宋翠华
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国海洋大学信息科学与工程学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 硅微尖的场发射电子能谱
- 在信息日益发达的社会里，信息显示器件具有非常重要的地位。阴极射线管(cathode ray tube：CRT)显示是最早的，最成熟的，也是性能价格比最高的信息显示技术，但CRT存在体积庞大，笨重等缺陷。场发射显示技术是能...
- 宋翠华
- 关键词：显示器半导体硅平板显示
- 文献传递
- 具有微小栅极孔径的场发射阴极的模拟被引量：2
- 2006年
- 利用有限元方法计算了具有微小栅极孔径的Spindt结构场发射阴极在不同栅极形状、孔径、电压下的电场分布和电子轨迹,并根据电子运动轨迹计算了场发射电子束的发散角和发射效率。计算结果表明微小栅极孔径可以有效减小场发射电子束的发散,同时通过调整栅极的形状可以获得较高的场发射效率。
- 宋翠华刘爱青郭大勃元光
- 关键词：场发射发散角有限元方法
- 金属微尖生长碳纳米管的变温场发射研究被引量：1
- 2007年
- 考察了温度变化对生长在金属针尖上的碳纳米管场发射的影响,发现碳纳米管场发射电流随温度升高而增大,场发射电流的稳定性基本没有变化,但是其温度依赖性随金属衬底不同而有明显的差异.这可能是来自碳纳米管的不均匀性以及碳纳米管与衬底界面接触势垒随温度变化的影响.
- 郭大勃元光宋翠华顾长志王强
- 关键词：场发射碳纳米管温度特性
- n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算被引量：1
- 2008年
- 结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1eV。导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象。
- 元光曹崇龙宋翠华宋航屿拹秀隆三村秀典
- 关键词：场发射电子能谱
- 具有汇聚特性的场发射电子源的模拟研究
- 2008年
- 提出了一种具有汇聚特性的新型场发射阴极结构,利用有限元方法模拟计算了此种阴极结构在不同参数条件下的电场分布、电子轨迹,考察了不同参数对电子汇聚效果的影响,给出了此种场发射阴极的栅极-阴极间距、栅极宽度、阳极电压、栅极电压等基本参数对汇聚效果的影响。模拟计算结果表明,电子束的汇聚程度随着栅极-阴极间距的增大而增大,随着栅极宽度的增大而减小;电子束的汇聚程度与阳极电压、栅极电压参数密切相关,并存在最优参数。
- 蒋进京宋翠华曹崇龙元光蒋红宋航
- 关键词：场发射有限元
- 碳纳米管的变温场发射被引量：2
- 2007年
- 考察了温度变化对沉积在钨丝针尖上的碳纳米管场发射的影响,发现碳纳米管场发射电流随温度升高而增大,场发射电流的稳定性基本没有变化.多根碳纳米管的场发射特性随温度变化出现偏离Fowler-Nordheim理论的现象,这种现象可能来自碳纳米管的不均匀性.
- 郭大勃元光宋翠华顾长志王强
- 关键词：场发射碳纳米管温度特性
