曹崇龙
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国海洋大学信息科学与工程学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算被引量：1
- 2008年
- 结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1eV。导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象。
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- 关键词：场发射电子能谱
- TiN表面电子结构及TaN各相稳定性的第一性原理计算
- 过渡族金属氮化物由于具有高强度、高硬度、耐高温,耐磨损以及良好的导电性、导热性等一系列优点,并可通过化学气相沉积/(CVD/),物理气相沉积/(PVD/)原子层沉积/(ALD/)等方法制备,与硅器件工艺兼容,可以被广泛的...
- 曹崇龙
- 关键词：TINTAN密度泛函
- 文献传递
- 具有汇聚特性的场发射电子源的模拟研究
- 2008年
- 提出了一种具有汇聚特性的新型场发射阴极结构,利用有限元方法模拟计算了此种阴极结构在不同参数条件下的电场分布、电子轨迹,考察了不同参数对电子汇聚效果的影响,给出了此种场发射阴极的栅极-阴极间距、栅极宽度、阳极电压、栅极电压等基本参数对汇聚效果的影响。模拟计算结果表明,电子束的汇聚程度随着栅极-阴极间距的增大而增大,随着栅极宽度的增大而减小;电子束的汇聚程度与阳极电压、栅极电压参数密切相关,并存在最优参数。
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- 关键词：场发射有限元
