梁慧
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
- 供职机构：济南大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程理学更多>>
- 纳米-微米烧结石英玻璃烧结动力的研究
- 2007年
- 研究了烧成温度及升温速率对纳米—微米烧结石英玻璃烧成性能的影响。通过分析X-Ray衍射图谱、扫描电镜照片及试样性能测定的结果,并结合烧结机理来研究纳米—微米烧结石英玻璃在烧结过程中的烧结动力学。确定了最佳的烧成制度,来促进烧结石英玻璃更好的烧结,并避免试样在烧结过程中析晶。
- 韩龙侯宪钦梁慧
- 关键词：烧成制度析晶
- CaZr_4(PO_4)_6陶瓷力学及介电性能研究被引量：1
- 2006年
- CaZr4(PO4)6(简称CZP)属于NZP族材料。本文用共沉淀法合成了CZP粉体。粉料添加3%的ZnO作为助烧剂在100MPa压力下单面加压成型,坯体在1100℃下无压烧结2h制成CZP陶瓷。讨论了CZP陶瓷的抗弯强度及介电性能(包括介电常数和介质损耗)与工艺参数间的影响关系,并用扫描电镜对陶瓷断面进行观察。实验测得CZP陶瓷的抗弯强度为59.45MPa,介电常数为3.85,属于低介电材料。
- 韩龙侯宪钦梁慧
- 关键词：抗弯强度介电性能
- K_(2(1-x))Sr_xZr_4(PO_4)_6陶瓷力学及介电性能研究被引量：2
- 2006年
- K_(2(1-x))Sr_xZr_4(PO_4)_6(x=0,0.5,1.0,简称KSZP)属于NZP族材料。本文用直接共沉淀法合成了KSZP粉体。粉料添加质量分数分别为3%的ZnO和3%的SiO2作为助烧剂在100MPa压力下单面加压成型,坯体在1100℃下无压烧结制成KSZP陶瓷。讨论了KSZP陶瓷的抗弯强度及介电性能与工艺参数间的关系,并用扫描电镜对陶瓷断面进行观察,用压汞仪对气孔率进行测试。实验测得KSZP陶瓷的抗弯强度分别为109.00MPa、88.32MPa和72.18MPa,介电常数为7.26、5.12和4.52,均属于低介电材料。
- 侯宪钦于乐海陈学江周丽玮韩龙范素华梁慧
- 关键词：抗弯强度介电性能
- Ca_(1-x)Ba_xZr_4(PO_4)_6陶瓷材料体系配比对其抗弯强度的影响被引量：1
- 2005年
- 采用共沉淀法合成了Ca1-xBaxZr4(PO4)6(x=0,025,0.5,0.75,1.0,简称CBZP)陶瓷粉体的前驱物。控制反应过程中溶液的pH值,并用低分子有机溶剂分散处理共沉淀物,防止反应过程中及固液分离过程中团聚体的形成。将先驱物在900℃下煅烧2h后,经XRD分析发现为单相的Ca1-xBaxZr4(PO4)6粉体。将CBZP系列粉体在100MPa下干压成型,添加3%质量分数的ZnO为助烧剂在1100℃下无压烧结2h,制成CBZP系列陶瓷。研究了x取值和抗弯强度值的关系及微观形貌对抗弯强度的影响。所得的烧结体抗弯强度最高值达到84.52MPa(x=0.25)。
- 韩龙侯宪钦范素华任艳霞梁慧
- 关键词：材料学抗弯强度微观形貌
- 直接共沉淀法制备CaZr_4(PO_4)_6粉体被引量：4
- 2006年
- 以硝酸钙、氯氧化锆、磷酸二氢铵为原料,用直接共沉淀法制备了CaZr4(PO4)6(简称CZP)粉末。控制反应过程中溶液的pH,并用低分子有机溶剂分散处理共沉淀物,防止反应过程及固液分离过程中团聚体的形成。用TG-DTA、XRD、SEM、激光粒度分析仪对CZP粉末进行了表征。CZP粉末的结晶状况和颗粒大小及团聚情况取决于热处理温度的高低,粉体中添加3%(质量分数)氧化锌作为助烧剂及3%(质量分数)二氧化硅作为晶粒抑制剂,在1 150℃下烧结2 h制成CZP陶瓷。结果表明:经860℃热处理之后的粉体制成的CZP陶瓷具有较好的综合性能,弯曲强度为74.96 MPa,相对密度为96.6%。
- 韩龙侯宪钦范素华梁慧任艳霞
- 关键词：综合性能
- Ca_(1-x)Ba_xZr_4(PO_4)_6陶瓷力学性能研究
- 2005年
- 用共沉淀法合成了化合物Ca1-xBaxZr4(PO4) 6(x =0 ,0 . 2 5 ,0 . 5 ,0 . 75 ,1 .0 ,简称CBZP)的粉体。将CBZP系列粉体在 10 0MPa下干压成型 ,无压烧结制成CBZP系列陶瓷 ,并研究了x取值和抗弯强度值的关系。采用的烧结制度为 ,添加3%的ZnO为助烧剂 ,在 110 0℃下烧结 2h。所得的烧结体抗弯强度 (x =0 ,0 . 2 5 ,0 . 5 ,0 . 75 ,1. 0 )分别达到 5 9. 4 5、84 .5 2、75 . 2 4、5 9 .6 3和 71 .4 2MPa。
- 韩龙侯宪钦梁慧
- 关键词：抗弯强度
