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蹇胜勇

作品数：12 被引量：26H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 7篇压电
  • 7篇压电陶瓷
  • 2篇电性能
  • 2篇烧结性
  • 2篇烧结性能
  • 2篇陶瓷
  • 2篇介电
  • 2篇经编
  • 2篇经编机
  • 2篇SN
  • 2篇ZR
  • 1篇低频
  • 1篇低温共烧
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇性能研究
  • 1篇压电陶瓷滤波...
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能
  • 1篇窄带

机构

  • 6篇四川压电与声...
  • 6篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇重庆大学

作者

  • 12篇蹇胜勇
  • 9篇刘相果
  • 6篇刘光聪
  • 5篇曾祥明
  • 4篇冯小东
  • 2篇刘炉
  • 2篇陈世钗
  • 2篇刘振华
  • 2篇廖建中
  • 2篇李瑞峰
  • 1篇彭晓东
  • 1篇刘华巍
  • 1篇刘振华
  • 1篇曾祥君
  • 1篇刘良芳
  • 1篇林廷芬
  • 1篇蒋洪平
  • 1篇杨莉

传媒

  • 11篇压电与声光
  • 1篇机械制造与自...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
(Bi_2O_3、ZnO)对(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4介电性能的影响
2009年
采用常规固相合成工艺研究了添加剂Bi2O3、ZnO等对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,陶瓷的烧结温度随着Bi2O3含量的增大而降低,而陶瓷的最大烧结密度随着Bi2O3的增大而增大;当w(Bi2O3)>3%时,其烧结可降低至1175℃;各种材料配方均能烧结出致密的陶瓷。陶瓷的介电常数随着Bi2O3含量的增大而略有增大,但增加幅度较小;而材料的介电损耗则随Bi2O3含量的增大而增加,且增大幅度较大。当w(ZnO)=1%、w(Bi2O3)=3%时,可在1190℃获得致密的陶瓷,在测试频率1 MHz下,介电常数约41,介电损耗为1.5×10-4,其综合微波介电性能最佳。
刘相果刘光聪曾祥明蹇胜勇
关键词：烧结性能介电性能
多梳贾卡拉舍尔经编机全自动化改造实践被引量：3
2014年
提出了一种通过Solidworks三维软件进行多梳贾卡拉舍尔经编机全自动化改造的设计方法。从机械传动机构、梳栉位置排布、钢丝花梳结构、EL电子梳栉横移机构、集成控制系统等方面进行设计研究,将RJGS5F型经编机成功地改造为MRPJ43/1/24经编机。结果表明,机器改造后,可织造旧机器无法生产的高档精美花边,速度由290r/min提升到420r/min,月产量由1.2t增产到2t,机器工作稳定。实践结果与设计仿真结果吻合,验证了该设计方法的可行性和正确性。
陈世钗刘炉李瑞峰刘振华冯小东廖建中蹇胜勇曾祥明
关键词：拉舍尔经编机
低温共烧PSN-PZT压电陶瓷的研究被引量：2
2008年
以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备PSN-PZT压电陶瓷,并研究PSN含量、B位离子Nb缺位量、ZrO2的减少量、微量添加元素、烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响。结果表明:PSN的加入使PZT的准同型相界点向富钛方向移动,当PSN的摩尔分数为3%,材料的最佳锆钛比r(Zr/Ti)=1.04。B位离子Nb的缺位可大幅度降低材料的烧结温度,在Nb缺位量为10%时,可使材料的烧结温度降低到(1 110±20)℃,同时保持优异的压电性能:居里温度TC=339℃,压电常数d33=427 pC/N,介电常数3εT3/0ε=1 750,机电耦合系数kp=0.72,介电损耗tanδ=0.014。
刘相果刘光聪曾祥明蹇胜勇
关键词：压电陶瓷压电性能
