王建利
- 作品数：4 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信环境科学与工程更多>>
- VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制被引量：5
- 2006年
- 结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子。针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料。
- 牛沈军王建利兰天平
- 关键词：GAAS晶体
- VB法生长低位错GaAs单晶被引量：4
- 2007年
- 用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD)。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位错密度5000cm-2。通过改变加热器结构,改善轴向和径向的温度梯度,优化了生长时的固液界面,得到的单晶长度达20cm,平均位错密度为500cm-2,最大位错密度小于5000cm-2。
- 王建利孙强牛沈军兰天平李仕福周传新刘津
- 关键词：位错密度GAAS晶体温度梯度
- 砷化镓材料被引量：8
- 2010年
- 文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程中得到性能参数较为理想的晶体材料而应采取的有关工艺措施。
- 王建利牛沈军兰天平周春峰孙强
- 关键词：砷化镓载流子浓度
- 3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制
- 本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘性能及热稳定性好的非掺半绝缘砷化镓单晶,而且位错密度至少要比LEC工艺低一个量级.
- 兰天平王建利丰梅霞常玉璟牛沈军
- 关键词：位错密度砷化镓单晶晶体生长
- 文献传递
