桑立雯
- 作品数：29 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 通过应力调节LED发光波长的方法及相应的白光LED
- 本发明提供了一种调节LED发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层，再沉积一层SiO<Sub>2</Sub>薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触...
- 张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁
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- AlGaN紫外光探测器
- 我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基接触,从而成功研制出了AlGaN紫外光肖特基型探测器.其中,器件最短的截止波长...
- 岑龙斌桑立雯周绪荣秦志新张国义
- 关键词：ALGAN材料紫外光探测器肖特基接触欧姆接触
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- 一种AlN缓冲层的生长方法
- 本发明提供了一种AlN缓冲层的生长方法，采用金属有机化学气相沉积方法，以氢气作为载气，TMAl和NH<Sub>3</Sub>分别作为Al源和N源，控制温度为1050℃－1200℃，压力为100－200torr，V/III...
- 桑立雯杨志坚秦志新方浩于彤军张国义
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- 背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器被引量：1
- 2009年
- 在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。
- 丁嘉欣成彩晶张向锋张晓兵鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义
- 关键词：ALGAN探测器
- 脉冲缓冲层对蓝宝石衬底上生长的AlN位错密度的影响
- 在蓝宝石衬底上采用交替通铝源和氨气的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显...
- 桑立雯秦志新方浩代涛杨志坚沈波张国义张小平俞大鹏
- 关键词：化合物半导体氮化铝薄膜透射电镜位错密度
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- 背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器被引量：1
- 2008年
- 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm.Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.
- 成彩晶丁嘉欣张向锋赵鸿燕鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义
- 关键词：外量子效率探测率
- 一种双波长单芯片发光二极管
- 本发明公开了一种双波长单芯片发光二极管，属于半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术领域。该器件包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层，上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构，所述两个...
- 陶岳彬杨志坚方浩桑立雯李丁张国义
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- 一种生长p型AlGaN的方法
- 本发明公开了一种生长p-AlGaN的方法，在用金属有机化学气相沉积方法生长p型AlGaN层时同时通入三甲基铟作为活性剂。通常采用高纯氢气作为载气，三甲基镓、三甲基铝和氨气分别作为Ga源、Al源和N源，二茂镁作为p型掺杂剂...
- 张国义桑立雯秦志新张延召杨志坚于彤军方浩
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- 电注入调控三基色单芯片白光发光二极管
- 本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED)，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、...
- 张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁童玉珍
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- 一种单芯片白光发光二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种单芯片白LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370-420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光...
- 杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁张国义
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