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高频

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：华东工学院电子工程与光电技术学院光电技术系更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇碳膜
  • 1篇热学特性
  • 1篇类金刚石
  • 1篇类金刚石碳膜
  • 1篇光电
  • 1篇光电阴极
  • 1篇PELTIE...
  • 1篇UV
  • 1篇XPS分析
  • 1篇DLC膜
  • 1篇GAAS表面
  • 1篇表面化学
  • 1篇O

机构

  • 3篇华东工学院
  • 1篇中国科学院电...

作者

  • 3篇杨伟毅
  • 3篇高频
  • 3篇王广林
  • 1篇徐登高
  • 1篇刘元震
  • 1篇邓金祥
  • 1篇夏长虹

传媒

  • 2篇华东工学院学...
  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇1992
  • 1篇1991
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析
1992年
UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。
杨伟毅王广林高频夏长虹邓金祥
关键词：砷化镓表面化学
类金刚石碳膜的热学特性被引量：1
1992年
利用珀尔帖效应,采用三夹层技术测量了类金刚石碳(DLC)膜的热传导率,并指出在高离子轰击能量和低CH_4气压下。通过rf等离子体沉积所制得的DLC膜具有好的热稳定性,其热传导率为2.1—2.4W/cm.deg。
杨伟毅王广林孔得人高频
关键词：DLC膜PELTIER效应类金刚石
CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布
1991年
利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20～200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。
杨伟毅徐登高王广林高频刘元震
关键词：光电阴极
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