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郑丽荣

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：汕头大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇背散射
  • 1篇SI
  • 1篇GAAS/S...
  • 1篇MBE
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇汕头大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇郑丽荣
  • 1篇殷士端

传媒

  • 1篇汕头大学学报...

年份

  • 1篇1991
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MBE-GaAs/Si的背散射沟道分析
1991年
对 MBE-GaAs/Si 进行离子注入和退火.GaAs 外延层的厚度为0.9-2.0μm.Si离子的注入能量及剂量分别为1.2-2.8MeV,l×10^(14)-7×10^(15).cm^(-2).退火采用红外瞬态退火(850℃,15s)及白光退火(1050℃,8s).背散射沟道分析采用4.2MeV^7Li.实验表明,注入结合退火是改善 GaAs 外延层晶体质量的一种有效方法.注入剂量过大,由于正化学配比遭到破坏,外延生长终止.
郑丽荣殷士端
关键词：MBEGAASSI背散射
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共1页<1>
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