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蒋雯陶
作品数:
12
被引量:1
H指数:1
供职机构:
华东师范大学
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发文基金:
江苏省高校自然科学研究项目
国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
生物学
电子电信
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合作作者
郁可
华东师范大学信息科学技术学院电...
朱自强
华东师范大学
倪娟
华东师范大学
黄雁君
华东师范大学
李立珺
华东师范大学
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机构
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华东师范大学
1篇
南通大学
作者
12篇
蒋雯陶
11篇
郁可
10篇
倪娟
10篇
朱自强
6篇
黄雁君
2篇
汪阳
2篇
徐哲
2篇
李立珺
1篇
尹海宏
1篇
宋长青
1篇
曾敏
传媒
1篇
华东师范大学...
年份
4篇
2012
4篇
2011
4篇
2010
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12
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三维VO2(B)纳米花制备及其电化学性能研究
被引量:1
2012年
通过水热法制备了三维的VO_(B)纳米材料;对其形貌结构的控制合成及其电化学性质进行了探索.实验结果表明,反应产物的形貌可以通过改变还原剂草酸的浓度及其反应的时间来改变.电化学测试结果显示,水热合成的带状VO_2(B)纳米花材料相比其片状结构具有更好的电化学性能,比容量高,循环可逆性更好,因此在锂电池的正极材料应用上有更好的前景.
曾敏
宋长青
蒋雯陶
尹海宏
郁可
关键词:
二氧化钒
水热法
电化学性质
一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法,其材料是将偏钒酸铵加入草酸水溶液,用水热法一步生成VO<Sub>2</Sub>晶体为交叉棒状纳米结构的相变材料,其VO<Sub>2</S...
蒋雯陶
郁可
倪娟
黄雁君
朱自强
文献传递
在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>片状和多孔纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合两种VO<Sub>2</Sub>纳米结构(片状和多孔状)的相变材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有VO<Sub>2</Sub>晶体;所述的VO<Sub>2</Su...
倪娟
郁可
蒋雯陶
朱自强
文献传递
在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>空心球结构的相变型材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>空心球结构的相变型材料及制备方法,包括硅片衬底和生长在所述衬底表面的VO<Sub>2</Sub>晶体,所述的VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅衬底方向生长。...
倪娟
郁可
蒋雯陶
黄雁君
朱自强
文献传递
在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>纳米花结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>纳米花结构的相变材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有VO<Sub>2</Sub>晶体;所述的VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅...
蒋雯陶
郁可
倪娟
朱自强
文献传递
一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法,其材料是将偏钒酸铵加入草酸水溶液,用水热法一步生成VO<Sub>2</Sub>晶体为交叉棒状纳米结构的相变材料,其VO<Sub>2</S...
蒋雯陶
郁可
倪娟
黄雁君
朱自强
文献传递
在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>片状和多孔纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合两种VO<Sub>2</Sub>纳米结构(片状和多孔状)的相变材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有VO<Sub>2</Sub>晶体;所述的VO<Sub>2</Su...
倪娟
郁可
蒋雯陶
朱自强
在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
黄雁君
郁可
李立珺
蒋雯陶
倪娟
徐哲
汪阳
朱自强
在硅衬底上复合刺猬状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及制法
本发明提供了一种在硅衬底上复合刺猬状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及制法,所述相变材料,包括硅片衬底和生长在所述硅片衬底上的VO<Sub>2</Sub>晶体,所述VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅...
蒋雯陶
郁可
倪娟
黄雁君
朱自强
文献传递
在硅衬底上复合带状VO<Sub>2</Sub>纳米花结构的相变材料及制备方法
本发明公开了一种在硅衬底上复合带状VO<Sub>2</Sub>纳米花结构的相变材料及其制备方法,其材料包括硅衬底和生长在硅衬底上的VO<Sub>2</Sub>晶体,所述VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅衬底方向生...
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倪娟
朱自强
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