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冯小东

作品数：14 被引量：15H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 7篇专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇滤波器
  • 5篇带外抑制
  • 5篇压电
  • 5篇介质滤波器
  • 4篇阶数
  • 3篇谐振器
  • 2篇电容
  • 2篇顶面
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷电容
  • 2篇陶瓷介质
  • 2篇介质谐振
  • 2篇介质谐振器
  • 2篇经编
  • 2篇经编机
  • 2篇宽带
  • 2篇变形镜
  • 1篇低损耗
  • 1篇定位销孔

机构

  • 14篇中国电子科技...
  • 2篇中国工程物理...

作者

  • 14篇冯小东
  • 7篇李瑞峰
  • 6篇曾祥明
  • 6篇段志奇
  • 5篇刘振华
  • 4篇蹇胜勇
  • 4篇刘相果
  • 3篇鲜晓军
  • 2篇胡东霞
  • 2篇刘炉
  • 2篇陈世钗
  • 2篇彭胜春
  • 2篇廖建中
  • 1篇唐平
  • 1篇汤劲松
  • 1篇张龙
  • 1篇胡吉海

传媒

  • 6篇压电与声光
  • 1篇机械制造与自...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2011
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高抑制的宽带介质滤波器
本发明公开了一种高抑制的宽带介质滤波器，包括陶瓷介质体，所述陶瓷介质体的顶面沿长度方向依次开设有六个谐振孔，在所述陶瓷介质体的底面沿长度方向依次开设有两个条形槽，每一条形槽分别与三个谐振孔连通；每一所述谐振孔的孔壁及条形...
韦俊杰段志奇罗文汀蒋廷利冯小东李瑞峰
文献传递
高频压电复合材料球形换能器仿真设计
2023年
该文仿真设计了一种高频压电复合材料球形换能器,利用COMSOL软件建立了有限元模型,计算了换能器的声辐射特性,分析了不同压电陶瓷材料、不同基元尺寸对换能器声辐射特性的影响。仿真分析结果表明,球形高频换能器具有高频、宽带及可全向辐射声波等特性,能广泛应用于水声探测与成像发射换能器及其阵列。
侯京川鲜晓军李瑞峰曾祥明冯小东刘振华
关键词：球形全向
多梳贾卡拉舍尔经编机全自动化改造实践被引量：3
2014年
提出了一种通过Solidworks三维软件进行多梳贾卡拉舍尔经编机全自动化改造的设计方法。从机械传动机构、梳栉位置排布、钢丝花梳结构、EL电子梳栉横移机构、集成控制系统等方面进行设计研究,将RJGS5F型经编机成功地改造为MRPJ43/1/24经编机。结果表明,机器改造后,可织造旧机器无法生产的高档精美花边,速度由290r/min提升到420r/min,月产量由1.2t增产到2t,机器工作稳定。实践结果与设计仿真结果吻合,验证了该设计方法的可行性和正确性。
陈世钗刘炉李瑞峰刘振华冯小东廖建中蹇胜勇曾祥明
关键词：拉舍尔经编机
高频宽带小型化陶瓷滤波器
本发明涉及一种高频宽带小型化陶瓷滤波器，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的正面设置有级联四阶交叉耦合结构；所述级联四阶交叉耦合结构包括四个四分之一波长金属谐振器，用于产生一对传输零点；所述级联四阶交叉耦合结构的一侧设置有第一谐...
马睿韦俊杰段志奇冯小东
8×8阵列压电厚膜驱动变形镜的制备及性能研究
2013年
利用流延工艺制备大尺寸高性能压电陶瓷片(100mm×100mm×0.50mm),在此基础上研究8×8阵列排布的厚膜压电陶瓷驱动连续变形镜的制备工艺技术,并对变形镜的理论拟合面形和实际闭环控制校正面形进行研究分析。结果表明,变形镜的初始面形的像差振幅为2.664λ,像差均方根振幅为0.557λ,而经闭环控制校正+手动微校正后后,获得较佳的镜面效果像差振幅为0.36λ,像差均方根振幅为0.095λ;闭环控制校正面形与理论拟合的面形(像差振幅为0.005λ,像差均方根振幅为0)存在一定差距,主要原因是变形镜制备工艺过程或驱动闭环控制系统存在一定的滞后性或试验误差造成的。
刘相果胡东霞冯小东曾祥明
关键词：变形镜闭环控制
一种高抑制的宽带介质滤波器
本实用新型公开了一种高抑制的宽带介质滤波器，包括陶瓷介质体，所述陶瓷介质体的顶面沿长度方向依次开设有六个谐振孔，在所述陶瓷介质体的底面沿长度方向依次开设有两个条形槽，每一条形槽分别与三个谐振孔连通；每一所述谐振孔的孔壁及...
韦俊杰段志奇罗文汀蒋廷利冯小东李瑞峰
文献传递
一种高带外抑制的分离式介质滤波器
本实用新型涉及一种高带外抑制的分离式介质滤波器，包括陶瓷电容片，所述陶瓷电容片的下方沿陶瓷电容片的长度方向顺序设置有若干介质谐振器；所述陶瓷电容片的底面对应每一介质谐振器分别设置有一底面金属电极片，每一介质谐振器分别通过...
韦俊杰段志奇冯小东蒋廷利马睿张心逸
Na_2O对PNN-PZN-PZT的微观组织与性能的影响
2011年
以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备PNN-PZN-PZT压电陶瓷,并研究微量添加Na2O对烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响。结果表明,Na2O的添加对材料的成型工艺要求严格,否则易造成成分偏析现象;Na2O的添加使材料的烧成温度范围变窄,陶瓷的压电常数降低约15%,含1%的Na2O的最佳烧结温度约为910℃,其介电常数εr=3 200,压电常数d33=487 pC/N,机电耦合系数kp=0.60,介电损耗tanδ=2%;Na+分布不均匀,在晶界的含量明显高于晶粒内部。
刘相果冯小东蹇胜勇曾祥明
关键词：压电陶瓷成分偏析
高带外抑制的分离式介质滤波器
本发明涉及一种高带外抑制的分离式介质滤波器，包括陶瓷电容片，所述陶瓷电容片的下方沿陶瓷电容片的长度方向顺序设置有若干介质谐振器；所述陶瓷电容片的底面对应每一介质谐振器分别设置有一底面金属电极片，每一介质谐振器分别通过一连...
韦俊杰段志奇冯小东蒋廷利马睿张心逸
A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响被引量：7
2014年
以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。
冯小东蹇胜勇刘相果
关键词：高介电常数
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