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GaAs太阳电池帽层腐蚀研究──GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀被引量：1: 1999年; 由ｐ＋－ＧａＡｓ帽层和ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０·８—０．９）窗口层构成的异质薄膜体系是ＧａＡｓ太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀ＧａＡｓ而不腐蚀ＡｌＧａＡｓ的选择性腐蚀工艺是ＧａＡｓ太阳电池制备过程中的一道关键工序。针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后露出的ＡｌＧａＡｓ表面呈现彩色的问题，从改进腐蚀液配方角度，围绕通常采用的氨水－双氧水（ＮＨ４ＯＨ－Ｈ２Ｏ２）腐蚀液体系，对该问题作了深入细致的专门研究，并与柠檬酸－双氧水（Ｃ６Ｈ８Ｏ７－Ｈ２Ｏ２）和柠檬酸－柠檬酸钾－双氧水（Ｃ６Ｈ８Ｏ７－Ｋ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７－Ｈ２Ｏ２）腐蚀液体系作对比，最终得到了较满意的氨水－双氧水－磷酸（ＮＨ４ＯＨ－Ｈ２Ｏ２－Ｈ３ＰＯ４）新腐蚀液体系。这种腐蚀液体系不仅可在较宽的溶液浓度范围内实现对高Ａｌ组分ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结构的选择性腐蚀。; 公延宁汪乐莫金玑夏冠群; 关键词：太阳电池砷化镓

颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制被引量：9: 2002年; 以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带 (SSP) ,对颗粒硅带表面形态进行分析。以SSP为衬底 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法生长多晶硅薄膜 ,并以此制作出效率为 2 93%的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池 ,这在国内属首先。并报道了对以SSP为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的初步研究结果 ,同时讨论了该类电源的结构。; 梁宗存许颖公延宁沈辉李仲明李戬洪; 关键词：颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池 SSP 电源结构

MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究: 2000年; 从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分配系数ｋＡｌ之间的关系式．之后，依据该关系式分析实验数据，并对ｋＡｌ的动力学行为规律进行了研究．结果表明，ｋＡｌ值大小与ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ的生长效率（单位ⅢＡ族原子输入量下材料的生长速率）之比Ｋ的大小有关：ｋＡｌ随Ｋ的增加而增大；当Ｋ＞１时，ｋＡｌ＞１，当Ｋ＜１时，ｋＡｌ＜１，实际情况以前者居多；只有当Ｋ＝１时才ｋＡｌ＝１．此外，生成ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ的表观反应活化能Ｅａ１和Ｅａ２的不同会导致Ｋ，进而ｋＡｌ随生长温度发生变化：当Ｅａ１＞Ｅａ２时，ｋＡｌ随生长温度的升高而减小，当Ｅａ１＜Ｅａ２时，ｋＡｌ随生长温度的升高而增大，论文得到的结果属后种；只有当Ｅａ１＝Ｅａ２时，ｋＡｌ才不随生长温度发生变化．再者，ｋＡｌ还会随Ａｌ在气相ⅢＡ族原子中的原子百分含量ｘⅤＡｌ的增加而减小．; 公延宁莫金玑余海生夏冠群; 关键词：镓铝砷化合物气相外延动力学 MOVPE

GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展被引量：1: 1998年; Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ。根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术生长的掺ＣＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ性能研究中的若干方面给予了系统介绍和讨论。在此基础上对其应用作了总结，并对今后工作提出了几点建议。; 公延宁莫金玑夏冠群; 关键词：半导体 MOVPE 砷化镓

颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制: 本文分析了以颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池研究的可行性和必要性,并以颗粒硅带为衬底,采用快速热化学气相沉积（RTCVD）法生长多晶硅薄膜,以此制备出转换效率为2.4％的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池,这在国内尚属首先。报...; 沈辉梁宗存公延宁李戬洪许颖罗欣莲励旭东黎雪梅李仲明; 关键词：颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池; 文献传递

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公延宁

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