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作者

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年份

  • 1篇2001
  • 4篇2000
  • 8篇1999
  • 3篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1995
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
稀土永磁在爬壁机器人中的应用被引量:7
1997年
介绍了永磁吸附式爬壁机器人的总体结构,对永磁吸附机构的磁路和磁吸附力进行了具体的分析和讨论。
余晋岳陈佳品程君实马培荪魏福林
关键词:爬壁机器人机器人
Fe-Ta-N纳米软磁薄膜的结构和磁性被引量:4
1999年
用磁控溅射法在Ar+N2混合气氛中制备了性能优异的具有纳米结构的Fe-Ta-N软磁薄膜。氮原子以间隙原子的形式进入纳米形态的α-Fe的晶格中,并引起了相应的晶格形变。随氮分压(pN2)的提高,α-Fe晶粒的尺寸迅速减小,在交换耦合作用下,表现出优异的软磁性能,氮分压较高时(pN27%),Ta原子和N原子将形成Ta3N5化合物相,导致薄膜软磁性能的相应降低。
马斌魏福林郑代顺杨正余晋岳
关键词:软磁薄膜纳米晶粒
标准音频信号磁带快速复制磁头的研制
1998年
分析了标准音频信号磁带快速复制磁头的磁芯结构特点,并根据磁头的漏磁通分布,给出了磁头的等效磁路。在对磁头磁阻及相关参数如磁头电感量L,磁头记录电流Ir等的计算中,考虑了磁芯材料磁导率μ的复数特性,得到了与实验一致的结果。
马斌徐海魏福林杨正余晋岳
关键词:磁带磁阻磁头
高密度磁记录用La-Zn替代SrM铁氧体薄膜
利用常用的射频溅射装置,制备了替代量不同的La-Zn替代Sr<,1>-x<''La>Fe<,12>-x<''Zn>x<''0>19(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)锶铁氧体薄膜。通过XRD、AFM及VSM等测试分...
白建民刘小晰魏福林杨正余晋岳松本光功
关键词:铁氧体薄膜
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微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程
1996年
用Biter粉纹技术研究了长×宽为40μm×300μm,厚度为40nm的微型NiFe磁阻元件,在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程,观察和分析了曲折状畴形成、Neel壁合并。
余晋岳宋柏泉周勇蔡炳初
关键词:磁畴畴壁反磁化
微马达结构、气隙磁场和绕组层数对微马达输出力矩的影响被引量:4
2001年
电磁型微马达以其输出力矩大、运行寿命长、易于实用化的优点成为微机电系统、微型机器人和微型可动部件理想的驱动器。从微马达结构、气隙磁场、转子厚度、转子写入磁极数和定子绕组的层数对微马达输出力矩的影响进行了分析和讨论。
杨春生丁桂甫赵小林张琛余晋岳
关键词:微马达MEMS气隙磁场
纳米晶Fe-Ta-N薄膜的形态、结构与磁性
魏福林吴东平郑代顺马斌杨正韩宝善余晋岳
关键词:纳米晶磁性
微型NiFe磁阻(MR)薄膜传感元件在反磁化过程中的钩形畴活动
1999年
从NiFe磁阻(Magneto-Resistive)薄膜传感元件的实际结构出发,全面观察和分析了它在难轴方向反磁化过程中磁畴结构的转变过程发现,由于实际元件是不规则形状的,特别是由于引线形状各向异性的影响,即使在传感器形状比(aspectratio)大于50:1时,传感器中仍然不是单畴的。实验中具体观察了从引线衍生到传感器有效区域的钩形畴活动和它的不可逆转变,说明它是产生Barkhausen跳跃的一个潜在的物理原因。这是过去文献中所未曾充分注意和研究过的。
余晋岳蔡炳初张明生章吉良赵小林周狄魏福林
关键词:传感元件反磁化磁畴
溅射条件对FeSiB薄膜磁性及巨磁阻抗效应的影响被引量:5
2000年
采用射频磁控溅射法,在不同溅射条件下制备了FeSiB薄膜。研究了溅射条件对薄膜应力、磁滞回线及巨磁阻抗效应的影响。结果表明:随着溅射氩气压强的增加,薄膜内应力从压应力变为张应力,磁滞回线的形状随溅射条件的不同也发生改变。对磁各向异性的变化作了分析和讨论,而面内横向单轴磁各向异性的重要性在巨磁阻抗效应的实验中充分得到了体现。
禹金强周勇蔡炳初余晋岳徐东
关键词:磁各向异性薄膜应力巨磁阻抗效应
微型NiFe条形薄膜元件在反磁化过程中的磁畴活动被引量:1
1996年
该文应用Bitter粉纹技术系统地观察,并从能量分析了微型40nm厚度NiFe薄膜条状元件在难轴方向反磁化过程中,磁畴结构的特性和变迁过程.研究表明,元件中的Barkhausen跳跃是畴壁合并、壁态转变和塞漏畴转变等不可逆磁畴结构变化过程的结果.
余晋岳周勇宋柏泉叶伟春张宏
关键词:反磁化磁畴畴壁NIFE磁记录
共3页<123>
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