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陶岳彬

作品数:19 被引量:4H指数:2
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 14篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 12篇发光
  • 9篇二极管
  • 9篇发光二极管
  • 8篇白光
  • 7篇单芯片
  • 6篇白光发光二极...
  • 5篇欧姆接触
  • 5篇光电转化效率
  • 5篇白光LED
  • 4篇氮化镓
  • 4篇气相外延
  • 4篇氢化物气相外...
  • 4篇自支撑
  • 4篇金属有机物
  • 4篇金属有机物化...
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇应力
  • 3篇厚膜
  • 3篇波长

机构

  • 19篇北京大学

作者

  • 19篇陶岳彬
  • 18篇张国义
  • 14篇方浩
  • 14篇杨志坚
  • 10篇李丁
  • 10篇桑立雯
  • 7篇于彤军
  • 7篇陈志忠
  • 4篇李兴斌
  • 2篇童玉珍
  • 2篇康香宁
  • 1篇陆羽
  • 1篇孙永健
  • 1篇姜爽
  • 1篇赵璐冰
  • 1篇钟灿涛
  • 1篇王溯源
  • 1篇俞锋

传媒

  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 6篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
背面出光的单芯片白光发光二极管及其制备方法
本发明提供了一种背面出光的单芯片白光LED及其制备方法,在双面抛光的蓝宝石衬底上依次层叠非掺杂GaN层、蓝光有源层、黄绿光光致荧光层、n型欧姆接触层、紫外光有源层和p型欧姆接触层,其中:所述紫外光有源层是可发射紫外光波段...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁
文献传递
电注入调控三基色单芯片白光发光二极管
本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED),在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层,或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁童玉珍
文献传递
GaN基微米LED大注入条件下发光特性研究
2012年
利用变注入强度的电致发光(EL)测试和数值模拟方法研究了微米LED大注入条件下的发光特性。EL测试结果显示,微米LED(10μm)在工作电流密度高达16kA/cm2时光功率密度输出未饱和,同时不存在明显的由于自热效应引起的发光波长红移。和300μm LED相比,相同注入水平下,10μm LED的EL峰值波长相对蓝移,表明微米LED中存在应力弛豫,10μmLED相对300μm LED应力弛豫大了约23%。APYSY模拟发现,由于应力弛豫和良好的电流扩展,微米LED中电流分布和载流子浓度更加均匀,这种均匀的分布使得微米LED具有高的发光效率,同时能够承受高的电流密度。
王溯源陶岳彬陈志忠俞锋姜爽张国义
关键词:GAN
一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法
本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法,属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上,沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜;随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口,利用物理...
于彤军方浩陶岳彬李兴斌陈志忠杨志坚张国义
电注入调控三基色单芯片白光发光二极管
本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED),在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层,或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁童玉珍
文献传递
一种单芯片白光发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种单芯片白LED及其制备方法,该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层,其中:有源层为可发射370-420nm的近紫外光波段的量子阱,光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光...
杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁张国义
文献传递
通过应力调节LED发光波长的方法及相应的白光LED
本发明提供了一种调节LED发光波长的方法,是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层,再沉积一层SiO<Sub>2</Sub>薄膜作为掩膜,在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口,然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁
文献传递
80um厚膜自支撑同质外延LED生长及特性研究
为解决异质外延造成的高缺陷密度及应力引起极化效应等负面影响,本文利用MOCVD、HVPE结合LLO等技术实现80um厚膜自支撑结构同质外延。高分辨X射线衍射(HR-XRD)(0002)方向上的摇摆曲线分析,得知厚膜自支撑...
李俊泽陶岳彬陈志忠姜显哲付星星于彤军康香宁张国义
一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法
本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法,属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上,沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜;随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口,利用物理...
于彤军方浩陶岳彬李兴斌陈志忠杨志坚张国义
文献传递
GaN基大功率蓝光LED的MOCVD生长和改善效率骤降特性的研究
GaN基大功率蓝光LED已经取得了广泛应用,包括特种照明、景观照明、汽车照明、背光源、全色显示的广泛应用,更重要的是通用照明市场的开拓,它已经是是半导体器件研究的热点话题。大功率LED存在的两个主要问题:(1)缺少高效率...
陶岳彬
关键词:MOCVD生长
共2页<12>
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