郭良
- 作品数:19 被引量:18H指数:2
- 供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
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- AIN/Si膜热处理影响其反射率的实验研究
- 王德煌郭良
- 关键词:光学薄膜反射率温度影响
- AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析
- 2006年
- 对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的正常工作.本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱激光器的阈值电流和外微分量子效率随温度的变化,拟合出有源区电子的有效势垒高度,并与理论模拟结果进行了比较,讨论了p型限制层掺杂浓度的分布对势垒高度的影响.
- 徐云李玉璋宋国峰甘巧强杨国华曹玉莲曹青郭良郭良
- 关键词:半导体激光器应变量子阱
- 射频溅射AIN膜的材料性能及其在光电器件上的应用研究
- 1990年
- 本文描述了采用JS-450D型射频溅射设备,在GaAs衬底上获得了AIN薄膜。对这种膜在H_2、N_2中不同温度下退火实验,分析了热处理对膜绝缘特性、腐蚀特性和光学特性的影响。利用AIN膜来保护光电器件、提高激光器和发光管的功率、降低激光器的阈值电流等作了工艺探讨。实验发现:利用端面镀膜技术,在LED前端面溅上一层AIN(厚为λ/4n,λ为LED发光波长,n是AIN膜的折射率)后,其P-I曲线明显地变化,发光管的功率平均提高了69%(I=100mA)。
- 李朝勇郭良余金中
- 关键词:光电器件溅射GAAS
- 双段式PBC型1.3μmInGaAsP超辐射发光二极管
- 1995年
- 本文报导了1.3μm超辐射发光二极管的研究成果。室温下,驱动电流为150mA时,单管输出功率可达4.3mW,光谱半宽为21um。
- 赵玲娟余金中刘德钧杨亚丽郭良王丽明张晓燕
- 关键词:INGAASP超辐射发光二极管
- 实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
- 1996年
- 用低压MOVPE方法研制出了波长为655nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为45mA,输出光功率不小于5mW,最高工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100,000小时,主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当,完全可以满足实用要求。
- 熊飞克郭良马骁宇杨志鸿王树堂陈良惠
- 关键词:半导体激光器GAINPALGAINP
- 高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器被引量:4
- 1997年
- 用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定批量生产能力,批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA,额定输出光功率不小于5mw,标称工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100000小时,主要技术指标达到目前进口同类产品水平,完全可以满足实用要求。
- 熊飞克郭良马骁宇王树堂陈良惠
- 关键词:激光器半导体激光器可见光
- 一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法
- 本发明涉及半导体激光器技术领域,公开了一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法,包括:A.在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层;B.在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层,并...
- 徐云陈良惠李玉璋曹青宋国峰郭良
- 文献传递
- 离子束刻蚀法制备大功率高效率650nm AlGaInP可见光激光器(英文)
- 2004年
- 用纯 Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率 6 5 0 nm实折射率 Al Ga In P压应变量子阱激光器 .对偏角衬底 ,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面 .制备的激光器条宽腔长分别为 4 μm和 6 0 0 μm,前后端面镀膜条件为 10 % / 90 % .室温下阈值电流的典型值为 4 6 m A,输出功率为 4 0 m W时仍可保持基横模 .10 m W,4 0 m W时的斜率效率分别为 1.4 W/ A和 1.1W/ A.
- 徐云曹青孙永伟孙永伟叶晓军侯识华郭良
- 一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置
- 本发明涉及一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置。本发明利用一束激光通过一小孔光阑入射到晶片的解理面上,调整晶片的方位,使得入射到该晶片解理面上的激光沿与入射方向相反的方向反射,反射激光从小孔光阑返回;按同样的方法调节好另...
- 陈良惠郑婉华杨国华何国荣王玉平曹青郭良林学春
- 文献传递
- 一个检测半导体激光器质量的有效方法被引量:10
- 1996年
- 对一百支PBC结构的InGaAsP/InP激光器的检测表明,通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选.
- 石家纬金恩顺李红岩李正庭郭树旭高鼎三余金中郭良
- 关键词:半导体激光器INGAASPINP激光器