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蒋雯陶

作品数:12 被引量:1H指数:1
供职机构:华东师范大学更多>>
发文基金:江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术生物学电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇生物学
  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇SUB
  • 7篇体硅
  • 7篇相变材料
  • 7篇半导体
  • 7篇半导体硅
  • 6篇电路
  • 6篇电路工艺
  • 6篇集成电路
  • 6篇集成电路工艺
  • 6篇硅片
  • 5篇纳米
  • 4篇VO
  • 3篇电池
  • 3篇电性能
  • 3篇放电
  • 3篇放电性
  • 3篇放电性能
  • 3篇充放电
  • 3篇充放电性能
  • 2篇电池工艺

机构

  • 12篇华东师范大学
  • 1篇南通大学

作者

  • 12篇蒋雯陶
  • 11篇郁可
  • 10篇倪娟
  • 10篇朱自强
  • 6篇黄雁君
  • 2篇汪阳
  • 2篇徐哲
  • 2篇李立珺
  • 1篇尹海宏
  • 1篇宋长青
  • 1篇曾敏

传媒

  • 1篇华东师范大学...

年份

  • 4篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
三维VO2(B)纳米花制备及其电化学性能研究被引量:1
2012年
通过水热法制备了三维的VO_(B)纳米材料;对其形貌结构的控制合成及其电化学性质进行了探索.实验结果表明,反应产物的形貌可以通过改变还原剂草酸的浓度及其反应的时间来改变.电化学测试结果显示,水热合成的带状VO_2(B)纳米花材料相比其片状结构具有更好的电化学性能,比容量高,循环可逆性更好,因此在锂电池的正极材料应用上有更好的前景.
曾敏宋长青蒋雯陶尹海宏郁可
关键词:二氧化钒水热法电化学性质
一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法,其材料是将偏钒酸铵加入草酸水溶液,用水热法一步生成VO<Sub>2</Sub>晶体为交叉棒状纳米结构的相变材料,其VO<Sub>2</S...
蒋雯陶郁可倪娟黄雁君朱自强
文献传递
在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>片状和多孔纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合两种VO<Sub>2</Sub>纳米结构(片状和多孔状)的相变材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有VO<Sub>2</Sub>晶体;所述的VO<Sub>2</Su...
倪娟郁可蒋雯陶朱自强
文献传递
在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>空心球结构的相变型材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>空心球结构的相变型材料及制备方法,包括硅片衬底和生长在所述衬底表面的VO<Sub>2</Sub>晶体,所述的VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅衬底方向生长。...
倪娟郁可蒋雯陶黄雁君朱自强
文献传递
在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>纳米花结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>纳米花结构的相变材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有VO<Sub>2</Sub>晶体;所述的VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅...
蒋雯陶郁可倪娟朱自强
文献传递
一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法,其材料是将偏钒酸铵加入草酸水溶液,用水热法一步生成VO<Sub>2</Sub>晶体为交叉棒状纳米结构的相变材料,其VO<Sub>2</S...
蒋雯陶郁可倪娟黄雁君朱自强
文献传递
在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>片状和多孔纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合两种VO<Sub>2</Sub>纳米结构(片状和多孔状)的相变材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有VO<Sub>2</Sub>晶体;所述的VO<Sub>2</Su...
倪娟郁可蒋雯陶朱自强
在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
黄雁君郁可李立珺蒋雯陶倪娟徐哲汪阳朱自强
在硅衬底上复合刺猬状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及制法
本发明提供了一种在硅衬底上复合刺猬状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及制法,所述相变材料,包括硅片衬底和生长在所述硅片衬底上的VO<Sub>2</Sub>晶体,所述VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅...
蒋雯陶郁可倪娟黄雁君朱自强
文献传递
在硅衬底上复合带状VO<Sub>2</Sub>纳米花结构的相变材料及制备方法
本发明公开了一种在硅衬底上复合带状VO<Sub>2</Sub>纳米花结构的相变材料及其制备方法,其材料包括硅衬底和生长在硅衬底上的VO<Sub>2</Sub>晶体,所述VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅衬底方向生...
蒋雯陶郁可倪娟朱自强
文献传递
共2页<12>
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