十字交叉型压电陶瓷致动器的制备方法及性能研究被引量：1
2011年
该文主要设计了一种适应高频响应、高压电性能、低电容的压电陶瓷致动器,并研究了工艺参数对性能的影响。结果表明,6.4mm×6.4mm×64mm(厚度0.5mm)的十字交叉型压电陶瓷致动器具有滞后性、回零性、对称性好的特点,其电容为27.3nF,200V位移约为8μm;富氧去应力退火可降低材料的微缺陷组织,减少应力集中现象的发生,提高压电材料的压电特性;电镀电极或热蒸发电极的压电特性明显好于烧结银电极,原因是烧结银电极过程发生一定的渗银现象,并形成一定数量的低温共熔体,从而降低厚膜压电材料的压电特性。
刘相果蹇胜勇刘光聪
关键词：压电陶瓷致动器
A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响被引量：7
2014年
以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。
冯小东蹇胜勇刘相果
关键词：高介电常数
低频窄带压电陶瓷滤波器材料的研究被引量：1
2008年
采用传统的压电陶瓷制备方法,研究锆钛比(r(Zr/Ti)、掺杂、烧成工艺对低频窄带Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Sn1/3Nb2/3)yTiAZrBO3四元系压电陶瓷性能的影响,并研究压电振子的杂波抑制方法。结果表明,r(Zr/Ti)为0.71,w(MnO2)=0.5%时,材料的性能达到最佳:机械品质因数Qm=2 600,机电耦合系数k15=0.43,频率温度系数τf=29×10-6/℃;倒去振子两对角的棱角,可以有效地抑制低频厚度切变振动模式的杂波。
蹇胜勇杨莉刘光聪刘相果
逆向工程在经编机共轭凸轮机构中的应用研究被引量：2
2016年
介绍了逆向工程在经编机共轭凸轮机构中的应用研究方法。基于三坐标测量仪测量的点云数据,用逆向工程软件Imageware进行曲线拟合,结合经编机凸轮实际运动规律,对拟合的凸轮轮廓线进行优化设计,生成了可直接用于数控加工的CAD模型,缩短了凸轮机构开发周期。
刘炉刘振华廖建中陈世钗曾祥明李瑞峰蹇胜勇冯小东
关键词：共轭凸轮逆向工程经编机
基于PZT陶瓷谐振技术的光纤相位调制器研究被引量：2
2011年
分析影响了基于压电陶瓷谐振换能器的光纤相位调节的主要参数,并根据参数研制出一种满足性能要求的压电陶瓷光纤相位调制器。结果表明,光纤伸长位移量与光纤直径、压电常数、工作电压及陶瓷直径有关,与压电陶瓷的厚度无关;压电陶瓷光纤相位调制器的具有工作频率高(100kHz以上),驱动电压低(2～3V),电容小,介电损耗小,自滤波谐振等特点。
刘相果蹇胜勇蒋洪平刘光聪
关键词：压电陶瓷光纤相位调制器谐振器
BaO·Nd_2O_3·TiO_2-(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4复合系统微波介质材料的研究被引量：4
2006年
研究了BaO·Nd2O3·TiO2-（Zr0.8Sn0.2）TiO4复合体系的烧结性能、微观结构、相组成和微波介电性能。结果表明，BaO·Nd2O3·TiO2-（Zr0.8Sn0.2）TiO4复合体系可在1200～1260℃范围内烧结出致密的微波介质陶瓷材料，其相组成由BaO·Nd2O3·4TiO2、BaO·Nd2O3·5TiO2、Nd2Ti2O7、（Zr0.8Sn0.2）TiO4及未知新相组成，而（Zr0.8Sn0.2）TiO4由单一晶相组成；复合体系的介电常数、介电损耗、频率温度系数同复合系统各相的配比有关，其中介电常数、频率温度系数基本符合理论计算值而介电损耗则高于理论值；复合系统中出现未知相具有高介电常数、高介电损耗的特征。
刘相果刘光聪彭晓东蹇胜勇
关键词：微波介质陶瓷烧结性能
压电复合元件耦合振动模态分析被引量：4
2010年
一种用于单波束的压电复合元件,采用整体切割灌注的方法制备,由压电陶瓷和聚合物两种不同材质组成。为进一步提高压电复合元件基元的一致性,利用有限元分析软件ANSYS10.0对单波束压电复合元件进行耦合模态的特性分析,得出了耦合频率与聚合物密度、泊松比和基元结构之间的关系。实验结果表明,通过调整边缘基元的外形尺寸,可有效提高边缘基元的耦合频率,从而达到与中心基元一致。
刘振华刘华巍曾祥君刘相果蹇胜勇
关键词：压电陶瓷复合材料
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