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崔铮

作品数：5 被引量：14H指数：2
供职机构：中国科学院光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇机械工程

主题

  • 2篇微机械
  • 2篇微细
  • 2篇微细加工
  • 2篇牺牲层
  • 2篇抗蚀剂
  • 2篇光致
  • 2篇光致抗蚀剂
  • 1篇电路
  • 1篇衍射
  • 1篇衍射光学
  • 1篇衍射光学元件
  • 1篇石英
  • 1篇损耗
  • 1篇离轴
  • 1篇离轴照明
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇集成电路
  • 1篇焦深
  • 1篇工作气体

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇崔铮
  • 2篇周明宝
  • 1篇林大键
  • 1篇周崇喜
  • 1篇冯伯儒
  • 1篇范建兴

传媒

  • 2篇光学精密工程
  • 2篇微细加工技术
  • 1篇光电工程

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
用光致抗蚀剂作牺性层材料制作可动微机械被引量：3
1998年
报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先，光致抗蚀剂能直接涂敷，能直接光刻成形。此外，用光致抗蚀剂作牺牲层材料不影响结构的厚度和材料的选择。工艺优化后，结构洁净度、固定件与基片的结合强度及牺牲层去除速度都得到了改善。
周明宝崔铮
关键词：光致抗蚀剂牺牲层微机械
用CHF_3/Ar为工作气体刻蚀融石英被引量：2
1999年
报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术。研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，采用Ｒｓ１／Ｄｉｓｃｏｖｅｒ软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率范围在１２０～１６０Ｗ，氩气和氟利昂流速分别在１５～３５ｓｃｃｍ（１ｃｍ３／ｍｉｎｓｔａｎｄａｒｄｃｕｂｉｃｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ／ｍｉｎｕｔｅ）和２０～５０ｓｃｃｍ范围，腔压在１３～１９Ｐａ范围，相应的刻蚀速度为１５～２５ｎｍ／ｍｉｎ。
周明宝崔铮Prewett D P
关键词：石英反应离子刻蚀氟利昂衍射光学元件
离轴照明成像研究
1996年
本文阐述了离轴照明提高曝光分辨率和增加焦深的原理，应用Ｈｏｐｋｉｎｓ理论研究了其成像特性。给出了两种离轴照明方式──四极照明和环形照明下的空间像分布，并和传统照明方式下的空间像分布作比较。计算结果说明，采用离轴照明使得曝光分辨率和焦深得到了很大的提高。
周崇喜林大键冯伯儒范建兴崔铮
关键词：离轴照明分辨率焦深微细加工
VLSI曝光技术的现状与未来被引量：9
1995年
本文简要介绍了用于超大规模集成电路微细加工的各种曝光技术，包括光学方法，电子束、离子束和Ｘ射线技术。比较了它们的优缺点，综述了国际上近年来在这些光刻技术方面的进步以及今后的发展趋势。
崔铮
关键词：集成电路微细加工VLSI
用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械
1997年
报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。要求的掩模数减到最少。同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先，光致抗蚀剂能直接涂敷，能直接光刻成形。此外，用光致抗蚀剂作牺牲层材料不影响结构的厚度和材料的选择。工艺优化后，结构洁净度、固定件与基片的结合强度及牺牲层去除速度都得到了改善。
崔铮D.Prewett
关键词：光致抗蚀剂微机械光刻工艺
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