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黄润华

作品数：24 被引量：52H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金江苏省青年科技基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇中文期刊文章

领域

  • 24篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 11篇碳化硅
  • 10篇SIC
  • 8篇4H-SIC
  • 6篇导通
  • 6篇导通电阻
  • 6篇电阻
  • 6篇H型
  • 5篇二极管
  • 4篇势垒
  • 4篇肖特基
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 4篇比导通电阻
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇氧化物半导体
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇结型
  • 3篇界面态
  • 3篇金属氧化物半...

机构

  • 24篇南京电子器件...
  • 1篇东南大学
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇扬州国扬电子...

作者

  • 24篇柏松
  • 24篇黄润华
  • 12篇刘奥
  • 10篇陶永洪
  • 9篇李赟
  • 7篇赵志飞
  • 7篇汪玲
  • 7篇陈刚
  • 4篇杨立杰
  • 4篇栗锐
  • 3篇陈谷然
  • 2篇刘涛
  • 2篇刘昊
  • 1篇孙伟锋
  • 1篇李理
  • 1篇薛爱杰
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇应贤炜

传媒

  • 16篇固体电子学研...
  • 1篇电子学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇智能电网

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计被引量：2
2016年
设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。
汪玲黄润华刘奥陈刚柏松
关键词：肖特基势垒二极管
3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6
2016年
介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。
刘涛陈刚黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李赟赵志飞
4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件被引量：3
2022年
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12%,FOM值提升了5.1%。提出了形成台阶的一种可行性方案,并给出了实验结果,SEM结果表明,可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶。
张跃张腾黄润华柏松
关键词：4H-SICMOSFET栅氧化层
1700V碳化硅MOSFET设计被引量：4
2014年
设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。
黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管界面态
4500V碳化硅肖特基二极管研究被引量：9
2013年
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。正向电压4V下导通电流密度为80A/cm2。
黄润华李理陶永洪刘奥陈刚李赟柏松栗锐杨立杰陈堂胜
关键词：保护环
4H型碳化硅高温氧化工艺研究被引量：1
2016年
在4H型碳化硅导电衬底上进行N型外延层生长,并对外延层表面进行化学机械抛光;通过高温氧化的方法在表面生成氧化层,并且在NO中进行退火;在此之后,加工碳化硅MOS电容和LMOS;通过C-V测试的方法对Si O2/Si C界面特性进行评估;通过测试的方法对LMOS的场效应迁移率和MOS的击穿电压分布情况进行分析。结果表明,经过表面抛光可大大改善表面形貌,在一定程度上抑制界面态的产生,并且改善沟道导电的一致性。
钮应喜黄润华杨霏汪玲陈刚陶永洪刘奥柏松李赟赵志飞
关键词：界面态可靠性
SiC功率MOSFET器件研制进展被引量：3
2017年
碳化硅(SiC)功率金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的性能受到广泛关注,但受限于器件设计和工艺技术水平,器件的潜力尚未得到充分发挥。介绍了SiC功率MOSFET的结构设计和加工工艺,采用一氧化氮(NO)栅氧退火工艺技术研制出击穿电压为1 800 V、比导通电阻为8mΩ·cm^2的SiC MOSFET器件,测试评价了器件的直流和动态特性,关断特性显著优于Si IGBT。评估了SiC MOSFET器件栅氧结构的可靠性,器件的栅氧介质寿命及阈值电压稳定性均达到工程应用要求。
柏松黄润华陶永洪刘奥
关键词：碳化硅可靠性
6500 V 15 A 4H-SiC JBS二极管的研制被引量：1
2018年
基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基（JBS）结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸（1英寸=2.54 cm）n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外延材料、48个宽度为3.0μm浮空场限环实现了一款反向击穿电压大于6 500 V的4H-SiC JBS二极管。电特性测试结果表明,室温下正向电流为15 A时,正向电压为2.9 V,开启电压为1.3 V;150℃下正向电流为15 A时,正向电压为5.2 V,开启电压为1.2 V。
薛爱杰黄润华柏松刘奥栗锐
关键词：4H-SIC结终端技术
6500 V SiC场限环终端设计与实现被引量：1
2018年
针对6 500 V SiC器件的阻断电压要求,采用有限元仿真软件对场限环终端结构进行了设计优化。相比于通常的恒定环间距增量场限环终端设计,本项研究采用三段不同的环间距增量终端环结构。该结构场限环终端的优势在于SiC器件表面的峰值电场强度控制在1MV/cm以下,体内的峰值电场强度在2.4MV/cm以下,有效减小了实际工艺中环注入窗口的工艺偏差引起的环间距拉偏对峰值电场强度的影响。环间距拉偏结果显示,在-0.2^+0.2μm的偏差范围内,器件表面(SiO_2/SiC交界处)的峰值电场强度并没有升高,只是峰值的位置发生了改变。最后利用了所设计的场限环终端进行了实际流片。测试结果显示,当施加6 500V的反向电压,漏电流小于10μA。
杨同同杨晓磊黄润华李士颜刘奥杨立杰柏松
关键词：场限环有限元仿真
12kV 4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现被引量：2
2018年
报道了一款阻断能力为12kV的4H-SiC N沟道绝缘栅双极型场效应晶体管(IGBT)。器件为穿通型IGBT,漂移层厚度为120μm,掺杂浓度为2e14cm^(-3);缓冲层厚度为3μm,掺杂浓度为4e16cm^(-3)。为缓解器件主结边缘处的电场集中效应,采用了结终端扩展(JTE)终端结构。流片测试结果表明,栅极电压20V,集电极正向电流为24A/cm^2时,比导通电阻为140mΩ·cm^2。栅极和发射极短接,集电极电压为13kV时,漏电流小于10μA。
杨同同陶永洪杨晓磊黄润华柏松
关键词：SIC有限元仿真
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