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王明

作品数：20 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 16篇存储器
  • 7篇细丝
  • 4篇电极
  • 4篇电压
  • 4篇中间态
  • 4篇脉冲
  • 4篇编程
  • 3篇低阻
  • 3篇电场
  • 3篇氧化物材料
  • 3篇纳米
  • 3篇RRAM
  • 3篇衬底
  • 2篇导电
  • 2篇电流
  • 2篇电流检测装置
  • 2篇电路
  • 2篇电压扫描
  • 2篇电铸
  • 2篇电子运动

机构

  • 20篇中国科学院微...

作者

  • 20篇王明
  • 20篇刘明
  • 19篇刘琦
  • 17篇吕杭炳
  • 17篇龙世兵
  • 9篇孙鹏霄
  • 8篇刘红涛
  • 8篇李阳
  • 8篇许晓欣
  • 8篇王国明
  • 8篇张美芸
  • 7篇张康玮
  • 7篇李颖弢
  • 4篇张森
  • 4篇连文泰
  • 4篇刘若愚
  • 4篇王艳
  • 3篇张满红
  • 3篇余兆安
  • 3篇刘璟

传媒

  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种存储器器件及其阵列
本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种存储器器件及其阵列。该存储器器件由一个肖特基二极管和一个具有双极性电阻转变特性的阻变器件构成，其结构包括：衬底、位于衬底之上的肖特基二极管结构、位于肖特基二极管结构之...
刘明李颖弢龙世兵刘琦吕杭炳王明张康玮
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一种阻变存储器单元的编程和擦除方法及装置
本发明涉及一种阻变存储器单元的编程或擦除方法及装置，该装置包括阻变存储器单元（502）和晶体管（501），串联电阻（503），信号发生器，电流检测装置和控制装置；串联电阻（503）与阻变存储器单元（502）串联；信号发生...
刘明王明吕杭炳刘琦龙世兵
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一种有效提高阻变存储器耐久性的方法
本发明公开了一种有效提高阻变存储器耐久性的方法，该方法是在对阻变存储器进行编程操作时，对阻变存储器加载脉冲宽度变化且脉冲高度保持不变的一系列编程小脉冲。利用本发明，可以防止编程过程中，由于脉冲宽度过大，而造成硬击穿，从而...
龙世兵王国明张美芸李阳许定林王明许晓欣刘红涛吕杭炳刘琦刘明
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阻变存储器及其制造方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
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一种有效提高阻变存储器耐久性的方法
本发明公开了一种有效提高阻变存储器耐久性的方法，该方法是在对阻变存储器进行编程操作时，对阻变存储器加载脉冲宽度变化且脉冲高度保持不变的一系列编程小脉冲。利用本发明，可以防止编程过程中，由于脉冲宽度过大，而造成硬击穿，从而...
龙世兵王国明张美芸李阳许定林王明许晓欣刘红涛吕杭炳刘琦刘明
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一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，涉及微电子以及存储器技术领域。本发明提出的阻变存储器的结构包括：衬底；形成于衬底之上的下电极；形成于下电极之上的第一功能层薄膜；形成于第一功能层薄膜之上的中间电极；形成于中间电极之...
刘明李颖弢龙世兵吕杭炳刘琦王明张康玮
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阻变存储器及其制造方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路，包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器，半导体参数分析仪作为控制平台，同时连接于探针台和脉冲源，并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形；示波器是当脉冲源...
龙世兵王国明张美芸李阳王明许晓欣刘若愚李丛飞刘红涛孙鹏霄吕杭炳刘琦刘明
一种分析阻变存储器电流波动性的方法
本发明公开了一种分析阻变存储器电流波动性的方法，该方法包括：制备各种阻变存储器；测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线，并采用0.1V的读电压，从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值，进而确定各种阻变存储器...
卢年端李泠刘明孙鹏霄王明
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一种测量阻变存储器激活能的方法
本发明公开了一种测量阻变存储器激活能的方法，包括：测量阻变存储器的I-V曲线，并从该I-V曲线来确定阻变存储器的低阻态电流值及高阻态电流值；计算在低阻态及高阻态下阻变存储器导电细丝中的电流；计算阻变存储器高阻态下导电细丝...
卢年端李泠刘明孙鹏霄王明刘琦
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共2页<12>
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