO2的结构的传输损耗。分析表明,如果包层与衬底折射率不同,限制的光功率会从slot缝隙中渗透到折射率较高的衬底或者包层中,从而引起能量的损耗。理论模拟得到了在缝隙宽度为0.12μm的情况下,slot波导槽内最大的光功率限制为28.54%,这个值包含了纳米线波导与slot波导直接耦合产生的耦合损耗以及slot波导自身的传输损耗。
宋世娇安俊明胡雄伟
关键词:集成光学SOI
槽波导微环谐振型单纤三向器
一种槽波导微环谐振型单纤三向器,包括:一衬底;一槽波导双微环两路滤波器,制作于衬底上,该槽波导双微环两路滤波器包括:一个主通道波导,一第一波导双微环,一第二波导双微环,一第一下载波导,一第二下载波导;其中,主通道波导,第...
宋世娇安俊明王玥吴远大胡雄伟
文献传递
基于Si纳米线AWG的超紧凑单纤三向滤波器设计
2010年
采用绝缘层上Si(SOI)纳米线阵列波导光栅(AWG)结构设计了超紧凑光纤到户(FTTH)单纤三向滤波器。二维时域有限差分(2D-FDTD)模拟输出光场表明,3个波长光信号输出光场清晰,实现了1490 nm和1550nm下行波长的解复用和1310 nm波长的上传复用功能;进一步的输出功率模拟表明,当各波长信号输入功率为1 mW时,1490 nm端口输出功率为0.49 mW,1550 nm端口输出功率为0.49 mW,1310 nm上传信号功率为0.55 mW,相应的插入损耗分别约为-3.1、-3.1和-2.6 dB。各端口的串扰光功率可被抑制到-25.2 dBm以下,相应的串扰小于-22.6 dB。采用电子束(EB)光刻结合诱导耦合等离子干法(ICP-RIE)刻蚀,制备出了Si纳米线单纤三向滤波器,经红外CCD成像观察到器件具有3个波长的分波功能。
安俊明李俊一宋世娇赵雷吴远大胡雄伟
基于硅基槽波导的单纤三向滤波器的研究
2010年
设计了基于硅基槽波导的微环谐振型单纤三向滤波器。基于电磁场理论得到了二维情形下的硅基槽波导的模场及有效折射率随波长的变化关系,在此基础上,利用硅基槽微环谐振腔谐振波长与微环半径的关系,优化得到了可将1490nm和1550nm两个下载波长分开的谐振环半径,并同时将1310nm波长上传,三个波长信号从不同端口输出,成功地实现了三向器滤波功能。利用传递函数法模拟了所设计的硅基槽微环谐振型三向滤波器的输出光谱,结果显示其串扰可低至-16.9dB。
周志明胡海云宋世娇安俊明
关键词:导波光学光纤到户微环谐振器
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