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王义猛

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家部委资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇直拉法
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇锗
  • 1篇SIGE

机构

  • 1篇天津大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇王义猛
  • 1篇韩焕鹏
  • 1篇刘锋
  • 1篇毛陆虹
  • 1篇李丹
  • 1篇何秀坤

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiGe合金单晶生长研究被引量：1
2009年
通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、Φ为50～60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。
刘锋毛陆虹韩焕鹏王义猛李丹何秀坤
关键词：单晶生长直拉法位错密度
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