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黄雁君

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：华东师范大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 17篇SUB
  • 15篇体硅
  • 15篇半导体
  • 15篇半导体硅
  • 14篇硅片
  • 13篇半导体材料
  • 11篇电路
  • 11篇电路工艺
  • 11篇集成电路
  • 11篇集成电路工艺
  • 7篇纳米
  • 5篇棒状
  • 4篇生长温度
  • 3篇电子器件
  • 3篇相变材料
  • 3篇光电
  • 3篇光电子
  • 3篇光电子器件
  • 2篇电池
  • 2篇电池工艺

机构

  • 18篇华东师范大学

作者

  • 18篇黄雁君
  • 17篇郁可
  • 17篇朱自强
  • 6篇倪娟
  • 6篇蒋雯陶
  • 2篇汪阳
  • 2篇徐哲
  • 2篇李立珺

年份

  • 1篇2013
  • 6篇2012
  • 7篇2011
  • 4篇2010
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>分层棒状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>分层棒状纳米结构的半导体材料及其制备方法，所述材料包括硅片衬底和衬底表面生长的In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>晶体；...
黄雁君郁可朱自强
文献传递
一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
黄雁君郁可朱自强
文献传递
在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>空心球结构的相变型材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>空心球结构的相变型材料及制备方法，包括硅片衬底和生长在所述衬底表面的VO<Sub>2</Sub>晶体，所述的VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅衬底方向生长。...
倪娟郁可蒋雯陶黄雁君朱自强
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一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
黄雁君郁可朱自强
在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
黄雁君郁可朱自强
一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法，其材料是将偏钒酸铵加入草酸水溶液，用水热法一步生成VO<Sub>2</Sub>晶体为交叉棒状纳米结构的相变材料，其VO<Sub>2</S...
蒋雯陶郁可倪娟黄雁君朱自强
文献传递
在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
黄雁君郁可朱自强
文献传递
一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法，其材料是将偏钒酸铵加入草酸水溶液，用水热法一步生成VO<Sub>2</Sub>晶体为交叉棒状纳米结构的相变材料，其VO<Sub>2</S...
蒋雯陶郁可倪娟黄雁君朱自强
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一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>花状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>花状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
黄雁君郁可朱自强
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在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>箭状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>箭状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
黄雁君郁可朱自强
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