徐少辉
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
- 供职机构：新疆大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 硒化共溅射Cu-In合金法制备CuInSe_2多晶薄膜被引量：2
- 2001年
- 用共溅射方法和固态源硒化法 ,分别合成了 Cu- In合金膜和 Cu In Se2 (CIS)多晶薄膜 ,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术 ,分别测量了两种薄膜的结构、表面形貌及其电学性质 .分析结果显示 ,Cu- In合金膜仅有单峰 ,晶面间距约 2 .13A,CIS薄膜的几个主峰与 PDF卡中的数据对应得很好 ,并且 (112 )峰有择优取向 .CIS样品的电学参数随着 Cu/ In比例和基片种类的不同而变化 ,面电阻从几个到几十个 Ω/□ ,面载流子浓度达 10 18/ cm2数量级 ,迁移率在 0 .1～ 3.0 cm2 / V.s之间 .并讨论了 Cu/ In比例对两种薄膜性质的影响 ,分析结果显示 ,In占总溅射面积的 3%是 Cu/In比例的转折点 .此时 ,CIS薄膜的结构、PN导电类型都有明显变化 。
- 徐少辉马忠权李冬来简继康郑毓峰
- 关键词：电学性质半导体材料
- 固相反应法合成黄铜矿型CuInSe_2多晶粉末及其蒸发薄膜的光电性能分析
- 2000年
- 本语文用室温固相反应法和真空蒸发法分别合成了黄铜矿型ＣｕＩｎＳｅ２多晶粉杯和制备了富Ｃｕ的ＣｕｘＩｎ１－ｘＳｅ２薄膜，用ＸＲＤ，ＩＣＰ，ＨＡＬＬ和ＵＶ－ＶＩＳ波段光透射分别测量了样品的原子结构，化学成分及光电性能，发现在两元固相反应中，Ｉｎ－Ｓｅ反应很不完全而Ｃｕ－Ｓｅ就不能反应，而三元固相反应的粉末样品中即使有些杂质，但黄铜矿型ＣｕＩｎＳｅ２的衍射峰非常突出，而且所得粉末样品都是富Ｃｕ的。
- 徐少辉马忠权郑毓峰李东来简基康
- 关键词：固相反应黄铜光电性
- 共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析被引量：2
- 2002年
- 采用共溅射方法制备了 Cu-In合金膜 ,并讨论了 Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对 Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响 .结果显示 ,Cu-In合金膜仅有单峰 ,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变 .用费 -桑理论对 Cu-In合金薄膜的电学性质进行了分析 ,临界厚度的讨论结果表明 ,溅射 3～ 4min是面电阻的转变点 。
- 马忠权徐少辉郑毓峰简基康李冬来
- 关键词：电学性质
- 射频溅射Indium-Tin-Oxide薄膜的结构和光电性质
- 2000年
- 用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.
- 简基康郑毓峰马忠权李冬来徐少辉
- 关键词：射频溅射ITO薄膜氧化物半导体光电性质
