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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇光电
  • 1篇电光
  • 1篇电光源
  • 1篇真空紫外
  • 1篇砷化镓
  • 1篇碳膜
  • 1篇气体放电光源
  • 1篇热学特性
  • 1篇紫外光源
  • 1篇磷光
  • 1篇磷光体
  • 1篇类金刚石
  • 1篇类金刚石碳膜
  • 1篇光电发射
  • 1篇光电阴极
  • 1篇光阴极
  • 1篇光源
  • 1篇放电
  • 1篇PELTIE...
  • 1篇UV

机构

  • 4篇华东工学院
  • 1篇中国科学院电...

作者

  • 4篇王广林
  • 3篇杨伟毅
  • 3篇高频
  • 2篇徐登高
  • 2篇刘元震
  • 1篇邓金祥
  • 1篇夏长虹
  • 1篇董亚强

传媒

  • 2篇华东工学院学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析
1992年
UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。
杨伟毅王广林高频夏长虹邓金祥
关键词:砷化镓表面化学
类金刚石碳膜的热学特性被引量:1
1992年
利用珀尔帖效应,采用三夹层技术测量了类金刚石碳(DLC)膜的热传导率,并指出在高离子轰击能量和低CH_4气压下。通过rf等离子体沉积所制得的DLC膜具有好的热稳定性,其热传导率为2.1—2.4W/cm.deg。
杨伟毅王广林孔得人高频
关键词:DLC膜PELTIER效应类金刚石
CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布
1991年
利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20~200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。
杨伟毅徐登高王广林高频刘元震
关键词:光电阴极
气体放电光源在紫外光阴极研究中的应用被引量:1
1990年
本文根据紫外光阴极的应用波段和研究方法,指出,在合理设计阴极结构的基础上,研究工作的重要环节在于如何选用有效的检测光源。文中详细介绍了各种检测光源的光谱特性,并就氢真空紫外辐射源的应用,讨论了研制真空紫外光阴极的有关测试技术。
刘元震徐登高王广林董亚强
关键词:光阴极真空紫外气体放电光源紫外光源光电发射磷光体
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