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Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光被引量：3: 2008年; 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。; 陈青云段满益周海平董成军魏屹纪红萱黄劲松陈卫东徐明; 关键词：红外吸收光致发光

Si/SiN_x多层膜能带结构的理论研究被引量：4: 2010年; 利用Kronig-Penney模型计算了Si/SiNx多层膜结构中Si亚层的能带结构.结果表明,无论是减少Si或Si/SiNx亚层的厚度都将导致Si层的带隙发生宽化,计算结果与实验值符合较好.进而还发现,当Si层厚度减小时,Si/SiNx多层膜结构中载流子(电子和空穴)的有效质量均减小,有利于对载流子复合发光的控制.计算结果对实验上研究发光可控的Si/SiNx多层膜结构有重要指导意义.; 徐明魏屹何贤模芦伟; 关键词：多层膜量子限制效应

一种AlXIn1-XN薄膜的制备方法: 一种AlxIn1－xN薄膜的制备方法，工艺步骤如下：(1)在常温常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将处理后的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲...; 徐明董成军纪红萱陈青云魏屹; 文献传递

AlN/InN和AlN/GaN超晶格能带结构研究: 2011年; 利用Krnig-Penney模型和形变势理论,从理论上探讨了纤锌矿型AlN/InN和AlN/GaN超晶格系统的能带结构及不同应变模式对能带结构的影响,计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律、超晶格的能量色散关系、应变造成的影响以及不同亚层厚度的系统禁带宽度和导带第一子禁带宽度.研究发现,通过改变亚层厚度可以从不同形式设计能带结构,应变会改变系统禁带宽度,使带阶和子能带明显窄化,价带结构趋于复杂甚至生成准能带结构.与实验结果对比后发现,该模型适于模拟窄势阱结构超晶格,而对于宽势阱则必须考虑内建电场的作用.; 芦伟徐明魏屹何林

一种AlxIn1-xN薄膜的制备方法: 一种AlxIn1-xN薄膜的制备方法，工艺步骤如下：(1)在常温常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将处理后的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲...; 徐明董成军纪红萱陈青云魏屹; 文献传递

AlInN光电薄膜的研究进展被引量：1: 2010年; AlInN三元合金是优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,具有优良的光学和电学性能,在光电子器件应用方面具有广阔的应用前景。详细评述了近年来AlInN薄膜材料在生长技术、晶体结构、表面形貌、热学特性、光电特性等方面的研究,为AlInN三元合金在光电方面的基础和应用研究提供了重要参考。; 芦伟徐明董成军魏屹

硅基化合物材料的发光特性研究: 21世纪,科学技术正以其迅猛的发展改变着人们的生活,但随之而来的能源短缺、环境污染及全球变暖等却成为人类生存所面临的首要问题。新型清洁能源的使用成为人类应对危机的必然选择,其中以硅基太阳能电池的发展最为迅速。高质量硅材料...; 魏屹; 关键词：太阳能电池材料超晶格; 文献传递

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魏屹