刘晓华
- 作品数：12 被引量：13H指数：2
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- Hg1-xMnxTe晶体在ACRT-B法生长过程中的溶质再分配
- 2000年
- 基于对溶质传输特性的定量估算,确定了Hg1-xMnxTe晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏析的计算.结果表明,在ACRT-B法生长的Hg1-xMnxTe e晶体中由于分凝Mn含量在初始区远高了平均值,随后逐渐降低.未端溶质含量则远低于平均值.只在晶锭中部很小的范围获得满足成分要求的晶段.而采用偏离理想成分配比的配料也能获得满足成分要求的晶段,并且在一定成分范围内随配料成分的降低,该晶段增大,其位置向结晶质量更高的初始区移动.欲生长x=0.11的Hg1-xMnxTe晶体,推荐采用x0＜0.11的配料成分.在计算的基础上,采用直径Φ5mm的Hg0.89Mn0.11Te晶锭进行了ACRT-B晶体生长实验研究.通过电子探针成分分析获得了沿晶体长度的成分分布.在晶锭的主要区段,实验结果与计算结果一致.仅在初始区实验结果低于实验值,未端区高于实验值.分析认为这是由于计算模型中关于液相中溶质均匀混合的假设在初始区和未端区不满足造成的.
- 介万奇李宇杰刘晓华
- 关键词：晶体生长布里奇曼法偏析
- 凝固过程的分凝行为及其应用
- 介万奇刘晓华刘俊诚马东周尧和郭喜平
- 该项目针对金属凝固及化合物半导体晶体生长的溶质分凝及成分偏析进行了较为系统的理论研究，并在理论研究的基础上进行了应用技术的开发。本研究结合II-VI族化合物的晶体生长过程，揭示了二元及伪二元材料晶体生长过程的界面溶质分凝...
- 关键词：
- 关键词：凝固偏析
- ACRT-VBM过程的数值分析及HgMnTe晶体生长
- 对晶体生长过程传输现象的数值分析已成为一个重要的传热传质研究领域.该文的主要研究内容和结果如下:该研究把坩埚加速旋转技术,首次用于Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体的垂直Bridgman法生长.对晶体缺陷、组分均匀性及...
- 刘晓华
- 关键词：晶体生长晶体缺陷非稳态
- 定向凝固初始过渡区非稳态性质及温度梯度的影响被引量：2
- 1999年
- 利用有限差分法对定向凝固初始过渡区的溶质再分配、凝固界面位置以及凝固速度进行了定量计算,重点分析了温度梯度的影响。计算结果表明:初始过渡区存在凝固速度、凝固界面位置的非稳态过程,温度梯度越小,非稳态过程越长;温度梯度较小时,凝固速度数值计算结果与Fu等提出的指数形式有很大偏离;初始过渡区晶锭组分分布的数值解与Tiller近似解偏离较大,Tiller近似解所给出的溶质初始过渡区长度偏小;晶锭组分初始不均匀区的长度与凝固速度非稳态过程的长短有关;初始过渡区凝固界面向低温区的移动使凝固时间显著加长。
- 刘晓华郭喜平介万奇周尧和
- 关键词：定向凝固凝固温度梯度金属
- Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体在ACRT-B法生长过程中的溶质再分配
- 基于对溶质传输特性的定量估算,确定了Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏析的计算.结果表明,在ACRT-B法生长的Hg<,1-x>Mn<,x>...
- 介万奇李宇杰刘晓华
- 关键词：晶体生长布里奇曼法偏析
- 文献传递
- 红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀被引量：3
- 1999年
- 窄禁带、含Ｈｇ 的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，研究了ＨｇＭｎＴｅ 的腐蚀工艺，探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ 的腐蚀液．从实验结果来看，该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷，如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等，而且腐蚀质量高．以此为基础，我们还分析了ＡＣＲＴ 和Ｂｒｉｄｇｍ ａｎ 两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ
- 李宇杰刘晓华介万奇
- Hg_(1-x)Cd_xTe 中杂质对及双空位深能级的研究
- 1998年
- 以Ａ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等的半经验紧束缚模型和Ｈｊａｌｍａｒｓｏｎ－Ｖｏｇｈ－Ｗｏｌｆｏｒｄ－Ｄｏｗ深能级理论为基础，计算了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中阳离子位替代式杂质（包括Ｎ，Ｏ，Ｃ）与最近邻替代式杂质形成ｓｐ３键杂质对后阳离子位杂质Ａ１对称性深能级的变化以及最近邻理想双空位（Ｖｃ，Ｖａ）的深能级。计算结果表明：阳离子位杂质Ａ１能级的变化取决于与其配对杂质的电负性，杂质对ａ１能级组分依赖关系ｄＥ／ｄｘ小于阳离子位单杂质Ａ１能级的ｄＥ／ｄｘ，大于阴离子位单杂质Ｔ２能级的ｄＥ／ｄｘ，不同杂质对的ｄＥ／ｄｘ基本相同；理想双空位（Ｖｃ，Ｖａ）在能隙或近能隙区域产生一个ａ１态深能级，该能级的ｄＥ／ｄｘ很小，对于ＣｄＴｅ，位置在０．５ｅＶ，对于ｘ＜０．３７的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ，该能级成为导带共振态。
- 刘晓华介万奇刘俊诚
- 关键词：深能级杂质对汞镉碲红外材料
- 结晶过程的分凝行为及其相关凝固理论
- 介万奇周尧和刘晓华李宇杰李国强
- 该项目的研究内容包括：（1）揭示了多组元合金平界面凝固过程的溶质再分配及其与温度场的耦合作用；（2）通过数值计算与实验，揭示了强制对流对化合物半导体晶体生长及凝固过程分凝行为与组织的影响；（3）建立了枝晶凝固（铸造及焊接...
- 关键词：
- 关键词：晶体生长
- 定向凝固过程中的溶质径向分凝被引量：4
- 1998年
- 基于实际定向凝固系统的对称性，采用线性近似方法计算了柱坐标系中、扩散控制条件下二元合金走向凝固时微弯曲固液界面导致的溶质径向下均匀分布结果表明溶质径向分凝定性上正比于溶质Peclet数。
- 刘晓华郭喜平介万奇周尧和
- 关键词：定向凝固晶体生长
- ACRT 过程 Ekman 流的影响因素分析
- 1997年
- 将坩埚加速旋转技术（ＡＣＲＴ）过程中Ｅｋｍａｎ流的影响因素归纳为无量纲数Ｒｅ，ωｍａｘｔ１和ωｍａｘｔ２，利用计算方法分析了各无量纲数的影响。结果表明，当坩埚转速按梯形波变化，坩埚内流体高度大于３倍坩埚直径时，Ｅｋｍａｎ流的强度随Ｒｅ，ωｍａｘｔ１的增加呈峰值性变化，随ωｍａｘｔ２的增加而线性增加。
- 刘俊诚郭喜平刘晓华介万奇周尧和
- 关键词：数值模拟量纲分析晶体生长金属凝固
