芦伟
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
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- 一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法
- 一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al<Sub>0.25</S...
- 徐明芦伟董成军黄勤珍
- 文献传递
- AlInN光电薄膜的研究进展被引量：1
- 2010年
- AlInN三元合金是优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,具有优良的光学和电学性能,在光电子器件应用方面具有广阔的应用前景。详细评述了近年来AlInN薄膜材料在生长技术、晶体结构、表面形貌、热学特性、光电特性等方面的研究,为AlInN三元合金在光电方面的基础和应用研究提供了重要参考。
- 芦伟徐明董成军魏屹
- Si/SiN_x多层膜能带结构的理论研究被引量：4
- 2010年
- 利用Kronig-Penney模型计算了Si/SiNx多层膜结构中Si亚层的能带结构.结果表明,无论是减少Si或Si/SiNx亚层的厚度都将导致Si层的带隙发生宽化,计算结果与实验值符合较好.进而还发现,当Si层厚度减小时,Si/SiNx多层膜结构中载流子(电子和空穴)的有效质量均减小,有利于对载流子复合发光的控制.计算结果对实验上研究发光可控的Si/SiNx多层膜结构有重要指导意义.
- 徐明魏屹何贤模芦伟
- 关键词：多层膜量子限制效应
- AlN/InN和AlN/GaN超晶格能带结构研究
- 2011年
- 利用Krnig-Penney模型和形变势理论,从理论上探讨了纤锌矿型AlN/InN和AlN/GaN超晶格系统的能带结构及不同应变模式对能带结构的影响,计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律、超晶格的能量色散关系、应变造成的影响以及不同亚层厚度的系统禁带宽度和导带第一子禁带宽度.研究发现,通过改变亚层厚度可以从不同形式设计能带结构,应变会改变系统禁带宽度,使带阶和子能带明显窄化,价带结构趋于复杂甚至生成准能带结构.与实验结果对比后发现,该模型适于模拟窄势阱结构超晶格,而对于宽势阱则必须考虑内建电场的作用.
- 芦伟徐明魏屹何林
- 氮化硅薄膜的光致发光机制
- 2012年
- SiNx的结构和性能都会随x值发生显著变化,尤其是薄膜的发光性质。同时,在不同条件下制备的SiNx薄膜中都观察到了可见光致发光现象,研究者提出了相应的机制予以解释。总结了近十年来关于SiNx薄膜的光致发光研究进展,评述了其各种发光机制。
- 何贤模徐明芦伟
- 关键词：氮化硅薄膜光致发光
- 一种制备InN薄膜的磁控溅射方法
- 一种制备InN薄膜的磁控溅射方法，其工艺步骤依次如下：（1）以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；（2）将经步骤（1）处理过的衬底放入溅射室，以Al为靶材，在真空条件下采用磁控溅射法在...
- 徐明董成军芦伟黄勤珍
- 文献传递
- 一种制备InN薄膜的磁控溅射方法
- 一种制备InN薄膜的磁控溅射方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al为靶材，在真空条件下采用磁控溅射法在...
- 徐明董成军芦伟黄勤珍
- 一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法
- 一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al<Sub>0.25</S...
- 徐明芦伟董成军黄勤珍
- Al/(In/)N半导体薄膜的制备与物性研究
- AlInN的物性一般可通过改变组分的方法进行大跨度调节,并可与GaN等材料晶格匹配,因此AlInN是比AlGaN和InGaN更为优异的三族氮化物三元合金材料。然而制备高质量的AlInN是当前的一大难题。AlN//GaN和...
- 芦伟
- 关键词：ALINN超晶格磁控溅射
- 文献传递
