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杨潇楠

作品数：19 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 12篇纳米
  • 12篇纳米晶
  • 12篇存储器
  • 6篇衬底
  • 5篇硅衬底
  • 5篇非挥发性存储...
  • 5篇浮栅
  • 5篇编程
  • 4篇硅纳米晶
  • 4篇编程方式
  • 3篇电路
  • 3篇受性
  • 3篇耐受
  • 3篇耐受性
  • 3篇编程效率
  • 3篇存储器阵列
  • 2篇单色光
  • 2篇氮化
  • 2篇电镜
  • 2篇载流子

机构

  • 19篇中国科学院微...
  • 1篇安徽大学
  • 1篇成都信息工程...

作者

  • 19篇杨潇楠
  • 19篇刘明
  • 18篇王永
  • 16篇王琴
  • 6篇张满红
  • 6篇霍宗亮
  • 3篇龙世兵
  • 2篇刘璟
  • 2篇姜丹丹
  • 2篇靳磊
  • 1篇张森
  • 1篇涂德钰
  • 1篇刘琦
  • 1篇李维龙
  • 1篇陈宝钦
  • 1篇管伟华
  • 1篇胡媛
  • 1篇陈军宁
  • 1篇代月花
  • 1篇谢常青

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种应用于三维存储领域的低压带隙基准产生电路
本发明公开了一种应用于三维存储领域的低压带隙基准产生电路，该低压带隙基准产生电路包括依次连接的启动电路、运算放大器和核心电路，其中：启动电路，用于产生该运算放大器所需的偏置电流和偏置电压，从而保证运算放大器工作在正常状态...
李婷霍宗亮靳磊刘璟曹华敏王瑜姜丹丹杨潇楠刘明
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一种基于纳米晶的NAND存储器及其制作方法
本发明涉及一种基于纳米晶的NAND存储器及其制造方法，该存储器包括纳米晶存储单元和选择晶体管。纳米晶存储单元包括硅衬底，位于硅衬底中两侧的源导电区和漏导电区，源导电区与漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层，覆盖在隧...
王琴杨潇楠王永张满红霍宗亮刘明
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一种在线检测硅纳米晶形态的方法
本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各...
刘明王永王琴杨潇楠
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纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法
本发明公开了一种纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，所述阵列由多个纳米晶浮栅存储器组成，并且还包括多条相互平行排列的位线和多条相互平行排列的字线，每个纳米晶浮栅存储器包括一个存储单元，每个存储单元均连接一条位线和一条字线，且...
王琴杨潇楠王永张满红霍宗亮刘明
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一种在线检测硅纳米晶形态的方法
本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各...
刘明王永王琴杨潇楠
硅纳米晶存储器的耐受性研究
2014年
首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性。接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因。随后,同时采用多种分析手段,如电荷泵法和CV曲线分析法对界面陷阱的退化机理进行了更深入细致的研究。从界面陷阱在禁带中的能级分布中发现,相较于未施加应力时界面陷阱的双峰分布,施加应力后产生了新的Pb1中心的双峰。最后,分别从降低擦写电压和对载流子预热的角度提出了三种新的编程方法,有效提高了硅纳米晶存储器件的耐受性。
姜丹丹霍宗亮靳磊杨潇楠王永刘明
关键词：耐受性能级分布
2T纳米晶存储器阵列及其操作方法
本发明提供了一种2T纳米晶存储器阵列及其操作方法。该阵列包括2T纳米晶存储器、位线、源线、字线、选择晶体管字线、中间线和衬底，其中2T纳米晶存储器包括存储单元和选择晶体管。整个存储器阵列的衬底连接在一起，位线也连接在一起...
王琴杨潇楠王永张满红霍宗亮刘明
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一种基于应变硅的纳米晶非挥发性存储器及其制作方法
本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域的一种基于应变硅的纳米晶非挥发性存储器，包括硅衬底，淀积在硅衬底上的GeSi渐变掺杂缓冲层、Ge<Sub>1-x</Sub>Si<Sub>x</Sub>舒缓层和应变硅层，位于硅衬底...
王琴杨潇楠刘明王永
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基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法
本发明涉及基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法，属于存储器技术领域。所述存储方法采用热电子注入为编程方式，以FN隧穿为擦除方式，以读电流大小来区分00、01、10、11四种存储状态，从而可以在同样的面积下实现...
王琴杨潇楠刘明王永
一种基于纳米晶的平行栅OTP存储器
本发明公开了一种基于纳米晶的平行栅OTP存储器，属于半导体集成电路器件技术领域。所述OTP存储器包括：P型硅衬底、隧穿介质层、覆盖在隧穿介质层上控制栅、覆盖在隧穿介质层上的纳米晶电荷存储层、源导电区、中间结及漏导电区。本...
王琴杨潇楠刘明王永
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