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陈英方

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：河北大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金河北省自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇存储器
  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇电阻
  • 2篇低电阻
  • 2篇低阻
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇陶瓷靶材
  • 2篇退火
  • 2篇阻值
  • 2篇膜层
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米级
  • 2篇开关
  • 2篇开关性能
  • 2篇高温退火
  • 2篇靶材
  • 2篇存储元件

机构

  • 8篇河北大学

作者

  • 8篇陈英方
  • 7篇闫小兵
  • 5篇娄建忠
  • 4篇郝华
  • 2篇刘保亭
  • 2篇贾长江
  • 2篇陈建辉
  • 1篇李小亭
  • 1篇李岩
  • 1篇李玉成
  • 1篇闫铭
  • 1篇杨涛
  • 1篇赵建辉

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种避免误读的阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种避免误读的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器的结构是在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜层上依次形成有阻变介质层和Ag电极膜层；所述阻变介质层包括依次所形成的第一层铁酸铋膜层...
闫小兵陈建辉陈英方
一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种纳米级三态阻变存储器，其是在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜层上依次沉积有nc-Si:H膜和Ag电极膜。本发明同时公开了其制备方法，具体是采用PECVD方法在Pt/Ti/SiO...
闫小兵陈英方郝华娄建忠
文献传递
一种阻变存储元件及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公...
闫小兵贾长江郝华陈英方娄建忠刘保亭
文献传递
一种阻变存储元件及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公...
闫小兵贾长江郝华陈英方娄建忠刘保亭
文献传递
Si薄膜和BFO薄膜阻变存储特性研究
在过去的几十年中，随着对便携式移动电子设备日益增长的需求，非易失性存储器已被广泛研究。以Flash存储器为代表的传统非易失性存储器，面临着许多技术挑战和一些物理限制，如高编程电压，低耐疲劳性，低写入速度，隧穿氧化物的比例...
陈英方
关键词：气相沉积电流传输
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低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性
2015年
采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO_3(BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗。在0.5μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8×104s,有较好的保持特性。分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开。
闫小兵李玉成闫铭杨涛贾信磊陈英方赵建辉李岩娄建忠李小亭
一种避免误读的阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种避免误读的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器的结构是在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜层上依次形成有阻变介质层和Ag电极膜层；所述阻变介质层包括依次所形成的第一层铁酸铋膜层...
闫小兵陈建辉陈英方
文献传递
一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种纳米级三态阻变存储器，其是在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜层上依次沉积有nc‑Si:H膜和Ag电极膜。本发明同时公开了其制备方法，具体是采用PECVD方法在Pt/Ti/SiO...
闫小兵陈英方郝华娄建忠
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